熔丝烧断系统及其操作方法技术方案

本公开涉及一种动态随机存取存储器DRAM的熔丝烧断系统。该熔丝烧断系统包含一熔丝元件与一映射元件。该映射元件与该熔丝元件一起整合在该DRAM中；该映射元件经配置以使能该熔丝元件并且对于该熔丝元件提供一实体位址；其中使能的该熔丝元件仅响应提供的该实体位址，对于该DRAM的一熔丝进行一熔丝烧断操作。

Fuse Burning System and Its Operation Method

The present disclosure relates to a fuse burning system of dynamic random access memory DRAM. The fuse burning system comprises a fuse element and a mapping element. The mapping element is integrated with the fuse element in the DRAM; the mapping element is configured to enable the fuse element and provide an entity address for the fuse element; the enabling fuse element responds only to the entity address provided and performs a fuse burning operation for a fuse of the DRAM.

【技术实现步骤摘要】
熔丝烧断系统及其操作方法
本公开涉及一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)，更特别地，本公开涉及一种DRAM的熔丝烧断系统(fuse-blowingsystem)。
技术介绍
随着复杂制程所制成的微小化存储元件的发展，存储元件越来越容易出现各种性能限制缺陷。目前，熔丝与电熔丝(e-fuse)最常用于解决各种缺陷造成的问题，在复杂的修复方法中使用熔丝与电熔丝以解决所述问题。上文的「现有技术」说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开的实施例提供一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)的熔丝烧断系统。该熔丝烧断系统包含一熔丝元件与一映射元件。该映射元件与该熔丝元件一起整合在该DRAM中；该映射元件经配置以使能该熔丝元件并且对于该熔丝元件提供一实体位址；其中使能的该熔丝元件仅响应提供的该实体位址，对于该DRAM的一熔丝进行一熔丝烧断操作。在本公开的一些实施例中，该映射元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态随机存取存储器DRAM的熔丝烧断系统，包括：一熔丝元件；以及一映射元件，与该熔丝元件一起整合于该DRAM中，该映射元件经配置以使能该熔丝元件并且对于该熔丝元件提供一实体位址；其中使能的该熔丝元件仅响应提供的该实体位址，对于该DRAM的一熔丝进行一熔丝烧断操作。

【技术特征摘要】
2017.07.12 US 15/647,7881.一种动态随机存取存储器DRAM的熔丝烧断系统，包括：一熔丝元件；以及一映射元件，与该熔丝元件一起整合于该DRAM中，该映射元件经配置以使能该熔丝元件并且对于该熔丝元件提供一实体位址；其中使能的该熔丝元件仅响应提供的该实体位址，对于该DRAM的一熔丝进行一熔丝烧断操作。2.如权利要求1所述的熔丝烧断系统，其中该映射元件另经配置以自该DRAM的一外部元件接收一信息，该信息包含该DRAM的一正常字元线的一逻辑位址，其中该正常字元线含有缺陷，以及该映射元件对于该熔丝元件提供该逻辑位址映射的该实体位址。3.如权利要求2所述的熔丝烧断系统，其中该映射元件另经配置以自该外部元件接收一指令，该指令指示进行该熔丝烧断操作，以及该映射元件响应所接收的该指令而使能该熔丝元件。4.如权利要求1所述的熔丝烧断系统，其中使能的该熔丝元件另经配置以当先前尚未接收所提供的该实体位址时，仅响应提供的该实体位址，对于该熔丝进行该熔丝烧断操作。5.如权利要求1所述的熔丝烧断系统，其中使能的该熔丝元件另经配置以仅响应提供的该实体位址以及当先前已经接收所提供的该实体位址时，对于先前已经进行该熔丝烧断操作的该熔丝之外的一熔丝，进行该熔丝烧断操作。6.如权利要求5所述的熔丝烧断系统，其中进行该熔丝烧断操作的该熔丝紧邻先前已经进行该熔丝操作的该熔丝。7.如权利要求6所述的熔丝烧断系统，其中进行该熔丝烧断操作的该熔丝紧邻一熔丝，其紧邻先前已经进行该熔丝操作的该熔丝。8.如权利要求1所述的熔丝烧断系统，其中该DRAM包含一第三代双倍数据速率同步动态随机存取存储器DDR3。9.如权利要求1所述的熔丝烧断系统，其中该熔丝包含一激光可烧断的熔丝。10.一种动态随机存取存储器DRAM的熔丝烧断系统，包括：一熔丝元件；一第一熔丝，可由该熔丝元件烧断；一第二熔丝，可由该熔丝元件烧断；以及一映射元件，与该熔丝元件一起整合于该DRAM中，该映射元件经配置以使能该熔...

【专利技术属性】
技术研发人员：许庭硕，沈志玮，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71