南亚科技股份有限公司专利技术

南亚科技股份有限公司共有2444项专利

  • 半导体结构
    一种半导体结构,包含电子元件与板状结构。板状结构包含介电层结构与至少一弹性件。介电层结构具有装置区与围绕装置区的边缘区,其中电子元件设置在装置区上,边缘区具有至少一第一通孔。弹性件设置于第一通孔中。通过设置弹性件于边缘区中,由装置区传递...
  • 引线接合方法及引线接合结构
    本发明公开了一种引线接合方法及引线接合结构,该引线接合方法包含:在金属线的一端形成焊球;将焊球按压至工件的平面上以使焊球变形;使变形的焊球接触金属垫,其中金属垫由第一材料制成且金属线由第二材料制成,并且第一材料的硬度小于第二材料的硬度;...
  • 半导体结构及其制造方法
    本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括:一基板,包括一第一表面及一第二表面,该第二表面与该第一表面相对;一接垫,设置在该第一表面上方;一第一保护件,设置在该第一表面上方且部分覆盖该接垫;以及一重布线层(redistribu...
  • 堆叠式封装结构
    一种堆叠式封装结构,包含第一板状结构与第二板状结构。第一板状结构具有相对的第一面与第二面。第一板状结构包含第一介电层与第一电子元件。第一电子元件设置于第一介电层中,其中第一电子元件具有第一主动面,且第一主动面形成第二面的一部分。第二板状...
  • 半导体装置、半导体封装及其制造方法
    本公开提供一种半导体装置、半导体封装及其制造方法。在本公开的实施例中,该半导体装置包含一集成电路晶粒;设置于该集成电路晶粒上的至少一导电终端;设置于该集成电路晶粒上的一框架,其中该框架实质暴露该至少一导电终端;以及设置于该框架中的至少一...
  • 晶片及晶片制造方法
    本发明公开了一种晶片及晶片制造方法,用以由半导体晶圆制造晶片。半导体晶圆具有多个切割道位于其前表面。该晶片制造方法包含:在半导体晶圆上分别对齐切割道的交集处的位置形成多个裂缝停止结构;沿着切割道照射激光束聚焦于半导体晶圆的内部以诱发裂缝...
  • 半导体结构及其制造方法
    本公开提供一种半导体结构及其制造方法,该半导体结构包含一基板;设置该基板上方的一接垫;设置该基板上方且暴露该接垫的一暴露部分的一保护层;以及设置该接垫的该暴露部分上方的一凸块。该凸块包含一缓冲件及一导电层,该缓冲件位于该接垫的该暴露部分...
  • 中介物、其半导体封装及其半导体封装的制备方法
    本公开提供一种半导体封装的中介物、其半导体封装及其半导体封装的制备方法。该中介物包含一基板部以及位于该基板部上的一壁部。该基板部具有第一侧、第二侧、以及位于该第一侧与该第二侧之间的电互连结构。贯穿硅插塞(through silicon ...
  • 半导体芯片与其多芯片封装及其制造方法
    本发明提供一种具有非贯穿插塞的半导体芯片与其多芯片封装以及其制造方法,其中非贯穿插塞可作为芯片堆叠对准的埋藏式对位标记。在本发明的实施例中,半导体芯片包含具有第一侧与第二侧的一半导体基板、自该第一侧贯穿延伸该半导体基板至该第二侧的一导电...
  • 晶片封装及其制造方法
    本公开提供一种晶片封装及其制造方法,该晶片封装包含一第一基板;设置于该第一基板上方的一第一绝缘层;设置于该第一绝缘层内的一导电结构;嵌置于该第一绝缘层中的一缓冲物件;电连接该导电结构且设置于该导电结构与该缓冲物件上方的一重布层;以及设置...
  • 半导体装置及其制造方法
    本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,此半导体装置具有环绕硅穿孔电极的环状结构。其制造方法包含接收基板,此基板包含后侧与具有导体的前侧;形成孔洞在该基板中,此孔洞暴露导体;形成沟渠,从后侧延伸至基板中并环绕孔洞;形成第一材料层于孔洞中...
  • 存储器数组结构
    本发明公开了一种存储器数组架构包括多个数组区段及多个间隔单元,每一间隔单元是设置于所述数组区段中的两个数组区段之间,且包括:本地写入装置,以根据接收到的写入启用信号及写入数据信号来提供数据信号,所述数据信号用于对所述数组区段中的数组区段...
  • 一种具有倾斜贯穿硅通道的晶片封装及其制备方法
    本公开的晶片封装包含至少一集成电路晶粒。该至少一集成电路晶粒包含:一基板部,具有位于一前侧与一背侧之间的一内面;位于该前侧上的一电互连部;位于该电互连部的上表面上的至少一第一连接终端;位于该基板部的该背侧上的至少一第二连接终端;电连接该...
  • 动态随机存取存储器装置的时脉控制方法
    本发明公开了一种动态随机存取存储器装置的时脉控制方法,包含:根据一数据启用延迟移位堆叠的一活跃区域的一可利用性或是否接收到一间隙指令信号,将一逻辑电平转态;运算该逻辑电平及一时脉信号的一逻辑电平,以产生一运算结果;以及根据该运算结果以致...
  • 具有金红石结晶相二氧化钛介电膜的半导体器件
    本发明公开了一种电容结构,包含有一第一电极,设于一基材上;一二氧化钛介电层,直接形成在所述第一电极上,其中所述二氧化钛介电层仅单纯具有金红石结晶相;以及一第二电极,位于所述二氧化钛介电层上。根据本发明实施例,在所述第一电极与所述二氧化钛...
  • 用于产生延迟列选择信号的存储装置和信号延迟电路
    本发明提供一种用于产生延迟列选择信号的存储装置和信号延迟电路。本发明所提供的信号延迟电路包括输入反相器、第一反相器、电容器、第一晶体管、第二反相器和输出反相器。输入反相器接收输入信号和输出信号至第一反相器。电容器耦接至第一反相器的输出端...
  • 托盘
    本发明公开了一种托盘,用以承托集成电路部件。托盘包含底架及至少一对支撑壁。至少一对支撑壁连接底架,且彼此相对,每个支撑壁具有弧面,弧面实质上彼此相向,弧面配置成分别支撑及承托集成电路部件的至少两部分,其中当弧面承托集成电路部件时,底架与...
  • 动态随机存取存储器电路及其电压控制方法
    本发明公开了一种动态随机存取存储器电路及其电压控制方法。动态随机存取存储器电路包含:多个记忆单元、多个字元线驱动器以及第一电压产生器。多个字元线驱动器各自电性耦接多个记忆单元。第一电压产生器电性耦接多个字元线驱动器,第一电压产生器用以产...
  • 电子装置以及整合型非挥发性存储器控制方法
    本发明公开了一种电子装置以及整合型非挥发性存储器控制方法,其中所述整合型非挥发性存储器包括一作为一只读存储器的第一存储器区块以及作为一随机存取存储器的第二存储器区块,且一控制单元用以控制所述整合型非挥发性存储器。所述第一存储器区块还包括...
  • 形成图案的方法
    本发明公开了一种形成图案的方法。首先,在衬底上形成一图案化核心层。接着,均匀地在图案化核心层与衬底上形成间隙层,并且定义出多个被间隙层包围的第一凹陷区域。然后,进行回蚀刻工艺,暴露出图案化核心层与凹陷区域下方的衬底。再来,移除暴露的图案...