晶片及晶片制造方法技术

本发明专利技术公开了一种晶片及晶片制造方法，用以由半导体晶圆制造晶片。半导体晶圆具有多个切割道位于其前表面。该晶片制造方法包含：在半导体晶圆上分别对齐切割道的交集处的位置形成多个裂缝停止结构；沿着切割道照射激光束聚焦于半导体晶圆的内部以诱发裂缝；以及使被照射的半导体晶圆沿着裂缝断裂至裂缝停止结构，进而使被照射的半导体晶圆分割出晶片。借此，分割后晶片可获得较佳的角落品质，因为裂缝停止结构可有效地防止位于边缘的裂缝不能扩展至角落。

Wafer and wafer fabrication methods

The invention discloses a wafer and wafer fabrication method for making wafer by semiconductor wafer. The semiconductor wafer has multiple cutting channels on its front surface. The wafer manufacturing method comprises: in a semiconductor wafer cutting road intersection are respectively aligned position to form a plurality of crack stop structure; along the cutting path of laser beam irradiation on semiconductor wafer induced by internal crack; and the semiconductor wafer exposure to stop cracks along the crack fracture structure, which is a semiconductor chip segmentation wafer exposure. In this way, the split chip can obtain better corner quality, because the crack stop structure can effectively prevent the cracks located at the edge can not be extended to the corner.

【技术实现步骤摘要】
晶片及晶片制造方法
本专利技术涉及一种晶片以及晶片制造方法。
技术介绍
在半导体晶圆的处理过程中，集成电路是形成于由硅或其它半导体材料所组成的晶圆(也称为基材)。一般来说，集成电路可利用各种材料(半导体材料、导体材料的或绝缘材料)的层形成。这些材料可利用各种公知工艺掺杂、沉积与蚀刻而形成集成电路。每个晶圆可被处理而形成大量包含集成电路的个别区域(亦称为晶粒)。在集成电路形成工艺之后，晶圆被“切割”而分离成个别晶粒以封装或以未封装的形式应用于大型电路中。两个最主要被使用来切割晶圆的技术为刻划(scribing)与割锯(sawing)。刻划是利用钻石尖端沿着预形成的划线(scribeline)划过晶圆表面。这些划线沿着晶粒之间的空间延伸。这些空间通常被称为“切割道(street)”。钻石刻划时会沿着切割道形成浅划痕于晶圆表面。当施加压力时，例如利用滚轮，晶圆会沿着划线分离。晶圆的断裂是跟着晶圆的晶格结构进行的。刻划可使用于厚度约10密耳(千分之一英吋)或更小的晶圆。对于厚度较厚的晶圆，割锯是较佳的切割方式。割锯是利用钻石尖锯以高速旋转并接触晶圆表面，并沿着切割道割锯晶圆。晶圆固定在支撑件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片制造方法，用以由半导体晶圆制造多个晶片，所述半导体晶圆具有前表面，所述前表面上定义有多个切割道，其特征在于，所述晶片制造方法包含：在所述半导体晶圆上分别对齐所述多个切割道的交集处的多个位置形成多个裂缝停止结构；沿着所述多个切割道照射激光束聚焦于所述半导体晶圆的内部以诱发多个裂缝；以及使被照射的所述半导体晶圆沿着所述多个裂缝断裂至所述多个裂缝停止结构，进而使被照射的所述半导体晶圆分割出所述多个晶片。

【技术特征摘要】
1.一种晶片制造方法，用以由半导体晶圆制造多个晶片，所述半导体晶圆具有前表面，所述前表面上定义有多个切割道，其特征在于，所述晶片制造方法包含：在所述半导体晶圆上分别对齐所述多个切割道的交集处的多个位置形成多个裂缝停止结构；沿着所述多个切割道照射激光束聚焦于所述半导体晶圆的内部以诱发多个裂缝；以及使被照射的所述半导体晶圆沿着所述多个裂缝断裂至所述多个裂缝停止结构，进而使被照射的所述半导体晶圆分割出所述多个晶片。2.如权利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述使被照射的所述半导体晶圆断裂的步骤包含：施加拉伸力至被照射的所述半导体晶圆。3.如权利要求2所述的晶片制造方法，其特征在于，保护胶带黏合至所述半导体晶圆的后表面，并且所述施加所述拉伸力的步骤包含：向外扩张所述保护胶带以施加所述拉伸力至被照射的所述半导体晶圆。4.如权利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述多个位置位于所述前表面上，并且所述形成所述多个裂缝停止结构的步骤包含：由所述前表面蚀刻所述半导体晶圆以形成多个凹陷，其中所述多个凹陷被配置为所述多个裂缝停止结构。5.如权利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述半导体晶圆还具有相反于所述前表面的后表面，所述多个位置位于所述后表面上，并且所述形成所述多个裂缝停止结构的步骤包含：由所述后表面蚀刻所述半导体晶圆以形成多个凹陷，其中所述多个凹陷被配置为所述多个裂缝停止结构。6.如权利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述半导体晶圆还具有相反于所述前表面的后表面，所述多个位置位于所述前表面与所述后表面上，并且所述形成所述多个裂缝停止结构的步骤包含：由所述前表面与所述后表面蚀刻所述半导体晶圆以分别形成多个第一凹陷以及多个第二凹陷，其中所述多个第一凹陷与所述多个第二凹陷被配置为所述多个裂缝停止结构。7.如权利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述半导体晶圆还具有相反于所述前表面的后表面，并且所述形成所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏均，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71