半导体结构及其制造方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：一基板，包括一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；一接垫，设置在该第一表面上方；一第一保护件，设置在该第一表面上方且部分覆盖该接垫；以及一重布线层(redistribution layer，RDL)，设置在该第一保护件上方，且包括一导线及一第二保护件，该导线延伸在该第一保护件上方，该第二保护件部分覆盖该导线；其中该导线包括一插塞部以及一焊座部，该插塞部与该接垫耦合且在该第一保护件内朝该接垫延伸，该焊座部延伸在该第一保护件上方，该焊座部包括多个第一凸出部，向远离第一保护件的方向凸出。

Semiconductor structure and its manufacturing method

The present disclosure provides a semiconductor structure and a manufacturing method. The semiconductor structure includes a substrate comprises a first surface and a second surface, the second surface opposite to the first surface; a pad is arranged on the first surface; a first protective piece is arranged on the first surface and above the part covering the pad; and a wiring layer (redistribution layer. RDL), set in the first protective part and comprises a conductor and a second protection, the wire extension on the first protection part of the second part of the protection cover wire; wherein the conductor includes a plug portion and a welding portion of the seat, the plug part and the connecting pad and the coupling in the first part toward the protection pad extends the welding seat extending over the first protection part of the welding seat comprises a plurality of first projections, to protect the projected in the direction away from the first.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体结构，包括在一重布线层(redistributionlayer，RDL)中的导线，多个凸出部设置至少在该导线的一部分上方且与设置在该导线或环绕该导线的保护件上方的连接件交界。
技术介绍
半导体装置对于许多现代应用而言是很重要的。随着电子技术的进展，半导体装置的尺寸越来越小，功能越来越强大，且整合的电路数量越来越多。由于半导体装置的尺度微小化，晶圆级晶片尺度封装(waferlevelchipscalepackaging，WLCSP)已广泛地应用于制造半导体装置。在此等微小半导体装置内，实施许多制造步骤。然而，微型化尺度的半导体装置的制造技术变得越来越复杂。制造半导体装置的复杂度增加可造成缺陷，例如电互连不良、发生破裂、或元件脱层(delamination)。因此，修饰结构与制造半导体装置有许多挑战。上文的「现有技术」说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
本公开提供一种半导体结构，包含：一基板，包括一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；一接垫，设置在该第一表面上方；一第一保护件，设置在该第一表面上方且部分覆盖该接垫；以及一重布线层(redistributionlayer，RDL)，设置在该第一保护件上方，且包括一导线及一第二保护件，该导线延伸在该第一保护件上方，该第二保护件部分覆盖该导线；其中该导线包括一插塞部以及一焊座部，该插塞部与该接垫耦合且在该第一保护件内朝该接垫延伸，该焊座部延伸在该第一保护件上方，该焊座部包括多个第一凸出部，向远离该第一保护件的方向凸出。在本公开的实施中，该第二保护件暴露该等第一凸出部。在本公开的实施中，该半导体结构进一步包含一导电元件，设置在该基板与该导线的该焊座部之间。在本公开的实施中，该焊座部包括多个第二凸出部，朝该基板凸出且被该第一保护件环绕。在本公开的实施中，该等第一凸出部设置在该等第二凸出部上方。在本公开的实施中，该等第一凸出部分别垂直对准该等第二凸出部。在本公开的实施中，该等第一凸出部分别插置在该等第二凸出部之间。在本公开的实施中，该半导体结构进一步包含一连接件，设置在该焊座部上方。在本公开的实施中，该连接件与该等第一凸出部交界。在本公开的实施中，该等第一凸出部凸伸至该连接件中。在本公开的实施中，该等第一凸出部被该第二保护件环绕。本公开另提供一种半导体结构的制造方法，包含：提供一基板；设置一接垫在该基板上方；设置一第一保护件在该基板上方，以部分覆盖该接垫；设置一导电材料在该第一保护件及该接垫上方，以形成一电连接至该接垫的导线；设置一第二保护件在该第一保护件上方，以部分覆盖该导线；以及形成多个第一凸出部在该该第二保护件暴露出的导线上方。在本公开的实施中，该等第一凸出部通过蚀刻、激光剥蚀、钻孔或电镀工艺形成。在本公开的实施中，该制造方法进一步包含：设置一图案化掩模在该导线上方，该图案化掩模包括多个开口；设置该导电材料在该等开口内，以形成该等第一凸出部；以及移除该图案化掩模。在本公开的实施中，该制造方法进一步包含：设置一图案化掩模在该第一保护件上方，该图案化掩模包括多个开口；部分移除该图案化掩模暴露出的该第一保护件，以形成多个凹槽在该第一保护件上方；移除该图案化掩模；以及设置该导电材料在该等凹槽内，以形成多个从该导线朝该基板凸出的第二凸出部。在本公开的实施中，该制造方法进一步包含设置一连接件在该第二保护件暴露出且环绕该等第一凸出部的导线上方。在本公开的实施中，该导电材料通过电镀或溅镀工艺形成。在本公开的实施中，该制造方法进一步包含设置一导电件在该基板上方。本公开另提供一种半导体结构，包含：一基板，包括一导电通路；一第一保护件，设置在该基板上方且暴露该导电通路的一部分；一导线，设置在该第一保护件上方且电连接至该导电通路；以及一第二保护件，设置在该导线上方且暴露该导线的一部分；其中该第二保护件暴露出的该导线的该部分包括多个第一凸出部，该等第一凸出部向远离该第一保护件的方向凸出。在本公开的实施中，该导线包括多个第二凸出部，该等第二凸出部向该基板凸出且被该第一保护件环绕。本公开提供的半导体结构包括一导线，设置在一重布线层(RDL)中。该导线被一保护件环绕，且包括一焊座部，经配置以接收一连接件。该焊座部包括多个从该导线凸出的凸出部，其中该等凸出部经配置以改善在该导线与该连接件之间的粘着或在该导线与该保护件之间的粘着。该等凸出部也可以缓解在该导线上方、在该半导体结构内部或在工艺中产生的应力。因此，本公开的技术可最小化或防止该半导体结构的元件脱层(delamination)及在该半导体结构中产生的裂痕，因而改善该半导体结构的可靠性。附图说明参阅详细说明与权利要求结合考量图式时，可得以更全面了解本申请案的公开内容，图式中相同的元件符号是指相同的元件。图1是一剖面示意图，例示本公开实施例的半导体装置。图2是一剖面示意图，例示半导体结构包含多个第二凸出部。图3是一剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构。图4是一剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构。图5是一剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构。图6是一剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构。图7至图9是图1的区域A的放大图，例示各种构形的第一凸出部。图10是一剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构。图11是一流程图，例示本公开实施例的半导体结构的制造方法。图12至图28是剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构的制造方法。附图标记说明：100半导体装置101基板101a第一表面101b第二表面102接垫102a暴露部分103导电元件104第一保护件104a第一孔洞104b凹槽105重布线层105a导线105b第二保护件105c插塞部105d焊座部105e第一凸出部105f第二孔洞105g第二凸出部106连接件107导电通路107a暴露部分200半导体装置300方法301步骤302步骤303步骤304步骤305步骤306步骤307步骤308步骤309步骤310步骤311步骤312步骤401第一图案化掩模401a第一开口402第二图案化掩模402a第二开口A区域D距离具体实施方式本公开的下面说明伴随附图，其并入本说明书中并构成本说明书的一部分，且绘示出本公开的实施例，但本公开并不限于该等实施例。此外，可适当地整合下面实施例以完成另一实施例。「一实施例」、「实施例」、「例示实施例」、「其他实施例」、「另一实施例」等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用「在本公开的实施例中」一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。本公开提供一种半导体结构，包括在一重布线层(RDL)中的导线，多个凸出部设置至少在该导线的一部分上方，以改善该导线与该半导体结构的其它元件(例如，连接件、保护件或类似物)之间的粘着或缓解在该半导体结构上方的应力。为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制该技艺中的技术人士已知的特定细节。此外，已知的结构与步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包含：一基板，包括一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；一接垫，设置在该第一表面上方；一第一保护件，设置在该第一表面上方且部分覆盖该接垫；以及一重布线层，设置在该第一保护件上方，且包括一导线及一第二保护件，该导线延伸在该第一保护件上方，该第二保护件部分覆盖该导线；其中该导线包括一插塞部以及一焊座部，该插塞部与该接垫耦合且在该第一保护件内朝该接垫延伸，该焊座部延伸在该第一保护件上方，该焊座部包括多个第一凸出部，向远离该第一保护件的方向凸出。

【技术特征摘要】
2016.08.05 US 15/229,8821.一种半导体结构，包含：一基板，包括一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；一接垫，设置在该第一表面上方；一第一保护件，设置在该第一表面上方且部分覆盖该接垫；以及一重布线层，设置在该第一保护件上方，且包括一导线及一第二保护件，该导线延伸在该第一保护件上方，该第二保护件部分覆盖该导线；其中该导线包括一插塞部以及一焊座部，该插塞部与该接垫耦合且在该第一保护件内朝该接垫延伸，该焊座部延伸在该第一保护件上方，该焊座部包括多个第一凸出部，向远离该第一保护件的方向凸出。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二保护件暴露所述多个第一凸出部。3.如权利要求1所述的半导体结构，进一步包含一导电元件，设置在该基板与该导线的该焊座部之间。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该焊座部包括多个第二凸出部，朝该基板凸出且被该第一保护件环绕。5.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述多个第一凸出部设置在所述多个第二凸出部上方。6.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述多个第一凸出部分别垂直对准所述多个第二凸出部。7.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述多个第一凸出部分别插置在所述多个第二凸出部之间。8.如权利要求1所述的半导体结构，进一步包含一连接件，设置在该焊座部上方。9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该连接件与所述多个第一凸出部交界。10.如权利要求8所述的半导体结构，其中所述多个第一凸出部凸伸至该连接件中。11.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个第一凸出部被该第二保护件环绕。12.一种半导体结构的制造方法，包含：提供一基板；设置一接垫在该基板上方；设置一第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏均，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71