本发明公开了一种导电连接结构，包括半导体基板、导电柱及应力缓冲层。导电柱位于半导体基板中。应力缓冲层位于半导体基板与导电柱之间。导电柱具有突出部贯穿应力缓冲层。此应力缓冲层可以减缓导电连接结构内部的应力。此外，导电连接结构可进一步包含位...

本申请公开一种半导体封装及其制造方法，其中半导体封装包含一半导体元件，该半导体元件具有一上表面与一侧，其中该上表面与该侧形成该半导体元件的一角部。该半导体封装亦包含一横向凸块结构位于该侧上并且实现该半导体元件的一横向信号路径。该半导体封...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含一第一表面与一第一侧壁；一波导，包含沿着该第一表面配置的一第一部分，以及沿着该第一侧壁且耦合该第一部分的一第二部分；以及一反射件，位于该波导上方，其中该反射件包含一反射表面，位于该第一...

本公开提供一种晶圆识别方法及设备。晶圆识别方法包括通过获取一第一晶圆的一影像来获得包括一第一向量的影像信息，其中该第一晶圆是已知为一良品；通过获取一第二晶圆的一影像来获得包括一第二向量的影像信息，其中该第二晶圆是已知为一不良品；基于与该...

一种电路系统，包括一源电路；一第一电路；一第二电路；及一数据分布电路，该数据分布电路包括：一接收电路，用以经由一第一前端线路及一第二前端线路从该源电路接收用于该第一电路的一第一数据、及经由一第三前端线路及一第四前端线路从该源电路接收用于...

本公开提供一种熔丝的熔断系统及熔断方法。熔断系统包括一熔丝泵；一熔丝，可被该熔丝泵熔断；及一电压源，经配置仅在该熔丝泵被使能以熔断该熔丝时提供一第一电压，当该第一电压作为该熔丝泵的供应电压时，该熔丝泵熔断该熔丝。若该第一电压作为该熔丝泵...

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含第一封装件，该第一封装件包含一基板与位于该基板上的一晶粒，该晶粒通过一第一传导凸块而电连接至该基板；第二封装件，位于该第一封装件上并且通过一第二传导凸块而电连接至该基板；以及一粘着...

本发明公开了一种半导体堆叠结构，包含基板与至少一个导电体。基板具有至少一个第一导通孔，第一导通孔形成于基板的边缘。导电体位于第一导通孔，导电体以及第一导通孔中的至少一个暴露于基板的边缘。半导体堆叠结构能有效减少基板围绕导电体(以及第一导...

本发明公开了一种三维集成电路(three dimensional integrated circuit；3DIC)封装及其制造方法，三维集成电路封装包含重分布层、多个半导体晶片与多个电性凸块。重分布层具有第一表面以及第二表面，重分布层具...

一种DRAM电路，包括一具有一正常字元线、一第一冗余字元线及一第二冗余字元线直接相邻于该第一冗余字元线之阵列。若该正常字元线是经，该DRAM电路外部之一存储器控制器，指派成要被启动，则该第二冗余字元线被启动。一冗余重写电路是用以响应于该...

本发明公开了一种堆叠封装结构及其制造方法，堆叠封装结构包含第一封装结构。第一封装结构包含第一表面以及相对于第一表面的第二表面，第一封装结构包含至少一个第一晶片、第一重分布层，多个第一凸块。第一晶片的底部具有第一主动区。第一重分布层配置于...

本发明公开了一种凸块结构与堆叠结构，凸块结构包含第一板状结构、第一接触垫、第一接合件以及第二接合件。第一接触垫设置于第一板状结构上。第一接合件设置于第一接触垫上，第一接合件具有第一杨氏模量。第二接合件设置于第一接合件上，第二接合件具有第...

本发明公开了一种封装结构，包含基板、连接单元及光学单元。基板具有表面。连接单元设置于表面上，并包含反射凸块，其中反射凸块设置于基板的表面，并具有开口。光学单元连接于基板的表面，并用以接收来自连接单元的光束，其中光学单元在基板上的垂直投影...

本公开涉及一种半导体结构及其制造方法。一种半导体结构的制造方法包含：提供一基板与位于该基板上方的一晶片；配置该基板于一第一模具件上方；配置一第二模具件于该基板上方，以囊封该晶片；配置一模制材料于该晶片附近；形成一模制物于该基板上方且于该...

本发明公开了一种半导体封装与其制造方法，半导体封装包含半导体晶片、中介层、第一重分布层与模料。半导体晶片具有相对的第一表面与第二表面以及至少一个侧壁。侧壁连接第一表面与第二表面。中介层置于半导体晶片的第一表面上。第一重分布层置于半导体晶...

本发明公开了一种半导体封装体及其制造方法，该半导体封装体的制造方法包含：在基底上设置阻流支撑结构，其中基底具有活跃区域以及围绕活跃区域的间隔区域，且阻流支撑结构位于间隔区域中；接续地，在基底的活跃区域上设置晶粒结构；以及，在间隔区域注入...

本发明公开了一种波导，包含基板、多层包覆层、第一介电层、第二介电层及第三介电层。包覆层位于基板上，并在基板上定义出至少一个隧道，且包覆层的其中至少一个的材料包含金属。第一介电层设置于隧道中，并具有第一折射率。第二介电层设置于隧道中，并具...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一基板，该基板包含一第一表面、与该第一表面对立的一第二表面、以及自该第一表面朝向该第二表面凹陷的一凹部；一传导层，位于该第一表面上方且位于该凹部内；以及一保护层，位于该第一表面上方且...

一种半导体结构包含一基板；位于该基板上方的一接垫；位于该基板上方、局部覆盖该接垫且包含一突出部的一保护层，其中该突出部自该第一保护层突出且远离该基板；位于该第一保护层与自该第一保护层暴露的该接垫的一部分上方的一传导层；以及位于该传导层上...

本发明公开了一种半导体封装体及其制造方法，该制造方法包含：提供具有第一表面以及相对第一表面的第二表面的中介层，其中中介层包含多个贯通特征，嵌入在中介层中且自中介层的第一表面朝向第二表面延伸，其中贯通特征可形成具有多个重复的多边形单元的图...