半导体封装体及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装体及其制造方法，该半导体封装体的制造方法包含：在基底上设置阻流支撑结构，其中基底具有活跃区域以及围绕活跃区域的间隔区域，且阻流支撑结构位于间隔区域中；接续地，在基底的活跃区域上设置晶粒结构；以及，在间隔区域注入铸型化合物，以将阻流支撑结构以及晶粒结构铸型在铸型化合物中。通过在基底上设置阻流支撑结构，部分地阻碍注入的铸型化合物的流动，以改变铸型化合物的流场，使得注入铸型化合物可更容易地完全覆盖基底、设置在基底上的半导体元件以及阻流支撑结构。因此，可提高半导体封装体的合格率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装体及其制造方法
本专利技术是有关于一种半导体封装体及其制作方法。
技术介绍
应用半导体封装技术，半导体产品可被更密集地形成集成，且在微缩至更小尺寸的情形下提供更佳的执行效能。因此，为了满足不同的半导体封装体的需求，用以形成半导体封装体的方法，像是打线接合工艺、倒晶封装工艺以及晶圆级封装等，也不断的发展。其中有些半导体封装的方法通过将半导体元件铸形至铸形化合物中来形成半导体封装体，使得半导体封装体中的一个或多个半导体元件可受到铸形化合物的保护。然而，在铸形化合物的制造过程中，容易在部分的半导体封装体上产生缺陷。举例来说，当注入铸形化合物用以包覆半导体元件时，可能会有空乏的空间在铸形化合物中被创造，进而在固化后成为铸形化合物的缺陷。而这些在形成过程中具有缺陷的半导体封装体是无法应用的，因此，铸形化合物的缺陷会降低半导体封装体的合格率，并进一步地增加制造半导体封装体的成本。由此可见，上述半导体封装体的制作方法与半导体封装体现有的架构，显然仍存在不便与缺陷，而有待加以进一步改进。为了解决上述问题，相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的方式被发展完成。因此，如何能活跃解决上述问题，实属当前重要研发课题之一，也成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的一目的是有关于一种半导体封装体的制造方法，其通过在基底上设置阻流支撑结构，阻碍注入的铸型化合物的流动，并改变铸型化合物的流场，使得注入铸型化合物可还容易地完全覆盖基底、设置在基底上的半导体元件以及阻流支撑结构。因此，本专利技术的制造方法可提高半导体封装体的生产率。根据本专利技术一个或多个实施方式，提供一种用以半导体封装体的制造方法。该制造方法包含在基底上设置阻流支撑结构，其中基底具有活跃区域以及围绕活跃区域的间隔区域，且阻流支撑结构位于间隔区域中；接续地，在基底的活跃区域上设置晶粒结构；以及，在间隔区域注入铸型化合物，以将阻流支撑结构以及晶粒结构铸型在铸型化合物中。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的间隔区域可具有至少一个第一通道。第一通道沿平行基底的第一方向延伸。在基底上设置阻流支撑结构的步骤包含在第一通道上设置阻流支撑结构。在间隔区域注入铸型化合物的步骤包含沿第一方向注入铸形化合物。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的间隔区域可还具有至少一个第二通道。第二通道沿平行基底且相异于第一方向的第二方向延伸。第二通道与第一通道相交。在基底上设置阻流支撑结构的步骤包含在第一通道与第二通道的相交处设置阻流支撑结构。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的阻流支撑结构具有邻近基底的第一端以及远离基底的第二端。第一端的端面面积大于或等于第二端的端面面积。在本专利技术一个或多个实施方式中，在上述的阻流支撑结构中，阻流支撑结构的截面积自第二端逐渐增加到第一端。在本专利技术一个或多个实施方式中，在上述的阻流支撑结构中，阻流支撑结构的第一端与第二端之间所连接的表面为平面。在本专利技术一个或多个实施方式中，在上述的阻流支撑结构中，阻流支撑结构的第一端与第二端之间所连接的表面为曲面。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的阻流支撑结构具有中间部以及多个端部。端部将中间部夹在其中。中间部的截面积小于端部的截面积。在基底上设置阻流支撑结构的步骤包含将端部的其中之一固接到基底上。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的方法还包含在注入铸型化合物时，逐渐地固化铸型化合物。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的在基底的活跃区域上设置晶粒结构的步骤包含固接至少一个上方层晶粒至下方层晶粒，以形成晶粒结构；以及，固接下方层晶粒至基底的活跃区域上。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的方法还包含在注入铸型化合物前，自晶粒结构的顶面连接至少一个金属线到基底。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的方法还包含沿平行基底的多个预切割线切割铸型化合物与基底，将晶粒结构分别独立。其中，预切割线在基底的投影与至少一个阻流支撑结构相重叠。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的方法还包含在注入铸型化合物前，设置一平面在阻流支撑结构以及晶粒结构上方。根据本专利技术另外的一个或多个实施方式，提供一种用以半导体封装体的制造方法，包含在基底上设置多个阻流支撑结构，其中基底具有多个活跃区域以及围绕活跃区域的间隔区域，且阻流支撑结构位于间隔区域中；接续地，在基底的活跃区域上分别设置多个晶粒结构；以及，在间隔区域注入铸型化合物，以将多个阻流支撑结构以及多个晶粒结构铸型在铸型化合物中。根据本专利技术另外的一个或多个实施方式中，上述的间隔区域具有多个第一通道，沿平行基底的第一方向延伸，其中在基底上设置多个阻流支撑结构的步骤包含在多个第一通道上设置多个阻流支撑结构，其中在间隔区域注入铸型化合物的步骤包含沿第一方向注入铸形化合物。本专利技术的另一目的是有关于一种半导体封装体，其通过在半导体封装体的边角处设置支撑结构加强半导体封装体，使得半导体封装体可较佳地减少或避免应力所引起的翘曲发生。根据本专利技术另外的一个或多个实施方式，提供一种半导体封装体。半导体封装体包含基底、晶粒结构、至少一个支撑结构以及铸型化合物。基底具有中央区域以及邻近基底的边缘的至少一个边角区域。晶粒结构设置在基底的中央区域上。支撑结构设置在基底的边角区域。铸型化合物覆盖至少部分的基底以及支撑结构，且铸型化合物环绕晶粒结构的至少部分。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的铸型化合物的至少一个表面暴露部分的支撑结构。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的支撑结构具有邻近基底的第一端以及远离基底的第二端。其中，第一端的端面面积大于或等于第二端的端面面积。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的支撑结构具有中间部以及多个端部，端部将中间部夹在其中，中间部的截面积小于端部的截面积。在本专利技术一个或多个实施方式中，上述的半导体封装体还包含至少一个金属线。金属线连接在中央区域未覆盖有晶粒结构的区域以及晶粒结构的顶面之间。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，结合附图说明如下：图1为根据多个不同的实施方式的半导体封装体的制造方法的流程图。图2至图7为根据多个不同的实施方式的半导体封装体在制造过程中不同阶段的等角示意图。图8A至图8F为根据多个不同的实施方式的阻流支撑结构的立体图。图9为根据其他多个不同的实施方式的半导体封装体在制造过程中的等角示意图。图10A至图10C为根据多个不同的实施方式的半导体封装体的俯视示意图。除非有其他表示，在不同附图中相同的号码与符号通常被当作相对应的部件。这些图示的绘示为清楚表达这些实施方式的相关关联而非绘示其实际尺寸。具体实施方式以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。当一个元件被称为“在…上”时，它可泛指该元件直接在其他元件上，也可以是有其他元件存在于两者之中。相反地，当一个元件被称为“直接在”另一个元件，它是不能有其他元件存在于两者之中间。如本文所用，词汇“与/或”包含了列出的关联项目中的一个或多个的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装体的制造方法，其特征在于，包含：在基底上设置至少一个阻流支撑结构，其中所述基底具有至少一个活跃区域以及围绕所述活跃区域的至少一个间隔区域，且所述阻流支撑结构位于所述间隔区域中；在所述基底的至少一个所述活跃区域上设置至少一个晶粒结构；以及在所述间隔区域注入铸型化合物，以将所述阻流支撑结构以及所述晶粒结构铸型在所述铸型化合物中。

【技术特征摘要】
2016.09.30 US 15/281,1001.一种半导体封装体的制造方法，其特征在于，包含：在基底上设置至少一个阻流支撑结构，其中所述基底具有至少一个活跃区域以及围绕所述活跃区域的至少一个间隔区域，且所述阻流支撑结构位于所述间隔区域中；在所述基底的至少一个所述活跃区域上设置至少一个晶粒结构；以及在所述间隔区域注入铸型化合物，以将所述阻流支撑结构以及所述晶粒结构铸型在所述铸型化合物中。2.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，所述间隔区域具有至少一个第一通道，沿平行所述基底的第一方向延伸，其中所述在所述基底上设置所述阻流支撑结构的步骤包含在所述第一通道上设置所述阻流支撑结构，其中所述在所述间隔区域注入所述铸型化合物的步骤包含沿所述第一方向注入所述铸形化合物。3.如权利要求2所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，所述间隔区域还具有至少一个第二通道，沿平行所述基底且相异于所述第一方向的第二方向延伸，且所述第二通道与所述第一通道相交，其中所述在所述基底上设置所述阻流支撑结构的步骤包含在所述第一通道与所述第二通道的相交处设置所述阻流支撑结构。4.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，所述阻流支撑结构具有邻近所述基底的第一端以及远离所述基底的第二端，其中所述第一端的端面面积大于或等于所述第二端的端面面积。5.如权利要求4所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，在所述阻流支撑结构中，所述阻流支撑结构的截面积自所述第二端逐渐增加到所述第一端。6.如权利要求4所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，在所述阻流支撑结构中，所述阻流支撑结构的所述第一端与所述第二端之间所连接的表面为平面。7.如权利要求4所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，在所述阻流支撑结构中，所述阻流支撑结构的所述第一端与所述第二端之间所连接的表面为曲面。8.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，所述阻流支撑结构具有中间部以及将所述中间部夹在其中的多个端部，所述中间部的截面积小于所述端部的截面积，其中所述在所述基底上设置所述阻流支撑结构的步骤包含将所述多个端部的其中之一固接到所述基底上。9.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，还包含在注入所述铸型化合物时，逐渐地固化所述铸型化合物。10.如权利要求1所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，所述在所述基底的所述活跃区域上设置所述晶粒结构的步骤包含：固...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏均，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71