半导体结构及其制造方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含一第一表面与一第一侧壁；一波导，包含沿着该第一表面配置的一第一部分，以及沿着该第一侧壁且耦合该第一部分的一第二部分；以及一反射件，位于该波导上方，其中该反射件包含一反射表面，位于该第一部分与该第二部分之间且经配置以将光自该第一部分导引至该第二部分，反之亦然。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本公开涉及一种半导体结构，特别涉及在该半导体结构中的一反射件(reflectivemember)。再者，本公开涉及一种具有反射件的半导体结构的制造方法。
技术介绍
半导体元件对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体元件的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体元件的尺度微小化，具有不同功能的各种形式与尺寸的半导体元经整合且封装于单一模块中。再者，实施许多制造步骤以整合各种形式的半导体元件。然而，半导体元件的制造与整合涉及多复杂的步骤与操作。整合具有低轮廓(profile)与高密度的半导体元件变得越来越复杂。制造与整合半导体元件的复杂度增加可能造成缺陷，例如电互连不良、信号干扰、组件脱层、不理想的传送速度或是高产量损失。据此，持续需要改良半导体元件的结构与制造工艺。上文的「现有技术」说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
本公开的实施例提供一种半导体结构，包括一基板，包含一第一表面与一第一侧壁；一波导，包含沿着该第一表面配置的一第一部分，以及沿着该第一侧壁配置且耦合该第一部分的一第二部分；以及一反射件，位于该波导上方，其中该反射件包含一反射表面，位于该第一部分与该第二部分之间且经配置以将光自该第一部分导引至该第二部分，反之亦然。在本公开的一些实施例中，该波导位于该基板与该反射件之间，以及光可沿着该波导且于该波导内传送。在本公开的一些实施例中，该基板的该第一表面与该基板的该第一侧壁实质正交，或该波导的该第一部分与该波导的该第二部分实质正交。在本公开的一些实施例中，该基板包含一插塞，延伸穿过该基板，以及该波导的该第二部分位于该插塞内。在本公开的一些实施例中，该反射件包含一突出部，突出至该第一部分朝向该第二部分，以及该突出部包含位于其上的该反射表面。在本公开的一些实施例中，该突出部位于该插塞上方并且向该插塞突出。在本公开的一些实施例中，该突出部位于该波导的该第一部分与该第二部分之间。在本公开的一些实施例中，该波导包含一凹部，以及该突出部位于该凹部内。在本公开的一些实施例中，该波导为透明的或是可透光的。在本公开的一些实施例中，该波导包含玻璃、二氧化硅、或空气。在本公开的一些实施例中，该反射件包含反射或金属材料。本公开的实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括提供一基板，包含一第一表面以及与该第一表面对立的一第二表面；形成一第一凹部，自该第一表面向该第二表面延伸；形成一波导，位于该第一表面上方且位于该第一凹部内；形成一第二凹部于该波导上方并且向该第一凹部延伸；形成一反射件，位于该波导上方且位于该第二凹部内；以及自该第二表面研磨该基板，以暴露位于该第一凹部内的该波导的一部分。在本公开的一些实施例中，该第二凹部位于该第一凹部上方。在本公开的一些实施例中，在研磨该基板之后，形成延伸穿过该基板的一插塞。在本公开的一些实施例中，该反射件包含位于该第二凹部内的一突出部，以及该突出部包含一反射表面，与该第二凹部的一侧壁交界。在本公开的一些实施例中，该第二凹部向该第一凹部变窄(tapered)。在本公开的一些实施例中，形成该反射件包含配置一反射或金属材料于该波导上方且于该第二凹部内。在本公开的一些实施例中，通过溅镀或电镀，配置该反射或金属材料。在本公开的一些实施例中，形成该波导包含配置一透明的或可透光的材料于该基板上方且于该第一凹部内。在本公开的一些实施例中，通过旋涂或化学气相沉积(chemicalvapordeposition，CVD)，配置该透明的或可透光的材料。本公开涉及一种半导体结构，包括一反射件，用于自该基板的一侧导引光或一电磁信号至该基板的另一侧。因此，可经由该基板传送该光或该电磁信号，并且可增加该光或该电磁信号自该基板的一侧至该基板的另一侧的传送速度。因此，改良该半导体结构的整体效能。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，俾使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开本领域技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开本领域技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅详细说明与权利要求结合考虑附图时，可得以更全面了解本申请案的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1为剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构。图2为剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构。图3与图4为剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构，反射件的具有各种形状的突出部分。图5为流程图，例示本公开实施例的半导体结构的制造方法。图6至图11为示意图，例示本公开实施例通过图5的方法制造半导体结构的工艺。附图标记说明：100半导体结构101基板101a第一表面101b第二表面101b’新的第二表面101c第一侧壁101d插塞102波导102a第一部分102b第二部分103反射件103a反射表面103b突出部200半导体结构300半导体结构E轴α角β角θ角具体实施方式本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开的实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。「一实施例」、「实施例」、「例示实施例」、「其他实施例」、「另一实施例」等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用「在实施例中」一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。本公开涉及一种半导体结构，包括一反射件，用于自基板的一侧导引光或电磁信号至该基板的另一侧。因此，本公开涉及一种半导体结构的制造方法，包括形成具有一反射表面或一突出部分的一反射件，用于自该基板的一侧导引光或电磁信号至该基板的另一侧。为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制该技艺中的技术人士已知的特定细节。此外，已知的结构与步骤不再详述，以免不必要地限制本公开。本公开的较佳实施例详述如下。然而，除了详细说明之外，本公开亦可广泛实施于其他实施例中。本公开的范围不限于详细说明的内容，而是由权利要求定义。通过一些操作，制造包含各种半导体元件的电子装置。在该制造过程中，将具有不同功能与尺寸的半导体元件整合于单一模块中。该等半导体元件的电路经由多个传导迹线整合与连接。经由该等传导迹线，通过自一元件传送一电子信号至另一元件，该等半导体元件彼此通信。然而，该等半导体元件之间的此等传送可能无法满足半导体元件之间高需求。例如，该等半导体元件之间通过传导迹线的传送速度可能无法满足此高需求。因此，电子装置的效能可能不是理想的程度。本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一基板、包含一第一部分与一第二部分的一波导，以及位于该波导上方的一反射件。该反射件包含位于该第一部分与该第二部分之间的反射表面，因而光或电磁信号可自该波导的该第一部分被导引与传送至该波导的该第二部分，反之亦然。光或电磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：一基板，包含一第一表面与一第一侧壁；一波导，包含沿着该第一表面配置的一第一部分，以及沿着该第一侧壁配置且耦合该第一部分的一第二部分；以及一反射件，位于该波导上方；其中该反射件包含一反射表面，位于该第一部分与该第二部分之间，并且经配置以将光自该第一部分导引至该第二部分。

【技术特征摘要】
2017.01.19 US 15/410,5931.一种半导体结构，包括：一基板，包含一第一表面与一第一侧壁；一波导，包含沿着该第一表面配置的一第一部分，以及沿着该第一侧壁配置且耦合该第一部分的一第二部分；以及一反射件，位于该波导上方；其中该反射件包含一反射表面，位于该第一部分与该第二部分之间，并且经配置以将光自该第一部分导引至该第二部分。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该波导位于该基板与该反射件之间，以及光可沿着该波导且于该波导内传送。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基板的该第一表面与该基板的该第一侧壁实质正交，或是该波导的该第一部分与该波导的该第二部分实质正交。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基板包含延伸穿过该基板的一插塞，以及该波导的该第二部分位于该插塞内。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该反射件包含一突出部，朝向该第二部分突出至该第一部分中，以及该突出部包含位于其上的该反射表面。6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该突出部位于该插塞上方且向该插塞突出。7.如权利要求5所述的半导体结构，其中该突出部位于该波导的该第一部分与该第二部分之间。8.如权利要求5所述的半导体结构，其中该波导包含一凹部，以及该突出部位于该凹部内。9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该波导为透明的或是可透光的。10.如权利要求1所述的半导体结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏均，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71