半导体结构及其制造方法技术

本公开涉及一种半导体结构及其制造方法。一种半导体结构的制造方法包含：提供一基板与位于该基板上方的一晶片；配置该基板于一第一模具件上方；配置一第二模具件于该基板上方，以囊封该晶片；配置一模制材料于该晶片附近；形成一模制物于该基板上方且于该晶片附近；移除该第一模具件；移除该第二模具件；其中该第一模具件包含一曲面，该曲面朝向该基板、该晶片或该第二模具件突出。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本公开涉及一种半导体结构，该半导体结构包括基板与位于基板上方的晶片，其中基板的曲率为正或约为零。再者，半导体结构的制造方法包括配置基板于模具件的曲面上方或将模具件的温度加热至实质大于成形温度。
技术介绍
半导体装置对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体装置的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体装置的规模微小化，晶圆级晶片规模封装(waferlevelchipscalepackaging，WLCSP)是广泛用于制造。在此等小半导体装置内，实施许多制造步骤。然而，微型化规模的半导体装置的制造变得越来越复杂。半导体装置与许多集成组件组合在一起，该集成组件包含具有不同热性质的各种材料。由于具有不同材料的许多组件组合在一起，半导体装置的制造操作复杂度增加。因此，持续需要改良半导体装置的制程并且解决上述缺陷。上文的「现有技术」说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
本公开的实施例提供一种半导体结构的制造方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，包括：提供一基板与位于该基板上方的一晶片；配置该基板于一第一模具件上方；配置一第二模具件于该基板上方，以囊封该晶片；配置一模制材料于该晶片附近；形成一模制物于该基板上方且于该晶片附近；移除该第一模具件；以及移除该第二模具件，其中该第一模具件包含一曲面，该曲面朝向该基板、该晶片或该第二模具件突出。

【技术特征摘要】
2016.10.25 US 15/333,9331.一种半导体结构的制造方法，包括：提供一基板与位于该基板上方的一晶片；配置该基板于一第一模具件上方；配置一第二模具件于该基板上方，以囊封该晶片；配置一模制材料于该晶片附近；形成一模制物于该基板上方且于该晶片附近；移除该第一模具件；以及移除该第二模具件，其中该第一模具件包含一曲面，该曲面朝向该基板、该晶片或该第二模具件突出。2.如权利要求1所述的制造方法，其中该基板位于该曲面上方。3.如权利要求1所述的制造方法，其中该曲面为一凸面架构。4.如权利要求1所述的制造方法，其中该曲面包含不等于零的曲率。5.如权利要求4所述的制造方法，其中在该模制物形成之前，该基板的曲率是与该曲面的曲率相同。6.如权利要求4所述的制造方法，其中在该模制物形成之后，该基板的曲率是自该曲面的曲率改变为零。7.如权利要求1所述的制造方法，其中在该模制物形成之前，该基板的曲率是不等于零。8.如权利要求1所述的制造方法，其中在该模制物形成之前，该基板的曲率是零。9.如权利要求1所述的制造方法，其中在该模制物形成之前与之后，该基板的曲率是不同。10.如权利要求1所述的制造方法，其中在该模制物形成之后，该基板的曲率降低。11.如权利要求1所述的制造方法，其中在该模制物形成之后，该基...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏均，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71