本发明提供一种打线接合的方法以及封装结构，该方法包括下列步骤：首先，提供基板；基板包括至少一金属垫；接着，设置第一芯片于基板上，且第一芯片包括至少一第一接垫；接着，形成金属球块于对应的金属垫上；接着，由金属球块形成第一导线至对应的第一接...

本发明公开了一种DRAM模块、DRAM字元线电压控制电路及控制方法，该动态随机存取存储器(DRAM)字元线电压控制电路包括感测模块、振荡器及充电泵。感测模块用于接收第一控制信号及对应于字元线电压信号的回授信号，并根据产生第一控制信号及对...

本发明公开了一电子装置和整合型非挥发性存储器，其中整合型非挥发性存储器包括有:作为一只读存储器的一第一存储器区块；以及作为一随机存取存储器的一第二存储器区块，其中所述非挥发性存储器是应用于一电子装置。本发明的有益之处在于，一整合型非挥发...

本发明公开了一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件具有颈部鳍结构。半导体元件包括一基底；多数个鳍结构，设在该基底上，其中，各该鳍结构具有一下部分和一颈部上部分；以及一绝缘体，设置在该多数个鳍结构之间，与该鳍结构的下部分齐平。

一种具有芯片测试结果信息的芯片与检查芯片测试结果的方法在此揭露。芯片包含芯片基板与设置在芯片基板上的记录模块。记录模块用以记录代表芯片是否通过芯片测试的状态代码。其方法包含下列步骤：对芯片执行芯片测试；以及在芯片的记录模块中记录状态代码...

本发明公开了一种存储器装置，包含：学习电路、数据闪控传送路径、数据传送路径、数据闩锁电路及相位监测电路。当存储器装置位于学习模式，至少一个数据传送路径进行学习程序。相位监测电路监测数据闪控传送路径与数据传送路径间的信号的相位差，以对数据...

本发明公开了一种应用于动态随机存取存储器的预先充电方法，该方法包含以下步骤：禁能主动阵列中的多条字元线；平衡主动阵列以及参考阵列中的多条数位线的电压至电源供应电压的一半；禁能参考阵列中的多条字元线；以及预充主动阵列以及参考阵列中的多条数...

本发明公开了一种电容器及其制作方法，所述电容器包括一基材、一堆叠层、设于基材上的容器状储存节点结构，所述容器状储存节点结构位于基材上，其被堆叠层环绕且具有一基部及由基部向上延伸的一侧壁，其中所述侧壁的上部具有较小厚度的一电容介电材料层，...

本发明提供一种用于存储器装置的数据缓冲器的电压产生器，该电压产生器包括偏压产生器和电压箝位电路；所述偏压产生器接收参考电压且根据所述参考电压而产生偏压；所述电压箝位电路耦接到所述偏压产生器；所述电压箝位电路接收供电电压和所述偏压，且通过...

本发明公开了一种三维集成电路及其控制方法。该三维集成电路包含主电路、从属电路及硅穿孔。主电路用来接收及处理输入数据、数据选通信号及输入命令以输出数据写入信号给主晶粒。硅穿孔电性耦接于主电路及从属电路之间。主电路通过硅穿孔来传送数据写入信...

本发明的内连线结构的一实施例，包含一基板；一第一绝缘层，设置于该基板之上，其中该第一绝缘层具有复数个介层洞，且一第一导电材料填满该复数个介层洞；一第二绝缘层，设置于该第一绝缘层之上，其中该第二绝缘层具有复数个沟槽，且一第二导电材料填满该...

本发明关于一种改性多晶硅的方法，其包含下列步骤：提供多晶硅层，将氮原子注入多晶硅层至预定深度，蚀刻注入氮原子的多晶硅层，其中氮化的多晶硅层经由蚀刻去除后，剩下的多晶硅层被暴露出来且与原本的多晶硅层并无明显的差异。

本发明公开了一种存储器装置与控制方法。存储器装置包含延迟锁定回路模块、存储器库模块与控制模块。延迟锁定回路模块用来在被控制信号启动后，产生系统时脉信号。存储器库模块用来根据系统时脉信号与读取指令或写入指令，而进行读取或写入多个资料信号。...

本发明提供一种液体蚀刻剂组成物以及蚀刻过程。提供一基板。在基板上，有硅层以及在硅层中的多个金属电极。使用液体蚀刻剂组成物来移除硅层。液体蚀刻剂组成物包括主蚀刻剂、至少一添加剂以及水。主蚀刻剂由氢氧化四甲基铵（TMAH）所组成、由NH4O...

本发明公开了一种动态随机存取存储器与选择性地执行刷新操作的方法。所述动态随机存取存储器包括二进制计数器，所述二进制计数器用以接收外部命令来执行刷新操作，以及在每次接收到外部命令的时候，增加计数值。其中所述刷新操作会根据所述二进制计数器的...

一种芯片封装结构包含一芯片。芯片的两侧分别设置复数个第一接垫及复数个第二接垫。该复数个第一接垫对应地电性连接一芯片选择电极、该复数个第二接垫及外露的导体。互相电性连接的第一接垫与第二接垫在垂直方向上并非对齐，且是使用垂直连接件及内导体相...

本发明公开了一种集成电路以及调整所述集成电路的工作周期的方法。所述集成电路包括：温度传感器，用以感测所述集成电路的当前温度，并且据以产生温度信息；以及工作周期调整电路，耦接于所述温度传感器。所述工作周期调整电路包括：温度补偿相位滤波器，...

本发明提供一种框中框重叠标记，所述框中框重叠标记包括内框区、围绕内框区的外框区、位于内框区和外框区中的前层之中的密集的窄沟槽、在内框区中的密集窄沟槽上方定义出矩形的X向和Y向条状光刻胶图形，以及在外框区中定义出另一矩形的X向和Y向条状图...

本发明公开了一种半位元线高电平电压产生器、存储器装置与驱动方法。该半位元线高电平电压产生器包含控制模块、驱动模块与监测模块。控制模块根据更新信号与半位元线高电平电压产生第一控制信号与第二控制信号。驱动模块根据第一控制信号与第二控制信号产...

本发明公开了一种凹入式沟道存取晶体管器件及其制造方法，所述晶体管器件包括：一半导体衬底，其上具有一沟渠，自半导体衬底的一主表面延伸至一预定深度；一埋入式栅极，设于沟渠的一下部；一栅极氧化层，设于埋入式栅极与半导体衬底之间；一漏极掺杂区，...