本发明涉及背面穿硅通孔与金属连线制法、和背面用的光掩模制法。背面穿硅通孔与金属连线制法包括：将具有穿孔中间制作技术制得的穿硅通孔的半导体基板的正面形成一凸块并与载板结合、将半导体基板的背面薄化以露出穿硅通孔、于半导体基板的背面涂布光敏性...

本发明提供一种边界扫描测试接口电路。边界扫描测试接口电路包括N个测试输入垫、测试接口模块和M个测试输出垫，其中N和M为正整数，且M小于N。测试接口模块耦接至这些测试输入垫。测试接口模块具有多个逻辑门，且各个逻辑门的各个输入接脚耦接至各个...

本发明公开了一种由多个基底叠合而成的穿硅孔堆叠结构，其中每个基底都包含多个渐缩式的穿硅孔，每个渐缩式穿硅孔较粗的一端会具有一凹部，较细的一端则从基底中凸出，基底会以其每个渐缩式穿硅孔的较细端装入另一渐缩式穿硅孔式的较粗端对应凹部中并与其...

本发明公开了一种可以免于使用部分脉冲的转换器，包含：至少一转换级，用以依据指令信号来接收外部时钟信号或指令触发时钟信号以产生采样信号；以及指令触发时钟信号产生电路，用以依据所述指令信号来产生所述指令触发时钟信号。假如所述指令触发时钟信号...

本发明提供一种密集导线及其接触垫的图案的形成方法与存储器阵列。密集导线及其接触垫的图案的形成方法包括：在基底上形成平行基线图案，然后修剪各基线图案。接着在经修剪的基线图案的侧壁上形成间隙壁形态的衍生线图案及衍生横向图案，其中衍生横向图案...

本发明公开了一种决策反馈等化器，包含一放大器电路和一锁存器。该放大器电路设定以接收一输入信号、一决策反馈信号和一控制信号，并根据该决策反馈信号和该控制信号以调整其驱动能力以提供该输入信号的放大信号。该锁存器设定以锁存该放大信号以作为输出...

本发明提供一种叠对标记及其形成方法，该方法包括：在基底上形成多条光致抗蚀剂图案。每一光致抗蚀剂图案包括第一条状物以及并排的多个第二条状物。所述第一条状物与所述第二条状物交错而呈栅状，并且相邻的两个光致抗蚀剂图案之间有空隙，且所述空隙呈栅...

本发明提供一种产生辅助图案的方法。提供多个主图案。由主图案中选择第一主图案，在其周围配置多个规则导向图案。在第一主图案周围产生模式导向图案。从规则导向图案中提取出与模式导向图案重叠率达到一目标值的重叠布林图案。以重叠布林图案作为辅助图案...

本发明公开了一种沟槽结构的制造方法，包括在一基板上形成一缓冲层及位于缓冲层上的一硬式掩模层。在硬式掩模层上定义出至少一第一开口区及多个第二开口区，其中第一开口区大于每一第二开口区。对第一开口区及第二开口区实施一第一蚀刻工艺，以在缓冲层内...

本发明公开了一种内存阵列结构，包含有：多个长菱形有源区域位于一基板中，其中各个长菱形有源区域具有一对长边及一对短边；一第一浅沟绝缘结构，其紧贴着所述长边沿着一第一方向延伸，其中所述第一浅沟绝缘结构具有单一深度d1；以及一第二浅沟绝缘结构...

本发明提供一种选择性蚀刻方法，包括下列步骤：提供一硅基板；在该硅基板上形成一图案化硅氧化物罩幕；以及导入一混合气体对该硅基板进行蚀刻，用以在该硅基板中形成一狭缝，并同时完全移除该图案化硅氧化物罩幕，其中该混合气体包括氟碳气体与卤素气体，...

本发明提供一种双重图案化的方法。首先，提供基底，此基底包括第一区及第二区。接着，在基底上形成目标层。然后，在目标层上形成第一图案化的光致抗蚀剂层，此第一图案化的光致抗蚀剂层在第一区具有多个开口，并且在第二区上的第一图案化的光致抗蚀剂层至...

本发明提供一种延迟线电路、延迟锁相回路以及测试系统，延迟线电路包括延迟线部及反馈选择部。延迟线部接收输入时脉信号以及反馈时脉信号，延迟输入时脉信号及反馈时脉信号之一以产生输出时脉信号，其中延迟线部包括多个延迟单元互相串联连接。反馈选择部...

本发明公开了一种制作凹入式信道存储晶体管装置的方法，包括：提供半导体基材，基材上具有凹槽；在凹槽中形成栅极介电层；在凹槽中沉积栅极材料层；在栅极材料层上形成介电盖层；图案化介电盖层和栅极材料层以形成栅极图案；在栅极图案上形成衬垫层；在栅...

本发明提供一种用于时钟延迟调整的锁相环路以及方法。所述方法包含以下步骤：产生参考时钟信号以及时钟信号。通过N分频器馈送参考时钟信号，以产生频率为参考时钟信号的1/N的输出时钟信号。在相位频率检测器中，根据输出时钟信号与耦接到相位频率检测...

本发明公开了一种防间隔工艺以及通过防间隔工艺所产生的半导体结构。所述防间隔工艺包含：(a)提供包含不均匀形状的阻绝层；(b)涂布靶层在所述阻绝层上；(c)提供多个防间隔沟槽于所述靶层与所述阻绝层之间；以及(d)将所述多个防间隔沟槽的至少...

本发明提供一种存储器制造工艺及以其制造的存储器结构。首先提供基底，基底中有沟渠及埋入沟渠中的导线，且基底上有阵列区，其中各个导线有一阵列部分位于阵列区中。在基底上定义与阵列区分离的接触区，其中各个导线有一接触部分位于接触区中。对在导线的...

本发明一实施例提供一种半导体元件及其制作方法，其中该方法包括：提供一第一导电类型的第一多晶硅层于一基板上，基板具有一第一与一第二有源区；对第一多晶硅层的对应第二有源区的部分进行一第一离子注入工艺，并采用一第二导电类型的掺杂物，第二导电类...

本发明提供了一种形成密集间距图案的方法。首先提供一目标图案包含多个第一条状图案，第一条状图案具有一第一宽度以及一第一长度。接着提供一光掩膜具有多个第二条状图案对应于第一条状图案，其中第二条状图案具有一第二宽度以及一第二长度。然后在一曝光...