本发明公开静电放电保护装置及电路，包括一P型基板；一N型阱区形成于P型基板上；至少一P型掺杂区形成于N型阱区上，其中该至少一P型掺杂区与一受保护的电路的一输入/输出端电性连接；一第一N型掺杂区，形成于P型基板上，其中该第一N型掺杂区与一...

本发明公开了一种半导体装置及制备方法，该半导体装置包含一基材、一字元线、一绝缘材料，以及一蚀刻停止材料。基材包含一柱体，且该柱体包含一有源区。字元线形成于基材上。绝缘材料形成于字元线上。蚀刻停止材料形成于绝缘材料上并围绕着柱体。蚀刻停止...

本发明提供一种半导体制造工艺及半导体结构，用于埋入式数字线存储器阵列。在半导体基板中形成第一沟渠。在第一沟渠的侧壁上形成衬层。在第一沟渠下方的基板中形成第二沟渠。在第二沟渠底部形成罩幕层。以衬层及罩幕层作为罩幕，进行等向性掺杂制造工艺，...

本发明公开了一种存储模块及电连接器，该存储器模块包含第一及第二存储模块。第一存储模块包含一第一电路板，其包含一第一侧缘、一第二侧缘、一前缘、形成于前缘的一第一接脚缺口和位在第一侧缘与前缘的一角缺口，其中多个接脚沿前缘排列，且第一侧缘较第...

本发明公开了一种存储装置及其制备方法，该存储装置包含一基材、第一和第二沟渠隔离、多个线形隔离、一第一字元线，以及一第二字元线。基材包含一主动区，其中该主动区包含一源极区域和一漏极区域。第一和第二沟渠隔离可相互平行延伸。多个线形隔离可与第...

本发明公开了一种半导体结构，包含有一半导体基底，其上具有多个深沟渠及位在所述多个深沟之间的多个柱体结构，其中各所述柱体结构包含一上部及一下部；一掺杂区，位于各所述柱体结构的下部；以及一扩散阻障层，位于所述下部的一侧壁上。

具有多个温度传感器的动态随机存取存储器(DRAM)及其控制方法。根据本发明一种实施方式所实现的DRAM提供多区温度检测。所述DRAM包括多个存储器库、多个温度传感器以及一控制单元。所述多个温度传感器布置于所述多个存储器库之间。该控制单元...

本发明公开了一种半导体装置及其制备方法，该半导体装置包含一基材、一绝缘层、一非掺杂硅层，以及一硅材料。基材包含一掺杂区。绝缘层形成于基材上。绝缘层可包含与掺杂区对应的一接点孔。非掺杂硅层形成于掺杂区上。硅材料从非掺杂硅层开始填充接点孔。...

本发明公开了一种用来验证片外驱动器的阻抗的测试电路和用来验证片外驱动器的阻抗的方法。所述测试电路包含：多个片外驱动器，每一片外驱动器包含硅通孔；参考电流测试垫，用来驱动电流到多个片外驱动器；多个前驱动器，每一前驱动器个别耦接到片外驱动器...

本发明公开了一种用以对低功率动态随机存取存储器中的低电压电源域充电的系统和方法。所述系统包含：第一电容，用以提供本地域电源供电电压；第一晶体管，耦接到所述第一电容与电源且由电源关闭信号来开启，用以在电源关闭模式下将所述第一电容分离，以及...

本发明公开了一种双垂直沟道晶体管，包括音叉型基底，其包括两个尖叉部；埋入式位线，埋入凹槽的底部，其中凹槽位在音叉型基底的两个尖叉部间；第一源/漏极区，位在音叉型基底内并紧邻埋入式位线；第二源/漏极区，位在音叉型基底的两个尖叉部的顶部；至...

本发明公开了一种垂直沟道晶体管，包括基底，包括至少一对相对设置的第一凹槽和第二凹槽；一埋入式位线，设置于第一凹槽的底部；第一源/漏极区，电连接于埋入式位线；第二源/漏极区，紧邻第一凹槽的顶部；一绝缘栅极导线，埋入第二凹槽的底部；一外延层...

本发明公开了一种半导体结构，具有位在电容器导电材料和半导体底材间的导电阻挡层。导电阻挡层又被包围电容器导电材料的电介质层围绕，且直接接触电容器导电材料和半导体底材。导电阻挡层作为电连接电容器导电材料和半导体底材的缩减埋藏式连接带结构。

本发明公开了一种存储装置，包括一存储阵列以及至少一阱电压提取区。存储阵列，包括多个垂直晶体管，分别电耦合至相应的字线与埋藏位线，其中字线沿着第一方向延伸，而埋藏位线沿着第二方向延伸。此外，阱电压提取区沿着第二方向穿越存储阵列，将存储阵列...

本发明公开了一种穿硅通孔，包含有基底、第一开孔、第二开孔、第一导电层以及第二导电层。基底具有第一表面以及第二表面。第一开孔设置在基底的第一表面的一侧。第二开孔，设置在基底的第二表面的一侧，第一开孔与第二开孔连接。第一导电层设置在第一开孔...

本发明公开了一种半导体芯片，包括基底、第一穿硅通孔、第一穿硅通孔结构、第二穿硅通孔、第二穿硅通孔结构以及探测垫。第一穿硅通孔设置于基底中、并贯穿上表面，第二穿硅通孔亦设置于基底中、贯穿下表面并与第一穿硅通孔相连通。第一穿硅通孔结构设置于...

本发明公开了一种半导体芯片，包括基底、第一穿硅通孔、第一穿硅通孔结构、第二穿硅通孔、第二穿硅通孔结构以及被动器件。第一穿硅通孔设置于基底中、并贯穿上表面，第二穿硅通孔亦设置于基底中、贯穿下表面并与第一穿硅通孔相连通。第一穿硅通孔结构设置...

本发明公开了本发明公开了一种半导体芯片，包括基底、第一穿硅通孔、第一穿硅通孔结构、第二穿硅通孔以及第二穿硅通孔结构。第一穿硅通孔设置于基底中、并贯穿上表面，第二穿硅通孔亦设置于基底中、贯穿下表面并与第一穿硅通孔相连通。第一穿硅通孔结构设...

本发明公开了一种半导体芯片，包含基底、穿硅通孔结构、上凸块以及绝缘结构。基底具有上表面以及相对于上表面的下表面。通孔设置于基底中，贯穿上表面以及下表面。穿硅通孔结构设置于通孔中，包含第一通孔金属与第二通孔金属。上凸块设置于上表面上，与穿...

本发明公开了一种具有应力保护结构的半导体结构，包括有基底、应力产生元件以及应力保护装置。基底具有第一表面以及第二表面，两个相对设置。应力产生元件设置在基底中。应力保护结构，设置在基底第一表面的一侧，应力保护结构包围应力产生元件，且应力保...