本发明公开了一种存储器阵列，包含有多条字线沿着第一方向延伸；多个存储单元耦合至一第一子位线，所述第一子位线沿着第二方向延伸，且所述第二方向垂直于所述第一方向；一第一选择区域位于所述第一子位线中，而将所述多个存储单元区隔成两个子群组，其中...

本发明公开了一种散热结构的制作方法。首先提供一散热基板，接着于该散热基板的一面形成钻石颗粒或薄膜；于该钻石颗粒或薄膜上涂布一乳胶聚合物层，构成一散热器件，最后将该散热器件与一发热器件结合在一起。由于钻石本身的分子结构为碳-碳链，与乳胶聚...

本发明公开了一种穿硅通孔，其包括一绝缘层，连续的加衬在一凹入过孔结构的一侧壁上；一阻障层，连续的覆盖着该绝缘层；一不连续晶种层，其具有一第一部位，位于该凹入导孔结构的一端开口处；一不连续介电层，其部分地覆盖住该凹入过孔结构的该侧壁；以及...

本发明公开了一种散热结构，包含一发热器件；一散热鳍片，设置于该发热器件上；以及一热接口材料层，设置于该发热器件与该散热鳍片之间，其特征在于：该热界面材料层系将奈米碳管或奈米碳球分散于乳胶聚合物基体。

本发明公开了一种减缓透镜加热用的光掩膜，其包括基板、目标图案和重分配图案。基板包括有效的图案区域，目标图案则位于有效的图案区域中，而用来将目标图案建立到晶圆上。重分配图案也位于有效的图案区域中，而用来将能量重新分配至镜片上，但是又不会被...

本发明公开了一种电容结构，其包含一储存电极、一电容介电层，以及一上电极，位于所述电容介电层上。电容介电层包含一硅掺杂二氧化锆层，或者一ZrSiOx结晶层，其中Si/(Zr+Si)原子含量介于4-9%。电容介电层另包含一TiO2/TiON...

本发明公开了一种决定延迟线结构的量测初始化的量测初始化路径和于延迟线结构执行量测初始化的方法。所述量测初始化路径包含前向路径、第一输出路径及第二输出路径。所述前向路径包含互相串接的多个延迟级。所述第一输出路径耦接于所述前向路径的延迟级的...

本发明公开了一种形成自我对准的套准标记的方法，首先提供位在基材上的一第一区域、一第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的主要特征。第一区域界定出一第一边界而第二区域界定出一第二边界。其次，形成一截切掩膜层分别覆盖第一区域与第二区域并同...

本发明公开一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一半导体基底，具有一第一开口及与其相邻的一第二开口。一第一介电层设置于第一开口的下半部。一电荷捕获介电层设置于第一开口的上半部，以覆盖第一介电层。具有一既定导电类型的一掺杂区形成于邻近第...

本发明提供一种重叠标记及检查对准度的方法。该重叠标记用以检查晶圆上的前层与后层之间的对准度，包括为前层的一部分的前图形，以及为一图案化光阻层的一部分的后图形，此图案化光阻层是用以定义后层。前图形具有两个平行的相对边，其中每一边与晶圆的X...

本发明揭示形成一种金红石结构氧化钛的叠层结构及其制备方法，其包含形成一氧化钌层于一基板上；形成一氧化镨层于该氧化钌层上；形成一氧化钛层于该氧化镨层上；其中形成于该氧化镨层上的氧化钛层具有一金红石结构。该氧化层是由多个原子层沉积周期而形成...

本发明公开了一种工作周期控制电路，用以将目标频率信号的工作周期调整至所须值，包含：第一工作周期调整单元，用以接收第一工作周期控制信号以调整输入频率信号的工作周期来产生第一输出频率信号，以作为该目标频率信号；以及工作周期侦测模块，用以根据...

本发明公开了一种去耦电容值校准装置和去耦电容值校准方法。所述去耦电容值校准装置包含有多个电容、去耦比特状态校准电路及电压检测器。所述多个电容电连接于电源与逻辑电路之间的端点。所述多个电容彼此并联、具有多个电容值、用以进行去耦，以及依据多...

一种改善响应和减少电压降的电压稳压器，包含一输出驱动装置，经配置以提供一输出电压给一输出端；一误差放大器，经配置以参考来自该输出电压的一回馈信号而控制该输出驱动装置；一第一补偿单元，经配置以提供一第一补偿信号以补偿该误差放大器的一输出信...

本发明公开光掩模对位方法、光掩模以及相关的半导体装置。根据所公开的光掩模对位技术，在一半导体装置的一第一制作层上生成多种对位标记设计所对应的多个测试标记以及多个前层对位标记；生成所述多个测试标记的多个测试图样各自具有一第一子图样以及一第...

本发明涉及一种对准标记及其制备方法。对准标记包含多个标记单元，各标记单元包含一第一元件和多个第二元件，各第二元件包含相对的第一和第二端部，其中所述多个第二元件沿一方向排列，而第一元件靠近所述多个第二元件的第一端部延伸并平行所述多个第二元...

本发明提供了一种能降低邻近字线影响的半导体器件，包括有：基底；第一字线，设置在基底中，及漏极/源极掺杂区，设置在第一字线两侧的基底中，其中第一字线具有第一栅极沟渠，设置在基底中；第一栅极电极，设置在第一栅极沟渠内；第一栅极介电层，设置在...

本发明涉及一种增进临界尺度一致性的晶片承载结构。该晶片承载结构包含一晶片载台、多个针孔，以及置于该晶片载台下的一平台。该晶片载台具有承载晶片的一表面，该多个针孔贯穿该晶片载台，该平台包含多个可移动元件，分别支持各针体。该针体沿着垂直于该...

本发明提供一种光罩，适用于微影机台，且光罩包括基板与设置在基板上的光罩图案。光罩图案包括至少一主要图案及多个次解析辅助图案。次解析辅助图案彼此分离设置在主要图案的周围，其中各个次解析辅助图案与主要图案之间的距离为主要图案的线宽的约3倍至...

本发明公开了一种半导体结构，其包含有一基材、一主体结构，位于所述基材上、一侧壁子，设于所述主体结构的一侧壁表面、以及一加强帽盖层，设于所述侧壁子的一上端表面。