晶片承载结构制造技术

本发明专利技术涉及一种增进临界尺度一致性的晶片承载结构。该晶片承载结构包含一晶片载台、多个针孔，以及置于该晶片载台下的一平台。该晶片载台具有承载晶片的一表面，该多个针孔贯穿该晶片载台，该平台包含多个可移动元件，分别支持各针体。该针体沿着垂直于该晶片载台表面的方向突出或缩入该表面。该可移动元件的一端支持针体的底部，另一端分别与一气压、液压、或电压驱动的致动装置相接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种增进临界尺度一致性的晶片承载结构，特别是关于一种能够局部地增进临界尺度一致性的晶片承载结构。
技术介绍
当半导体工业进入次0.1微米世代，整个晶片临界尺度(critical dimension,CD)的控制愈发重要。传统上工业界用电晶体中的栅极长度作为CD的指标，而随着的科技发展，该控制指标提升到3个标准差等级以因应日益缩小的临界尺度。一片晶片中的⑶变化来自于处理前的晶片形状及厚度的不一致。在微光显影的过程中，几乎每一步骤，包含上光阻、加热、曝光、显影、以及蚀刻都增加上述的不一致，严重的情况下，晶片会因弹性变形而产生表面扭曲。这些缺陷将被带入后续的光罩步骤，进一步造成错误的累积。过大的CD变化将严重影响最终每个晶片成品具有不同性能，因此降低良率及利润。不同批号间和不同晶片间的⑶变化经常由先进工艺控制(advanced processcontrol, APC)，亦即，通过 feed-forward 至 feed-forward/feedback 封闭回路等方案掌握平均晶片CD来控管。该等方案收集CD —致性的数据，以更正微光显影步骤过程中造成的微扰，包括曝光剂量的空间变化以及曝光后加热温度的控制，皆内建于一个设计良好的工艺控制架构。然而，上述方法显示晶片表面形貌既不能得到直接的调整，控制上的空间敏感度也不够高。
技术实现思路
本专利技术提供一种利用旧有的⑶一致性数据，通过机械上的矫正，以增进晶片⑶一致性的装置。本专利技术提供的晶片承载结构包含一晶片载台，具有一表面，经配置以承载晶片；贯穿该晶片载台的多个针孔；以及置于该晶片载台下的一平台，该平台承载多根可移动的针体。该各针体具有一轴向长度，大于该各针孔的深度；该针体具有一截面积，约等于该各针孔的截面积；该针体经配置沿着垂直于该晶片载台表面的方向突出或缩入该表面。本专利技术的一实施例公开一种改良的晶片承载结构用于半导体工艺中，例如但不限于一真空晶片载台或一静电晶片载台。该晶片承载结构可消减临界尺度一致性的问题。根据上述构思，进一步包含多个可移动元件，分别支持各根针体。根据上述构思，进一步包含置于该晶片载台下的一平台，经配置以支撑该多个可移动元件。根据上述构思，其中该可移动元件的材料包含压电材料。根据上述构思，其中该多根针体具有一移动范围，其相对于一静置位置至多为0.1 μ m，其中该静置位置为该针体的一钝顶与该表面齐平的位置。根据上述构思，其中该可移动元件具有一第一端及一第二端，该第一端承载该针体的底部，以及该第二端连接一致动装置。根据上述构思，其中该可移动元件经由液压、气压、或电压驱动。根据上述构思，其中该针体具有一轴向长度，该长度大于该针孔的深度。根据上述构思，其中该针孔的直径界于5mm至IOmm之间。根据上述构思，其中该针体的截面积约等于该针孔的截面积。根据上述构思，其中该针孔的总数为该晶片的一摄像区的整数倍。根据上述构思，其中该晶片载台作为一真空晶片载台，或一静电晶片载台，其中该真空晶片载台包含多个真空孔洞。根据上述构思，其中该多个针孔与该多个真空孔洞交错配置。根据上述构思，其中至少一真空孔洞具有针体置于其中。根据上述构思，其中该多个针孔排列成一放射状。上文已相当广泛地概述本专利技术的技术特征及优点，俾使下文的本专利技术详细描述得以获得较佳了解。构成本专利技术的申请专利范围标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本专利技术所属
技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本专利技术相同的目的。本专利技术所属
技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的申请权利要求所界定的本专利技术的精神和范围。附图说明图1为俯视图，例示本专利技术一实施例的晶片载台，该载台具有三个真空孔洞(黑色圆圈)以及多个以放射状排列的针孔；图2为俯视图，例示本专利技术一实施例的晶片，该晶片于微光显影过程中具有多个摄像区；图3为俯视图，例示本专利技术另一实施例的部分晶片载台，该部分晶片载台的区域为图2 —摄像区所界定，且该部分晶片载台具有一真空孔洞、一包含针体的真空孔洞、以及三个包含针体的针孔；图4显示图3沿1-1'方向的剖视图；图5为俯视图，例示本专利技术另一实施例的部分晶片载台，该部分晶片载台的区域为图2 —摄像区所界定，且该部分晶片载台具有一真空孔洞、一包含针体的真空孔洞、以及多个不同尺寸的包含针体的针孔；图6显示图5沿2-2'方向的剖面图；图7为俯视图，例示本专利技术另一实施例的部分晶片载台，该部分晶片载台的区域为图2 —摄像区所界定，且该部分晶片载台具有一真空孔洞、一包含针体的真空孔洞、以及多个不同尺寸的包含针体的针孔；以及图8显示图7沿3-3'方向的剖视图。其中，附图标记说明如下:10晶片承载结构11晶片载台12 针孔13真空孔洞21 晶片22摄像区30晶片承载单元32 针体33真空孔洞34真空孔洞35孔洞41晶片载台41a晶片载台表面42平台43致动装置44可移动元件44a可移动元件的第一端44b移动元件的第二端45针体46针孔48晶片50晶片承载单元52针体53真空孔洞54真空孔洞55第一层级孔洞55'第二层级孔洞61晶片载台61a晶片载台表面62平台63致动装置64可移 动元件64a可移动元件的第一端64b可移动元件的第二端65针体66针孔67气体阀门68晶片70晶片承载单元72针体73真空孔洞74真空孔洞75第一层级孔洞75a第二层级孔洞75b第三层级孔洞81晶片载台81a晶片载台表面82平台83致 动装置84可移动元件84a可移动元件的第一端84b移动元件的第二端85针体86针孔87开关88晶片具体实施例方式本专利技术的实施例公开一晶片承载结构，利用施加一机械外力以局部修正晶片表面形貌。在一般的蚀刻微影工艺中，分析完CD —致性数据后，一电脑将分析信号传送至该晶片承载结构以局部修正晶片表面形貌。该修正的主要目的为使该测试晶片以及该批号中后续的所有晶片达到更佳的CD —致性。图1为一俯视图，例不本专利技术一实施例的具有一晶片载台11的晶片承载结构10。该晶片载台11具有三个真空孔洞13 (黑色圆圈)以及多个以放射状排列的针孔12。针孔12与真空孔洞13交错分布，在本实施例中，该三个真空孔洞13可置放于一三角形的三个顶点上，各真空孔洞13具有一半径，例如10毫米。该等真空孔洞13的数目及大小视供应商而异，因此不同的配置方法也包含于本专利技术中。该等真空孔洞13的作用在于施加一真空吸力于晶片上，使晶片于每一道工艺中不至于移动位置。晶片位置的精准控制非常重要，因为微影蚀刻工艺无法承受晶片位置于校准后仍有可能移动的后果。该晶片载台11上的针孔12可为一贯穿该载台11的圆柱状开孔。该针孔12可以使针体(未于图1显示)由该晶片载台11的底部经由该开孔而与置于该晶片载台11的上的晶片接触，进而施加机械力以局部修正晶片表面形貌。图2为俯视图，例示本专利技术一实施例的晶片21。参见图1及图2，该晶片21于微影过程中具有多个摄像区22，于单一摄像区22的范围中，该晶片21直接对应其下多个针孔12。换句话说，在本专利技术的一实施例中，该针孔12的总数为该晶片的一摄像区22的整数倍，各摄像区22对应的晶片载台11的区域具有至少一针孔12或一组具有相同配置的针孔12。图3为俯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片承载结构，其特征在于，包含：一晶片载台(11、41、61、81)，具有一表面(41a、61a、81a)，经配置以承载一晶片(21、48、68、88)；多个针孔(12、46、55、55’、66、75、75a、75b、86)，贯穿该晶片载台(11、41、61、81)；以及多根针体(32、45、52、65、72、85)，分别置于该多个针孔内(12、46、55、55’、75、75a、75b、66、86)，各自独立移动以突出或缩入该表面(41a、61a、81a)。

【技术特征摘要】
2011.12.08 US 13/314,6841.一种晶片承载结构，其特征在于，包含: 一晶片载台(11、41、61、81),具有一表面(41a、61a、81a),经配置以承载一晶片(21、48、68、88)； 多个针孔(12、46、55、55’、66、75、75&、7513、86)，贯穿该晶片载台(11、41、61、81);以及 多根针体(32、45、52、65、72、85)，分别置于该多个针孔内(12、46、55、55，、75、75a、75b、66、86)，各自独立移动以突出或缩入该表面(41a、61a、81a)。2.根据权利要求1所述的晶片承载结构，其特征在于，进一步包含多个可移动元件(44、64、84)，分别支持各根针体(32、45、65、85)。3.根据权利要求2所述的晶片承载结构，其特征在于，进一步包含置于该晶片载台(11、41、61、81)下的一平台(42、62、82)，经配置以支撑该多个可移动元件(44、64、84)。4.根据权利要求2所述的晶片承载结构，其特征在于该可移动元件(84)的材料包含压电材料。5.根据权利要求4所述的晶片承载结构，其特征在于该多根针体(45、65、85)具有一移动范围，其相对于一静置位置至多为0.1 μ m,该静置位置为该针体(45、65、85)的一钝顶与该表面(41a、61a、85a)齐平的位置。6.根据权利要求4所述的晶片承载结构，其特征在于该可移动元件(44、64、84)具有一第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱垂福，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：