本发明公开了一种存储器结构，其包含有有源区域，被第一绝缘沟槽及第二绝缘沟槽包围，第一绝缘沟槽沿着一第一方向延伸，第二绝缘沟槽沿着一第二方向延伸；位线沟槽，凹入有源区域中，该位线沟槽沿着一第二方向延伸并横截该第一绝缘沟槽；字线沟槽，凹入该...

本发明公开了一种埋入式字线，包含有：一衬底，其上有至少一凹陷沟槽，所述凹陷沟槽包含有一底部表面及至少一侧壁；一绝缘层，位于所述底部表面及所述侧壁上；一衬垫层，位于所述凹陷沟槽内，覆盖所述底部表面及所述侧壁的一下部，所述衬垫层具有一清洁表...

本发明提供一种驱动装置的测试方法及电路测试接口，其中的电路测试接口包括测试电流传输焊垫、测试电压测量焊垫、至少一驱动电路以及至少一开关模块。驱动电路的输出端耦接至通硅晶穿孔(Through-Silicon?Via，TSV)。开关模块则耦...

本发明提供一种垂直静电放电保护元件及其制作方法，该垂直静电放电保护元件包括：一基底，包括多个沟槽，其中各沟槽中包括一凹槽栅极；一漏极区，设置于两相邻的凹槽栅极间；一静电放电保护掺杂区，设置于各漏极区下；及一源极区，包围上述凹槽栅极和漏极...

一种单侧埋入带的制造方法，包括：在半导体基板内形成沟槽电容结构，其中该沟槽电容结构具有掺杂多晶硅层与由该掺杂多晶硅层所包覆的隔离环，而该掺杂多晶硅层的顶面低于该半导体基板的顶面，因而形成有第一凹口；在该半导体基板上依序形成第一阻剂层、第...

一种记忆胞的检测方法，包括：提供半导体基板，该半导体基板具有形成于其内的电容以及形成于其上的晶体管，其中该晶体管电性连结于该电容；通过光学量测系统以检测该电容的顶面的尺寸及该电容与电性连结于该电容的该晶体管间的间距，进而得到第一量测值与...

本发明提供一种电路测试接口及测试方法，其中的电路测试接口包括测试电压输入焊垫、测试电压输出焊垫、多个输入缓冲器、多个开关元件以及扫描链电路。各输入缓冲器的第一输入端分别耦接至多个通硅晶穿孔的其中之一。各开关元件具有第一端以及第二端，各开...

本发明公开了一种单边存取器件，包含有一有源鳍状结构，其包含一源极接触区与一漏极接触区，彼此由一绝缘区域所隔开；一第一沟渠绝缘结构，设在所述有源鳍状结构的一侧，且所述第一沟渠绝缘结构与所述绝缘区域交叉；一侧壁栅极，设在与所述第一沟渠绝缘结...

一种形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，包括：形成多个闸极；在各闸极上形成缓冲层；形成绝缘层，填入各闸极间的空隙；形成与所述闸极交错的长条型光阻图案；以所述闸极和所述长条型光阻图案作为罩幕，使用自对准制程蚀刻绝缘层，形成多个第一...

一种半导体的制造方法。在半导体基底上形成绝缘层。移除部分绝缘层，以形成多个隔离结构以及位在隔离结构之间的网状开口，其中网状开口暴露出半导体基底。进行选择性成长的方法，透过由网状开口暴露的半导体基底的表面成长半导体层，使得隔离结构位在半导...

一种晶片洗涤器和晶片洗涤方法，该晶片洗涤器包括：一腔室；一支托盘，连接至一承轴，且位于腔室中，其中支托盘支撑一晶片；及一吹气管，设置于腔室的侧壁的顶部，其中吹气管包括多个面向下的气体注射孔，以沿着腔室的侧壁吹气，使来自晶片的水更平顺地和...

本发明提供一种半导体元件的制作方法，包括：提供一基底；形成一栅极介电层于基底上；形成一栅电极于栅极介电层上；形成一间隔件于栅极介电层和栅电极的侧壁；使用包括多个灯源和一偏压施加系统的快速热工艺装置掺杂基底，形成一源极/漏极区，其中在快速...

一种晶体管的制造方法。在基底上形成图案化牺牲层，图案化牺牲层包括多个开口，开口暴露基底。透过图案化牺牲层为掩模，对基底进行掺杂制程，以在开口所暴露的基底中形成源极掺杂区与漏极掺杂区。进行选择性成长制程，以分别在源极掺杂区与漏极掺杂区上形...

本发明公开了一种具有较少等离子体损害的集成电路制作方法，包括：提供一基底；形成一结构层于基底上；及形成一光致抗蚀剂层于结构层上；对结构层进行一蚀刻工艺，其中光致抗蚀剂层具导电性，以减少蚀刻工艺中的等离子体损害。

一种降低线边缘粗糙度的半导体结构的制造方法，包括：提供组件层，其上具有图案化的阻剂层；施行电浆蚀刻程序，以形成图案化的组件层，其中该电浆蚀刻程序是在相对高操作频率的连续开启状态电压下，及具有脉波调整的相对低操作频率的开启-关闭状态电压下...

本发明提供一种存储器装置及其操作方法，存储器装置包括模拟冗余元件比较器、参考延迟信号产生器以及信号比较控制器。模拟冗余元件比较器接收输入信号，并依据模拟延迟针对输入信号进行延迟，藉以产生比较信号。参考延迟信号产生器接收输入信号，依据多个...

本发明公开了一种用以改进光学邻近模拟的方法，其包含下列步骤：首先，判定多个曝光数据；提供对应所述曝光数据且从多个原始模拟参数中产生的一原始模拟结果。之后，检验来自所述原始模拟结果与所述曝光结果的原始误差值来判定其是否位于一预定范围内。接...

一种晶片洗涤器和晶片清洗方法。一种晶片洗涤器，包括：腔室；支托盘，连接至承轴且位于腔室中，其中支托盘对晶片进行支撑；以及网状内杯，包括多个穿孔且位于支托盘与腔室的侧壁之间，其中网状内杯接收来自晶片表面的水以及绕着承轴旋转且将水经由穿孔释放。

本发明公开了一种接垫结构，其包含有：一半导体基材，其上具有多个金属间介电层，所述金属间介电层包含有至少一最上层金属间介电层；一可接合金属垫层，设于一接垫形成区域范围内的所述最上层金属间介电层的表面上；一保护性钝化层，覆盖住所述可接合金属...

本发明公开了一种半导体结构，其含有一底材、一集成电路、及一切割道。所述底材包含一切割道区与一电路区。集成电路设于电路区内，而切割道设于切割道区内，并含有一设在底材中且邻近电路区的裂缝停止沟槽。裂缝停止沟槽与电路区的一侧平行并填有栅格形式...