本发明公开了一种封装结构，包括一载板；至少一芯片结构，设置于载板上；一封装材料层，包覆且直接接触于芯片结构；及多个填充物颗粒，均匀分布于封装材料层内，其中各个填充物颗粒包括一介电核心、一绝缘层，绝缘层包覆介电核心，及一导电层，设置于介电...

本发明提供一种硅通孔结构及其制造方法，包括基板、隔离层、导电层以及介电层。基板中具有贯穿孔。隔离层配置在贯穿孔的两侧壁上。导电层配置在贯穿孔中并覆盖隔离层，且导电层包括第一部分以及第二部分，其中第一部分填满贯穿孔的一部分，而第二部分位于...

本发明公开了一种具有硅贯通电极的半导体元件，包含有一基底，一氧化物层覆盖于所述的基底，至少一硅贯通电极贯穿所述的基底以及氧化物层中，且另包含多个深沟槽设置于硅贯通电极周围的基底中，前述的深沟槽会吸收热应力。

本发明公开了一种具有控制电路的穿硅通孔，包含一基底，一导电电极，一垂直晶体管以及一导电层。其中导电电极贯穿所述基底。垂直晶体管包含一源极、一通道以及一漏极设置于所述导电电极上，通道设置于所述源极与所述漏极之间；一栅极设置于所述基底中；以...

本发明公开了一种穿硅通孔的结构，其包含一导电电极、一绝缘层以及一掺杂区。其中，导电电极设置于一基底中，导电电极会贯穿基底的一第一表面以及一第二表面。绝缘层设置于基底中，并包围所述导电电极。掺杂区设置于基底中，并包围所述绝缘层。本发明的穿...

本发明公开了一种封装结构，包含有一第一芯片、一第二芯片以及一带状打线，其中带状打线连接第一芯片与第二芯片，且带状打线具有实质上为矩形的剖面。本发明的封装结构能有效解决高频下集肤效应所带来电阻过大的问题。

本发明公开了一种半导体芯片，包含基底、穿硅通孔、上凸块以及下凸块。基底具有上表面以及相对于上表面的下表面。穿硅通孔设置于基底中，贯穿上表面以及下表面。上凸块设置于上表面上，并与穿硅通孔电性连接。下凸块设置于下表面上，并与穿硅通孔电性连接...

本发明公开了一种半导体结构，具有一穿硅通孔以及测试修补电路。其中，穿硅通孔设置于基底中并贯穿基底的有源面以及背面。测试修补电路设置于基底的背面上，与穿硅通孔电性连接，借以提供测试修补功能。根据本发明的另外一个实施方式，本发明另外提供了一...

本发明公开了一种穿硅通孔结构，包括一半导体基底，其中设有至少一导通孔；一导体材料层，填入该导通孔中；以及一空气胞，设于该半导体基底，并靠近该导体材料。由于空气胞中的空气，其介电常数为1，故此结构能够有效降低穿硅通孔之间的寄生电容，并提升...

本发明公开了一种半导体封装结构，其包含一周缘部位具有多个模流注入口的载板、一个以上的芯片设在所述载板顶面、一模封体覆盖在所述载板与所述芯片上、多个焊锡凸块设在所述载板底面上、以及多个应力缓冲体设在所述载板底面上。

本发明公开了一种可避免胶材溢流的封装载板，其特征在于包含一内核层与一设在所述内核层上的阻焊层。所述阻焊层具有一预定的黏晶区域，用来涂布胶材以黏合芯片、一沟渠，沿着所述预定的黏晶区域的外缘分布、一凸起屏障，沿着所述沟渠的外缘分布、以及多个...

本发明公开了一种显露穿硅通孔的方法。首先于半导体基板的第一面形成孔洞；沈积绝缘层，使其共形的覆盖住孔洞的侧壁及底面；将孔洞底部的绝缘层去除，显露出孔洞底部；沈积阻障层及金属层；于半导体基板的第一面上进行化学机械研磨工艺，将孔洞外的金属层...

本发明涉及一种于穿硅通孔的背面薄化工艺中防止铜污染的方法。于半导体基板中设置有至少一穿硅通孔，该至少一穿硅通孔包括一铜金属层、一阻障层及一绝缘层。将半导体基板以正面与一载板结合。于半导体基板的背面的一硅层进行研磨，直到硅层于穿硅通孔上留...

本发明公开了一种显露穿硅通孔的方法。首先提供半导体基板，包括第一面及第二面；于所述半导体基板的第一面形成穿硅通孔结构，包括金属层、阻障层及绝缘层；去除掉部分厚度的半导体基板，从第二面显露出穿硅通孔结构；于所述半导体基板的第二面上沉积氮化...

本发明公开了一种显露穿硅通孔的方法。首先于一半导体基板中形成一穿硅通孔，该穿硅通孔包括一铜金属层、一阻障层及一绝缘层；接着于该半导体基板的底面及该穿硅通孔上覆盖一介电层；于介电层上形成一牺牲层；将部分的该牺牲层、该介电层、该绝缘层及该阻...

本发明公开了一种打线方法，包含：(1)将芯片置于一承载件上；(2)将塑性材料点于所述芯片上，其中所述塑性材料位于所述芯片的打线焊垫与所述承载件的引脚间；(3)打线于所述打线焊垫与所述引脚上，使焊线连接于所述打线焊垫与所述引脚间，并埋入所...

本发明公开了一种固定接合线的方法，其步骤包含将一具有多个接合垫的芯片设在一具有多个接合指的载板上、将每一所述接合垫打线接合至一所述接合指，使得所形成的接合线呈平行排列、在每一所述接合垫上滴上流动性胶材，使得所述流动性胶材因毛细现象而沿着...

本发明公开了一种半导体装置的制作方法，其步骤包括：提供一半导体基底，且半导体基底包括有一第一有源区以及一第二有源区。接着，依次于半导体基底上形成一含掺杂剂的第一导电层以及一未含掺杂剂的第二导电层。然后，对第一有源区的第二导电层进行一第一...

本发明提供一种沟渠电容的制作方法，包括下列步骤：提供基底；形成至少一个扩大沟渠，设置在基底中；在沟渠内部形成第一绝缘层；沉积金属层，至少覆盖沟渠内部的第一绝缘层。每一个沟渠电容将拥有更大的电容值，可有效提升封装后成品单位面积内的电容值大小。

本发明公开了一种形成齿状电容器的方法，其步骤包含提供一基材、在所述基材上交替地形成层叠的低掺杂浓度掺杂硅玻璃层与高掺杂浓度掺杂硅玻璃层、形成多个通孔贯穿所有所述交替层叠的掺杂硅玻璃层、以及进行一湿刻蚀工艺以从所述通孔的侧壁刻蚀所述掺杂硅...