显露穿硅通孔的方法技术

本发明专利技术公开了一种显露穿硅通孔的方法。首先于一半导体基板中形成一穿硅通孔，该穿硅通孔包括一铜金属层、一阻障层及一绝缘层；接着于该半导体基板的底面及该穿硅通孔上覆盖一介电层；于介电层上形成一牺牲层；将部分的该牺牲层、该介电层、该绝缘层及该阻障层磨平去除，显露出该铜金属层的表面；蚀刻掉部分的该绝缘层及该介电层，于该穿硅通孔的周围形成一凹陷区域；最后将剩下的该牺牲层去除。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种显露穿硅通孔的方法，其特征在于，包括：于一半导体基板中形成一穿硅通孔，该穿硅通孔包括一铜金属层、一阻障层及一绝缘层；于该半导体基板的底面及该穿硅通孔上覆盖一介电层；于介电层上形成一牺牲层；将部分的该牺牲层、该介电层、该绝缘层及该阻障层磨平去除，显露出该铜金属层的表面；蚀刻掉部分的该绝缘层及该介电层，于该穿硅通孔的周围形成一凹陷区域；及将剩下的该牺牲层去除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸男，徐文吉，叶绍文，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：