本发明公开了本发明公开了一种半导体芯片，包含基底、穿硅通孔、上凸块、下凸块以及热敏光敏胶层。基底具有上表面以及相对于上表面的下表面。穿硅通孔设置于基底中，贯穿上表面以及下表面。上凸块设置于上表面上，并与穿硅通孔电性连接。下凸块设置于下表...

本发明涉及一种制造金属氧化物半导体存储器的方法。于半导体基底的多个有源区上形成隧穿层、位于隧穿层上的多个浮置栅极、位于多个浮置栅极上的垫层、和围绕有源区的沟槽。形成第一氧化物层，使它填满沟槽和多个浮置栅极两两间的空间。将垫层移除。于多个...

本发明提供一种形成埋入式导线的方法及埋入式导线的结构。该方法首先提供其中有沟槽且上有接触区域的基底，该沟槽有一末端部分位于接触区域中，且该沟槽中填充有一导电层。接着形成罩幕层覆盖接触区域中的导电层，再以罩幕层为罩幕回蚀刻导电层。

本发明公开了一种半导体芯片，包括基底、贯穿孔、绝缘层、凸点下金属层、穿硅通孔以及凸点。基底具有第一表面以及第二表面。贯穿孔贯穿基底的第一表面以及第二表面。绝缘层设置在基底的第二表面上，绝缘层具有第二开孔对应贯穿孔。凸点下金属层共形且连续...

本发明公开了一种制作穿硅通孔的方法，首先是提供一基底，然后在基底中形成开孔。接着一高温快速热氧化工艺，以在开孔的表面形成一第一氧化层，后续进行一沉积工艺，以在第一氧化层上形成第二氧化层。最后，形成导电层在第二氧化层上，导电层会填满开孔。

本发明公开了一种接触孔的制作方法。首先提供衬底，衬底上包括层间介质层；在层间介质层上形成抗反射层；在抗反射层上涂布光刻胶层；进行光刻工艺，在光刻胶层中形成第一开口；进行第一次干蚀刻工艺，经由所述第一开口蚀刻抗反射层及层间介质层，形成具有...

本发明公开了一种接触孔的制作方法。首先提供衬底；在所述衬底上形成第一硬掩膜以及第二硬掩膜；在第二硬掩上涂布光刻胶层；进行光刻工艺，在所述光刻胶层中形成开口；进行第一次干蚀刻工艺，经由所述开口蚀刻第二硬掩膜，形成第一孔洞；将所述第二硬掩膜...

本发明公开一种三维堆叠的随机存取存储器的测试与制造方法以及晶圆的测试方法，该测试方法包括提供第一晶圆，设有存储器阵列及第一切割道区，第一切割道区交错设置以分隔存储器阵列；设置第一测试垫于第一切割道区上，且电性连接该存储器阵列中的第一接点...

本发明公开了一种形成单边埋入导电带的方法。首先，提供一基底，基底中包含有深沟渠，且深沟渠内设置有沟渠电容。在深沟渠内形成导电层，导电层覆盖在沟渠电容上。接着在导电层上形成衬垫层，并在衬垫层上形成牺牲层。然后移除部份的牺牲层，以暴露出部份...

本发明公开了一种固定接合线的方法，其步骤包含将一具有多个接合垫的芯片设在一具有多个接合指的载板上、将每一所述接合垫打线接合至一所述接合指，使得所形成的接合线呈平行排列、在每一所述接合垫上滴上黏度范围在15000～25000厘泊之间的环氧...

本发明公开了一种掺杂轮廓的形成方法，其步骤包括：提供半导体基底，以及对半导体基底进行离子注入工艺。在进行离子注入工艺时，施加浮动脉冲偏压在半导体基底，用以在半导体基底中形成多个具有不同深度或不同浓度的掺杂区。

本发明公开了一种掺杂区的制作方法，其步骤包括：提供半导体基底，且半导体基体包括至少一沟槽。接着，形成介电层完全覆盖沟槽以及形成保护层部分覆盖沟槽，且介电层位于保护层以及沟槽之间。然后，在沟槽中形成含掺杂剂的导电层以及进行退火工艺。

本发明公开了一种形成开口的方法。首先提供一基板，然后在基板上依次形成抗反射层以及光致抗蚀剂层。接着在光致抗蚀剂层中形成第一开口，以及在抗反射层中形成第二开口。后续对第二开口进行一平滑处理步骤。最后通过第一开口与第二开口以图案化基板，以在...

本发明公开了一种电容制作方法，包括以下步骤：首先，提供一金属下电极，接着以原子层沉积法，沉积至少一层金属氮化层于金属下电极上，再同样以原子层沉积法，沉积至少一层高介电常数金属氧化层于金属氮化层上，最后形成一金属上电极覆盖于高介电常数金属...

本发明公开了一种硅酸铪氮氧化合物(HfXSi1-XON)制作方法，以原子层沉积法，交互形成氮化铪(HfN)层以及氧化硅(SiOX)层，以完成所述硅酸铪氮氧化合物，其中所述硅酸铪氮氧化合物的Hf/(Hf+Si)含量比值介于0.4～0.6之...

本发明公开了一种启动侦测系统，其依据一电源供应器所提供的电源来产生一第一启动侦测信号以及一第二启动侦测信号其中之一以作为一最终启动侦测信号。所述启动侦测系统包含：一启动侦测模块，由一控制信号所控制以在一第一模式产生所述第一启动侦测信号以...

本发明公开了一种封装结构，包含有第一芯片、重布层基板以及第二芯片。重布层基板包含基板、第一线路、第一锡球、第二线路、第二锡球以及通孔。基板具有第一表面以及第二表面。第一线路以及第一锡球设置于第一表面，两者电性连接。第二线路以及第二锡球设...

本发明公开了一种半导体封装构件，包含有基板，其上设有至少一引线手指；第一半导体芯片，其有源面面向所述基板，设于所述基板上；至少一第一接合垫设于所述第一半导体芯片的有源面；第一导线，将所述第一接合垫电连接至所述基板；第二半导体芯片，其有源...

本发明公开了一种窗式球栅阵列封装结构，其包含一载板，其上具有一狭窗开口、一下层芯片，其上具有一列接合垫自所述狭窗开口裸露而出、以及一上层芯片，其上具有一列接合垫与所述下层芯片上的接合垫的排列方向垂直。

本发明公开了一种封装结构，包括一载板；一芯片堆叠结构，设置于载板上，其中芯片堆叠结构包括至少二片互相堆叠的芯片；一封装材料层，包覆芯片堆叠结构；一芯片黏着层，设置于相邻的芯片间；及多个填充物颗粒，均匀分布于芯片黏着层内，其中各个填充物颗...