形成单边埋入导电带的方法技术

本发明专利技术公开了一种形成单边埋入导电带的方法。首先，提供一基底，基底中包含有深沟渠，且深沟渠内设置有沟渠电容。在深沟渠内形成导电层，导电层覆盖在沟渠电容上。接着在导电层上形成衬垫层，并在衬垫层上形成牺牲层。然后移除部份的牺牲层，以暴露出部份的衬垫层，残留的牺牲层成为氧化掩膜层。以氧化掩膜层为掩膜，以在深沟渠中形成浅沟渠。在浅沟渠靠近基底的一侧形成侧沟渠。最后，在浅沟渠以及侧沟渠中形成隔离层，使得导电层形成单边埋入导电带。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种形成单边埋入导电带的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底中包含有深沟渠；在所述深沟渠内形成导电层；在所述导电层上依次形成衬垫层以及牺牲层；移除部份的所述牺牲层，以暴露出部份的所述衬垫层；移除部份的所述导电层，以在所述深沟渠中形成浅沟渠；在所述浅沟渠靠近所述基底的一侧形成侧沟渠，包括移除部份的所述导电层以及部份所述基底；以及在所述浅沟渠以及所述侧沟渠中形成隔离层，使得所述导电层形成单边埋入导电带。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸男，徐文吉，叶绍文，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：