半导体芯片、半导体封装结构以及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体芯片，包括基底、贯穿孔、绝缘层、凸点下金属层、穿硅通孔以及凸点。基底具有第一表面以及第二表面。贯穿孔贯穿基底的第一表面以及第二表面。绝缘层设置在基底的第二表面上，绝缘层具有第二开孔对应贯穿孔。凸点下金属层共形且连续地设置在贯穿孔以及第二开孔的表面。穿硅通孔设置在贯穿孔中，而凸点则设置在第二开孔中。本发明专利技术另外还提供了形成上述半导体芯片的方法、一种半导体封装结构与其制作方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种形成半导体芯片的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有第一表面以及第二表面；在所述基底中形成贯穿孔，所述贯穿孔贯穿所述第一表面以及所述第二表面，且所述贯穿孔填满有牺牲层；移除所述牺牲层；在所述基底的所述第二表面形成绝缘层，所述绝缘层具有第二开孔暴露所述贯穿孔；以及在所述贯穿孔以及所述第二开孔中填满导电层，以同时在所述贯穿孔中形成穿硅通孔，以及在所述第二开孔中形成凸点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸男，徐文吉，叶绍文，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：