【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种电容制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供金属下电极；以原子层沉积法，在所述金属下电极上沉积至少一层金属氮化层；以原子层沉积法，在所述金属氮化层上沉积至少一层高介电常数金属氧化层，所述沉积金属氮化层步骤与所述沉积高介电常数金属氧化层步骤是原位工艺；以及形成金属上电极覆盖所述高介电常数金属氧化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸男，徐文吉，叶绍文，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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