专利查询
首页
专利评估
登录
注册
南亚科技股份有限公司专利技术
南亚科技股份有限公司共有2444项专利
铜内连结构及其制造方法技术
本发明公开一种铜内连结构及其制造方法,所述方法包括提供具有导电区域的基板,在基板上形成具有介层开口的绝缘层,介层开口暴露出导电区域。依序通过沉积及回流工艺,在第一绝缘层上形成铜层,且填满介层开口。在铜层上形成掩模层以覆盖介层开口,接着对...
沟槽隔离结构及其制造方法技术
本发明提供一种沟槽隔离结构的制造方法。在一基板上形成一硬式掩模层,其中硬式掩模层包括至少三层,且具有至少一开口以局部暴露出基板的一表面。经由开口蚀刻基板的表面,以在基板中形成具有一第一深度的一沟槽。在沟槽中形成一第一绝缘层。回蚀刻第一绝...
穿硅通孔及其制作方法技术
本发明公开了一种穿硅通孔结构,包含有一半导体基材;一第一金属层间介电层,设于该半导体基材上;一上盖层,覆盖该第一金属层间介电层;一导电层,贯穿该上盖层及该第一金属层间介电层,延伸至该半导体基材内;一钨金属膜,盖住该导电层的一上表面;一第...
在基底中制作多个沟槽的方法技术
本发明一实施例提供一种在基底中制作多个沟槽的方法,包括:提供一基底;于基底上形成一第一掩模层,第一掩模层具有至少一第一开口以及至少一第二开口,其中第二开口大于第一开口,且第一开口与第二开口皆暴露出基底;形成一覆盖第二开口的第二掩模层;以...
光罩图案分析装置及光罩图案分析方法制造方法及图纸
本发明公开了一种光罩图案分析装置及光罩图案分析方法,该方法包含以下步骤:群组一电路布局中多个多角形而形成多个多角形群;根据该电路布局的一虚像,找出任一多角形群的潜在缺陷区域;决定该任一多角形群潜在缺陷区域的代表点;决定该任一多角形群中多...
硬掩模间隙壁结构及其制作方法技术
本发明公开了一种硬掩模间隙壁结构,包含有一第一间隙壁,设于一元件层上,且该第一间隙壁定义出多个孔洞图案,以及介于该多个孔洞图案之间的至少一星芒状孔洞图案;以及一第二间隙壁,设于该第一间隙壁上,并嵌入该星芒状孔洞图案中,借以使该星芒状孔洞...
用来泵升输入电压以产生输出电压的电压泵升电路制造技术
本发明公开了一种用以泵升输入电压以产生输出电压的电压泵升电路。所述电压泵升电路包含:具有第一数量的泵级的第一电压泵升路径以及具有第二数量的泵级的第二电压泵升路径,其中所述第二数量小于所述第一数量。只有所述第一电压泵升路径与所述第二电压泵...
等离子蚀刻装置制造方法及图纸
本发明提供一种等离子蚀刻装置,其包括一处理室、一气体注射器、多个导管以及至少一气体供应系统。气体注射器设置于处理室的顶面。导管面对气体注射器并设置于处理室的底面。气体供应系统耦接于每一导管,其中气体供应系统通过导管供应加工气体至处理室,...
具有复合偏光片的光掩膜与优化不同图案的成像方法技术
本发明公开了一种具有复合偏光片的光掩膜,其结构包括透明基板、位于透明基板上的图案化层、以及位于透明基板上的偏光过滤组件。透明基板对于照明光实质上是透明的、图案化层对于照明光实质上至少是部份不透明的、而偏光过滤组件得以选择性地极化/偏振照...
晶体管元件及其制造方法技术
本发明提供一种晶体管元件及其制造方法,该元件包括至少一垂直式晶体管结构。此垂直式晶体管结构包括基底、介电层、栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区。介电层配置在基底的沟渠中。栅极配置在介电层中,且栅极在其两侧的基底中定义...
半导体装置及其制备方法制造方法及图纸
本发明公开了一种半导体装置及其制备方法,半导体装置包含一基板、一导电材料及一材料层。基板包含通孔。导电材料填充于该通孔内。材料层形成于该导电材料内,其中该导电材料的电阻值低于该材料层的电阻值。导电材料是以新的快速填充方法所填充,并且导电...
半导体制程方法与半导体结构技术
本发明公开了一种可产生具有不同直径的半导体通孔的半导体制程方法,其包含:提供第一材料与不同于该第一材料的第二材料;以及使用蚀刻制程来对第一材料与第二材料进行蚀刻以形成通过第一材料与第二材料的半导体通孔;其中蚀刻制程针对第一材料与第二材料...
半导体盲孔的检测方法技术
本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法,包括提供一包括导电区的半导体衬底;形成多个暴露出导电区的盲孔,其特征在于电阻率大于导电区的高电阻层会位在至少一盲孔的部分或全部底部区域,且高电阻层和导电区的接触面不是欧姆接触;将导电材料填满多个盲孔...
半导体盲孔的检测方法技术
本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法,包括提供一包括导电区的半导体衬底;形成多个暴露出导电区的盲孔;在至少一盲孔的侧壁上形成一层阻档层,其中阻档层的电阻率大于导电区的电阻率,且阻档层和半导体衬底间不是欧姆接触;及在形成各个阻档层后,利用...
半导体盲孔的检测方法技术
本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法,包括提供一包括导电区的半导体基底;形成多个暴露出导电区的盲孔,其特征在于电阻率大于导电区的高电阻层会位在至少一盲孔的部分或全部底部区域,且高电阻层和导电区的接触面不是欧姆接触;将导电材料填满多个盲孔...
半导体盲孔的检测方法技术
本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法,包括提供一包括导电区的半导体基底;形成多个暴露出导电区的盲孔;在至少一所述多个盲孔的侧壁上形成一层阻档层,其中阻档层的电阻率大于导电区的电阻率;于各个盲孔的底部形成一层接触层;及在形成各个接触层后,...
半导体盲孔的检测方法技术
本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法,包括提供具有导电区的半导体基底;形成多个暴露出所述导电区的盲孔,其中至少一个盲孔的底部区域具有电阻率大于导电区的高电阻层,且高电阻层和导电区间没有欧姆接触;在各个盲孔的侧壁上形成一层阻档层,其中阻档...
存储器元件及其信号驱动元件制造技术
本发明公开了一种存储器元件及其信号驱动元件,该存储器元件包含一固定电流电路,经配置以提供一固定电流;一第一电流镜电路,经配置以从该固定电流产生一第一镜像电流,并根据该第一镜像电流产生一笫一电压;一偏压电路,包含一开关元件并经配置以提供一...
反射式光罩及光罩素材制造技术
本发明公开了一种反射式光罩及光罩素材,该光罩包含一基板、一第一反射复层、一第二反射复层、一第一图案化吸收层及一第二图案化吸收层。基板包含一第一表面和一第二表面,其中该第一表面与该第二表面是相对。第一反射复层形成于基板的第一表面上。第二反...
倍压装置以及其中振荡控制信号产生器制造方法及图纸
本发明涉及一种倍压装置以及其中振荡控制信号产生器,其中倍压装置、与控制该倍压装置一电荷泵(由一第一电压供电,提供一第二电压)的一振荡控制信号产生器。所述振荡控制信号产生器具有一第一输入端接收一基准振荡信号、一第二输入端接收一比较结果显示...
首页
<<
94
95
96
97
98
99
100
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
交互数字专利控股公司
2505
日铁化学材料株式会社
428
南京逐陆医药科技有限公司
40
青庭智能科技苏州有限公司
14
索尼互动娱乐股份有限公司
758
北京卡尤迪生物科技股份有限公司
14
格莱科新诺威逊私人有限公司
2
思齐乐私人有限公司
12
联想北京有限公司
28609
京东方科技集团股份有限公司
51232