本发明公开了一种电压追踪电路，包含一电压产生装置、一第一运算放大器、一第一电压产生器及一接成二极管形式的装置。电压产生装置用于提供一固定电压。第一运算放大器包含一第一输入端、一第二输入端和一输出端。第一运算放大器的第一输入端施加该固定电...

本发明公开了一种设置在存储装置中且具有宽频应用特性的延迟锁定环系统以及动态改变设置在存储装置中且具有宽频应用特性的延迟锁定环系统中的延迟电路的电源的方法。所述延迟锁定环系统包含有：时钟接收器，其为所述延迟锁定环系统产生时钟；延迟电路，用...

本发明提供一种半导体结构及其制法，该半导体结构包括：一基板；一U型栅极介电层形成于该基板之上；以及一双功函数金属栅极层形成于该U型栅极介电层的内侧，其中双功函数金属栅极层包括一第一导电类型金属层与一第二导电类型金属层。本发明提供的半导体...

本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供基底，基底具有多个柱状物，且柱状物周围具有多个沟渠，每一柱状物的底部有掺杂区；在每一掺杂区下方形成绝缘层。本发明的半导体元件制造方法，可使垂直式晶体管阵列中各晶体管单元之间的绝缘效果...

本发明公开了一种用来校正系统时钟信号的工作周期校正器，其包含工作周期检测器与工作周期调整器。工作周期检测器用来检测系统时钟信号的系统工作周期，并产生第一控制信号与第二控制信号，其中第一与第二控制信号为互补。工作周期调整器包含反相器，且工...

本发明的一个方面是提供了一种时钟补偿方法，用来补偿系统时钟信号的系统工作周期。在一实施例中，该时钟补偿方法包含下列步骤：通过延迟锁定回路锁定系统工作周期的工作周期中央点；检测系统时钟信号的当前系统工作周期；计算工作周期校正量，其中工作周...

本发明提供一种掩模结构，包括一基底；一吸收层，形成于基底上；以及一图案化反射层，形成于吸收层上。掩模结构还可包括一缓冲层、一导电涂层、或前述的组合。缓冲层可形成于吸收层及反射层之间，导电涂层可形成于基底的一背侧上。本发明的掩模结构较容易...

本发明提供一种间距减半集成电路工艺及通过该工艺制成的集成电路结构。在基板上方形成平行的基线图案，每个基线图案都与位于这些基线图案的第一侧或第二侧的锤头图案相连。这些锤头图案交替地布置在所述第一侧和第二侧，并且所述第一侧或第二侧的锤头图案...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包括以下步骤。提供基底，此基底具有多数个柱状物，且柱状物周围形成有多数个沟渠；在每一个上述柱状物下方的上述基底中形成掺杂区；移除沟渠下方的掺杂区，以形成多个开口，使相邻的柱状物下...

本发明公开了一种半导体存储元件，包含有一基材，其上包含一存储阵列区域以及一外围电路区域；一第一介电层，覆盖所述存储阵列区域以及所述外围电路区域；一第二介电层，位于所述第一介电层上，覆盖所述存储阵列区域以及所述外围电路区域；至少一电容结构...

本发明公开了一种具有特殊接触机制的内存插槽，其结构包含多个插槽接脚排列成两对列并分别抵靠在插槽框的两内壁凸部上、一连动件以可移动的方式设置在两列插槽接脚之间，其具有一凸轮部可在内存模组插入时推开位于两侧的插槽接脚，使得插槽接脚朝内弯曲，...

本发明提供一种蚀刻方法，包括下列步骤：提供一基板；形成一绝缘层于该基板上；形成一图案化罩幕层于该绝缘层上；以及导入一混合气体对该绝缘层进行蚀刻，用以在该绝缘层中形成一穿孔，其中该混合气体包括一第一氟碳气体与一氧气，且该第一氟碳气体与该氧...

本发明提供一种埋入式字元线结构及其形成方法。该方法包括在基底上依序形成第一罩幕层、夹层以及第二罩幕层，其中第二罩幕层具有交替排列的多个罩幕图案与多个间隙，且间隙包括交替排列的多个第一间隙与多个第二间隙。在各第一间隙中形成介电图案且同时在...

本发明提供一种动态随机存取存储器装置，其包括第一芯片以及第二芯片。第一芯片包括多个单元以及多个硅通孔。所述多个单元以阵列方式排列。所述多个硅通孔的第一端分别耦接该些单元。第一芯片与第二芯片相互重叠，且第二芯片包括多个储存电容。所述多个硅...

本发明提供一种具有埋入式连接杆的电路板，包括介电堆叠层、至少一第一连接杆、至少一第一金手指以及至少一第一微介层窗。介电堆叠层包括第一介电层与第二介电层。第一介电层在第二介电层上方。介电堆叠层区分为线路区与金手指区。第一连接杆埋在第二介电...

本发明提供一种四分之一节距图案的形成方法。首先形成两个光阻层，再定义上光阻层为多个第一图案。接着在下光阻层及第一图案上形成附着层，其包含或可产生使光阻材料可溶解于显影液的反应性物质。接着使反应性物质扩散进入各第一图案的部分及第一图案之间...

本发明提供一种存储器测试系统以及存储器测试方法。存储器测试系统包括控制单元、数据读取通道、数据写入通道以及测试通道。控制单元产生并输出第一读取指令和第一写入指令。数据读取通道和数据写入通道耦接至存储单元，并且控制单元根据第一读取指令和第...

本发明公开了一种电容结构，其包含有一第一电极，设于一基材上；一模板层，设于所述第一电极上；一二氧化钛介电层，设于所述模板层上，其中所述二氧化钛介电层仅单纯具有金红石结晶相；以及一第二电极，位于所述二氧化钛介电层上。

本发明提供一种电容结构及其制造过程，其包括以下步骤：首先在基板上形成模板层，此模板层包括至少一个第一膜层及至少一个第二膜层的堆叠，其中第一膜层与第二膜层交替布置，且具有不同的蚀刻选择性；接着在模板层中形成开口，再进行湿蚀刻制造过程，使得...

本发明公开了一种封装基板，包括一基材，以及一坝体结构或一凹沟结构，位于所述基材的至少一侧，其中所述基材可以是铜箔基板芯材、模封材料或环氧树脂基底。