制作穿硅通孔的方法技术

本发明专利技术公开了一种制作穿硅通孔的方法，首先是提供一基底，然后在基底中形成开孔。接着一高温快速热氧化工艺，以在开孔的表面形成一第一氧化层，后续进行一沉积工艺，以在第一氧化层上形成第二氧化层。最后，形成导电层在第二氧化层上，导电层会填满开孔。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制作穿硅通孔的方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底中形成开孔；进行高温快速热氧化工艺，以在所述开孔的表面上形成第一氧化层；进行沉积工艺，以在所述第一氧化层上形成第二氧化层；以及形成导电层在所述第二氧化层上，所述导电层填满所述开孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸男，徐文吉，叶绍文，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：