【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种穿硅通孔，其特征在于，包括：导电电极设置于基底中，其中所述导电电极贯穿所述基底的第一表面以及第二表面；绝缘层设置于所述基底中，并包围所述导电电极；以及掺杂区设置于所述基底中，并包围所述绝缘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸男，徐文吉，叶绍文，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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