本发明公开了一种形成刻蚀掩膜的方法，其包含：提供一基材，其上具有一待刻蚀的材料层；于所述材料层上形成一硬掩膜层，所述硬掩膜层包含有一对辐射敏感的单层阻材；将所述硬掩膜层暴照在一光化能下，以改变所述硬掩膜层受暴区域的溶剂可溶性；以及对所述...

本发明公开了一种具有裂缝停止结构的半导体结构。半导体结构包含底材、集成电路与切割道。底材具有切割道区与电路区。集成电路设置在电路区中。切割道设置在切割道区中并包含位在底材中且邻近电路区的裂缝停止沟槽。裂缝停止沟槽与电路区的一侧平行并填有...

本发明公开了一种制作凹入式沟道存取晶体管器件的方法。首先，提供一半导体衬底，其上具有一凹槽蚀入其主表面中。之后形成一栅极介电层在所述凹槽的内表面。再于之后形成一凹入式栅极在所述凹槽之中与之上。所述凹入式栅极包含一嵌入所述凹槽中与所述主表...

一种接收机电路，包括接收级、补偿级以及输出级。接收级耦接至第一供应电压与输入信号，并用以根据第一供应电压自输入信号产生第一中间信号。补偿级耦接至第二供应电压与第一中间信号，并用以在侦测到第一供应电压的变化后，通过调整第一中间信号的工作周...

本发明公开了一种垂直双栅极电路结构，包含：具有一凹槽的一半导体基板；置于该凹槽表面的一第一绝缘层；置于该凹槽下半部的一底部导体，该底部导体通过多个长垂直导体柱连接至一外接偏压；置于该凹槽上半部的一顶部导体，该顶部导体连接至多个短垂直导体...

本发明揭示一种具有电阻或电容的电路结构及其操作方法，该电路结构包含：一半导体基板，置于该基板内的一第一导电区，置于该第一导电区内的多个第二导电区及多个第三导电区，存在于该第一导电区及该第三导电区中间的一第一耗尽区，存在于该第二导电区及该...

提供一种导体图案的形成方法。在底层上形成种层。以能量射线对种层的部分表面进行照射处理，使得种层包括多个经照射区域与多个未经照射区域。对种层的经照射区域进行转化处理。进行选择性成长制程，以在种层的未经照射区域上生长导体图案。移除种层的经照...

本发明公开了一种测试模式信号系统和用来传送多个测试模式信号的方法。所述测试模式信号系统包含用以产生多个（N个）测试模式信号的测试模式功能方块；用以依据指令信号来产生及输出脉冲信号、依据所述脉冲信号来将N个测试模式信号多路复用处理为多个信...

本发明公开了一种多相位时钟信号产生器，包含：一环形相位偏移回路，包含多个可控式延迟单元，用以根据一输入时钟信号产生具有不同相位的输出时钟信号，其中可控式延迟单元的延迟量由一偏压电压所决定；一相位歪曲检测电路，用以计算输出时钟信号的相位差...

本申请公开了一种鳍形半导体结构的制造方法，包括：提供半导体基板，该半导体基板上具有半导体岛与介电层；在该半导体岛及该介电层上形成罩幕层；在该罩幕层内形成开口，该开口露出该半导体岛的顶面以及邻近该半导体岛的该介电层的部分顶面；施行蚀刻程序...

本发明公开了一种半导体封装和形成一半导体封装的方法。所述半导体封装包含：衬底、裸芯以及多条第一焊线。所述衬底包含：多个电源球，位于所述衬底的第一表面上；第一金属导体，位于所述衬底的第二表面上；以及至少一通孔，用以将电源球耦接到所述衬底的...

本发明公开了一种电压产生器，包含有可控制分压器、推升电路以及下拉电路，其中该可控制分压器依据第一参考电压、第二参考电压以及控制信号以于该可控制分压器的输出端点产生输出电压，其中该第二参考电压小于该第一参考电压；该推升电路耦接于该可控制分...

本发明公开了一种导孔链测试结构，包括基板、位于基板上的绝缘层、位于绝缘层上的第一导孔链、位于第一导孔链两侧的绝缘层上的第二导孔链，而处于第一导孔链的热效周围且位于基板下方的第一热源，以提供第一导孔链热能、以及用以加热第二导孔链的电流源，...

本发明公开了一种通孔结构，包括至少第一通孔组以及第二通孔组，而与第一通孔组电连接。在第一通孔组中有至少一第一通孔，而第二通孔组中有至少一第二通孔。第一通孔组中的第一通孔，其第一横截面积大于第二通孔组中第二通孔的第二横截面积。借此，通孔结...

本发明公开了一管芯包含有：多个电熔丝，分别用来产生多个测试模式信号；一控制单元，用来产生多个控制位元；一多工器，用来根据该多个控制位元对该多个测试模式信号进行多工处理；至少一地址码组，用来接收一特定测试模式信号；以及至少一区域测试模式区...

本发明公开了一种于一外部时钟的一频率改变后根据一相位差来自动重置的延迟锁定回路系统，包含有一时钟接收器、一延迟线、一控制回路以及一N°相位传感器。该时钟接收器用来接收该外部时钟且产生一时钟信号。该延迟线耦接于该时钟接收器，用来产生一延迟...

本发明公开了一种制作具有埋入式位线与埋入式字线的内存装置的方法，其提供一半导体衬底，其上具有多个线形有源区域与位于所述线形有源区域之间的线形沟槽隔离区域，所述线形有源区域以及线形沟槽隔离区域沿着一第一方向交替排列；在所述半导体衬底中形成...

一种半导体装置内开口的形成方法，包括：提供半导体基板，该半导体基板具有依序形成于其上的氧化硅层、多晶硅层与氮化硅层；图案化该氮化硅层，在该氮化硅层内形成第一开口，其中该第一开口露出了该多晶硅表面；施行第一蚀刻程序，使用包括溴化氢、氧气及...

本发明涉及一种半导体隔离结构的制造方法，包含下列步骤：形成一绝缘层于一沟槽侧壁，该沟槽置于一半导体基板中；曝露该基板的一部份；成长一硅磊晶层于该沟槽底部；氧化该硅磊晶层以形成一热氧化层；以及将该沟槽的一部份填满一介电材料，该介电材料置于...

本发明涉及一种在基底中形成狭缝的方法及刻蚀气体组成。其中，在基底中形成狭缝的方法，包括：于基底上形成掩模层，其中掩模层不包括碳。透过掩模层为掩模，对基底进行蚀刻工艺，以于基底中形成至少一个狭缝。蚀刻气体包括Cl2、CF4以及CHF3，C...