形成刻蚀掩膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种形成刻蚀掩膜的方法，其包含：提供一基材，其上具有一待刻蚀的材料层；于所述材料层上形成一硬掩膜层，所述硬掩膜层包含有一对辐射敏感的单层阻材；将所述硬掩膜层暴照在一光化能下，以改变所述硬掩膜层受暴区域的溶剂可溶性；以及对所述硬掩膜层进行一水洗处理以去除所述硬掩膜层的受暴区域，藉以形成一由所述硬掩膜层的未受暴区域构成的掩膜图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与集成电路的制作方法有关。更特定言的，本专利技术关于一种在半导体集成电路的制作期间使用单层阻材来。
技术介绍
在半导体晶圆的工艺期间，半导体组件的特征是以图形化的刻蚀掩膜来加以定义。现今半导体集成电路装置的制作流程中广泛地使用多层阻材来作为上述的刻蚀掩膜。 一个多层阻材一般会含有一图形化的阻质层(如光阻)、一中间层(如硅质层及/或一氮氧化硅层)、以及一底阻质层(如非晶硅碳薄膜)。前述的光阻会根据光学掩膜或光罩上的所欲图形来定义其光学图形，然后再加以显影来移除未受暴照的光阻(在正微影作法中)或受暴照的光阻(在负微影作法中)。而后所述图形化的光阻会在进一步的刻蚀步骤中作为掩膜的用，以刻蚀裸露出的中间层或底部的阻质层，将图形从所述图形化光阻转移到下层的所述中间层或底阻质层上。其后，所述图形化光阻会被移除。然后再进行一非等向性的干式刻蚀工艺来刻蚀那些未为所述图形化的底阻质层所覆盖的材料层，藉以形成电路特征。 然而,上述先前技术的缺点在于线路特征的线宽(critical dimension, CD)控制不易，其于光学微影工艺与/或干式刻蚀工艺期间可能会引起工艺变异与线宽差异。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成刻蚀掩膜的方法，其特征在于，包含有：提供一基材，其上具有一待刻蚀的材料层；于所述材料层上形成一硬掩膜层，所述硬掩膜层包含有一对辐射敏感的单层阻材；将所述硬掩膜层暴照在一光化能下，以改变所述硬掩膜层受暴区域的溶剂可溶性；以及对所述硬掩膜层进行一水洗处理，以去除所述硬掩膜层的受暴区域，藉以形成一由所述硬掩膜层的未受暴区域构成的掩膜图形。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，陈逸男，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：