石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法技术

本申请公开了一种石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法，其中，MOSFET包括：绝缘衬底；位于绝缘衬底上的氧化物保护层；嵌入氧化物保护层中的至少一条石墨烯纳米带，其中在氧化物保护层的侧表面上暴露所述至少一条石墨烯纳米带的表面；在所述至少一条石墨烯纳米带的每一个中形成的沟道区；在所述至少一条石墨烯纳米带的每一个中形成的源/漏区，其中沟道区位于源/漏区之间；位于所述至少一条石墨烯纳米带上的栅介质层；位于栅介质层上的栅极导体层；以及在氧化物保护层的侧表面上与源/漏区相接触的源/漏接触。本发明专利技术的方法可以降低石墨烯纳米带和MOSFET的生产成本，并且可以改善MOSFET的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种石墨烯纳米带的制造方法、金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)及其制造方法，具体地，涉及一种使用石墨烯(graphene)沟道的MOSFET及其制造方法。
技术介绍
石墨烯是碳原子以SP2轨道杂化按照蜂巢晶格(honeycomb crystal lattice)排列形成的单层二维晶体。石墨烯不限于单层石墨，而是可以包含两层或更多层的石墨，只要其表现出二维晶体的特性即可。近年对使用石墨烯的半导体器件进行了研究。石墨烯纳米带(graphene nano-ribbon)的宽度是纳米量级，因为尺寸效应可以获得有限的带隙，从而表现出半导体的特性。Hidefumi Hiura等人的美国专利申请No. US2010/0102292A1公开了一种使用石墨烯的半导体器件，其中对半导体石墨烯进行适当的掺杂以形成沟道区，并利用金属石墨烯形成源/漏区和栅极。然而，上述已知的半导体器件使用单条的石墨烯纳米带形成沟道，因而只能承载有限的沟道导通电流。·而且，已知的用于制造石墨烯纳米带的方法包括热解形成石墨烯层及对石墨烯层的图案化步骤，或者包括从较厚的石墨烯层剥离及层转移的步骤，以获得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造石墨烯纳米带的方法，包括：在绝缘衬底上形成包括籽层和生长抑制层的叠层；对叠层进行图案化以形成至少一个叠层条带，所述至少一个叠层条带暴露籽层的侧表面；以及在籽层的侧表面上生长石墨烯纳米带。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：