一种多层石墨烯的减薄方法技术

本发明专利技术公开了一种多层石墨烯的减薄方法，属于石墨烯器件制备技术领域。所述方法包括：将多层石墨烯样品放入等离子体浸没离子注入设备的腔室内；调整等离子体浸没离子注入设备的工艺参数达到预设定的工作范围，向等离子体浸没离子注入设备通入惰性气体；利用等离子体浸没离子注入技术，对多层石墨烯样品逐层溅射减薄；在保护气的作用下，将减薄后的石墨烯样品放入高温退火炉中退火，并冷却至室温。本发明专利技术提供的多层石墨烯的减薄方法，能够对多层石墨烯的厚度进行精确调整，尤其是能够对任意厚度的石墨烯进行减薄处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石墨烯器件制备
，特别涉及。
技术介绍
硅纳米材料一般在尺寸小于IOnm线宽时，由于受到一些物理因素的制约，因此会在器件制备过程中受到很大的限制。按照目前的技术水平，当硅纳米材料的尺寸小于IOnm线宽后，制备的器件性能很不稳定；同时，由于存在噪声不能达到较高的集成度，因此使目前纳米器件的高速度还不能完全得以突破，这就迫使人们去探索新一代的电子器件。作为二维材料体系的石墨烯，因其具有体积小、形状可控、电子的运动速度快(可达到光速的1/300)、以及单电子晶体管在室温下可运作等一些非常优异的性能而备受关注。早期对这种材料的研究只局限在理论方面，自从2004年石墨烯的成功制备，使得人们寻找到了一种可以替代传统硅半导体材料的新型纳米半导体材料。目前，普遍认为石墨烯在晶体管制备方面有着非常广阔的发展前景，尤其是单层石墨烯内部的电子不会发生散射，可以在网状结构的晶格中自由移动，利用这种特殊的性质，可以制备出转换速度极高的晶体管，从而提高器件的运转速度，对未来的科技发展有着很大地推动作用，理论上的可发展性目前已经被研究者们实施，基于单层膜结构的纳米半导体晶体管已经出现。石墨烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层石墨烯的减薄方法，其特征在于，所述方法包括：将多层石墨烯样品放入等离子体浸没离子注入设备的腔室内；调整所述等离子体浸没离子注入设备的工艺参数达到预设定的工作范围，向所述等离子体浸没离子注入设备通入惰性气体；利用等离子体浸没离子注入技术，对所述多层石墨烯样品逐层溅射减薄；在保护气的作用下，将减薄后的石墨烯样品放入高温退火炉中退火，并冷却至室温。

【技术特征摘要】
1.一种多层石墨烯的减薄方法，其特征在于，所述方法包括将多层石墨烯样品放入等离子体浸没离子注入设备的腔室内；调整所述等离子体浸没离子注入设备的工艺参数达到预设定的工作范围，向所述等离子体浸没离子注入设备通入惰性气体；利用等离子体浸没离子注入技术，对所述多层石墨烯样品逐层溅射减薄；在保护气的作用下，将减薄后的石墨烯样品放入高温退火炉中退火，并冷却至室温。2.如权利要求I所述的多层石墨烯的减薄方法，其特征在于，所述工艺参数包括腔室的等离子体电源的射频功率和脉冲偏置电压、惰性气体的流量和压强、以及等离子体注入时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗巍，解婧，李超波，夏洋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：