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本申请公开了一种石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法，其中，MOSFET包括：绝缘衬底；位于绝缘衬底上的氧化物保护层；嵌入氧化物保护层中的至少一条石墨烯纳米带，其中在氧化物保护层的侧表面上暴露所述至少一条石墨烯纳米带的表面；在所...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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