本发明公开了一种解封集成电路封装体的方法。首先，提供集成电路封装体。所述集成电路封装体至少包含一组电路和包围电路的封装材料。其次，提供腐蚀溶液，透过所述腐蚀溶液间断的接触封装材料的预定区域来刻蚀所述的封装材料。因此，腐蚀溶液仅从预定区域...

本发明公开了一种晶圆清洁方法，其包含：(1)提供一晶圆清洗设备，包含有一清洁海棉头，用来刷洗一待清洗晶圆的一表面；(2)进行一预调整流程，利用一虚设晶圆对清洁海棉头进行预调整；以及(3)进行一标准清洗流程，用经过预调整的该清洁海棉头刷洗...

本发明公开了一种获得集成电路布局设计的方法，其中，将集成电路芯片通过倾斜角度抛光而形成抛光斜面，并获得抛光斜面的一个或多个影像。将所述的多个影像直接重叠，或使用所述的影像或所述的多个影像用以提供数据，而获得包括布局结构的至少一重复单元结...

本发明公开一种解封集成电路封装体的方法。首先，提供集成电路封装体，集成电路封装体包含至少一电路与包围电路的封装材料。其次，连续的提供和排除腐蚀溶液，且所述腐蚀溶液连续的接触封装材料的预定区域而刻蚀封装材料。透过腐蚀溶液从预定区域移除封装...

本发明公开了一种光学透镜，包含一第一曲面以及设置在第一曲面上并与第一曲面直接接触的环型遮罩，其中环型遮罩阻挡了第一曲面上的一环型区域，以避免光线经过环型区域。本发明另外提供了一种使用该光学透镜的光学显微镜装置。

本发明公开了一种化学机械抛光的抛光液混合及输送系统，包括至少一容器，用于容纳抛光液、一泵浦，连接至所述容器，用于将所述抛光液输送至使用端、以及一抛光液分散单元，设置于所述泵浦与所述的使用端间，所述的抛光液分散单元提供超声波，使流经所述的...

本发明公开了一种化学机械抛光设备，包含一壳体；一平台设置在壳体中；以及一抛光头，用来固定并旋转一晶片。平台由一中央圆形部分和一周围环形部分所组成，且具有一间隙位在二者之间。一第一抛光垫设置在中央圆形部分上。一第二抛光垫设置在周围环形部分...

本发明公开了一种化学机械抛光系统，包含有一晶圆抛光单元，其产生一使用过的抛光液、一抛光液处理系统，用来接受并处理使用过的抛光液，藉以萃取出一碱液、以及一抛光后清洗单元，使用萃取出的碱液来清洗一经过抛光的晶圆表面。抛光后清洗单元包含有多个...

本发明公开了一种化学机械抛光系统，包含有晶圆抛光单元，此晶圆抛光单元包含废液底槽用来接受使用过的抛光液，以及废弃抛光液排放管路用来排放该使用过的抛光液，以及抛光后清洗单元，与该晶圆抛光单元结合，并且将该抛光后清洗单元的使用过的碱性化学物...

本发明公开了一种化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于包含：腔体；多个滚轮，用来支撑和旋转腔体中的晶片；至少一个清洁刷，用来刷洗晶片的待清洗表面；和液体喷洒装置，用来喷洒液体到晶片上，其中液体喷洒装置包含二个喷洒杆，其经由接合构件接合在...

本发明公开了一种清洗晶圆的方法，包含以下步骤：首先，将一晶圆放置在一清洗槽中，其中晶圆包含一金属层，多个粒子嵌入金属层的一表面，然后，进行一第一清洗步骤以超音波液体润洗晶圆，其中超音波液体被施加一超音波能量，进行第一清洗步骤之后，进行一...

一种增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，包括提供基底，包括沟槽；在沟槽的底部和侧壁形成氮化硅衬层；对氮化硅衬层进行处理制程，产生具有OH基团的亲水表面，以增加氮化硅衬层和后续步骤形成的聚硅氮烷涂布层的黏着性；及在沟槽的氮化硅衬层上形成聚...

一种电容器及其制作方法。此电容器包括第一电极、第一金属层、介电层以及第二电极。第一电极配置于基底上。第一金属层配置于第一电极上。介电层配置于第一金属层上，其特征在于第一金属层的材料不会与介电层的材料产生反应。第二电极配置于介电层上。本发...

本发明提供一种包含铜-铝电路连线的集成电路结构及其制备方法，其中该铜-铝电路连线包含一氮化硅铜(CuSiN)层。根据本发明的一实施例的包含铜-铝电路连线的集成电路结构制备方法，其包含以下步骤：提供一铜层；形成一包含氮化硅铜层的阻障层于该...

本发明提供一种包含铜-铝电路连线的集成电路结构及其制备方法，其中该铜-铝电路连线包含一阻障层。根据本发明的一实施例的包含铜-铝电路连线的集成电路结构制备方法，其包含以下步骤：提供一铜层；形成一阻障层连接该铜层，该阻障层包括一具有钽层及氮...

一种集成电路装置的反熔丝组件，包括：导电区，位于半导体基板内，该导电区沿第一方向延伸；介电层，位于该导电区的一部份上；第一导电插拴，位于该介电层上；第二导电插拴，位于该导电区的另一部份上；第一导电构件，形成于该第一导电插拴之上，该第一导...

本发明公开了一种栅极介电层的制备方法，包括以下步骤：形成一介电层于一半导体基板上；进行一氮处理工艺以形成一氮化层于该介电层上；进行一氧处理工艺以将氧植入该氮化层中；及进行一热处理工艺以形成一栅极介电层。并且，可进行一于该栅极介电层上形成...

一种形成自对准接触物的方法，包括：提供基板，其上具有晶体管，其中该晶体管包括罩幕层及形成于该罩幕层相对侧的一对绝缘间隔物；在该基板之上形成介电层，并覆盖该晶体管；移除该介电层的部份，以露出该晶体管的顶部；在该介电层与该晶体管的该顶部上顺...

本发明涉及集成电路的制备方法及接触插塞结构的制备方法，该接触插塞结构的制备方法的一实施例，包含下列步骤：于一半导体基板上形成一导电堆栈；于该导电堆栈上形成一图案化屏蔽；于该导电堆栈的一上部形成一凹部；于该凹部的表面及该图案化屏蔽上形成一...

本申请公开了一种形成沟槽隔离物的方法，包括提供基底，包括沟槽；在沟槽中形成多晶硅层；及对基底进行处理制程，使多晶硅层转换成隔离层，且调整处理制程使沟槽相对侧壁的隔离层扩大至彼此接触，使隔离层填满沟槽。