一种组件内隔离结构的制造方法，包括：提供半导体基板，其上形成有罩幕层；在该罩幕层与该半导体基板内形成多个第一沟槽；在该多个第一沟槽内形成第一绝缘层；移除该罩幕层的部份，以部份地露出位于该多个第一沟槽内的该第一绝缘层；在有该罩幕层所部份露...

本发明公开了一种形成埋入式位线的方法，其特征在于包括下列步骤。提供一衬底，且衬底具有一条状区域。在衬底的条状区域中形成一条状沟渠，其中条状沟渠具有一侧壁以及一底面。然后，加大条状沟渠的底面，使底面形成一弧状底面。接下来，在邻近弧状底面的...

本发明提供一种氧化聚硅氮烷层的方法，包括：提供基底；在基底中形成沟槽；在沟槽中形成聚硅氮烷层；及在施加超音波的含酸溶液中对聚硅氮烷层进行处理，以将聚硅氮烷层转换成氧化硅层，其中含酸溶液包括磷酸、硫酸、H2SO4添加O3(SOM)、H2S...

一种闸介电层的制作方法，其是先进行氧化处理，以于基底上形成氧化物层；然后，进行氮化处理，以于氧化物层上形成氮化物层；之后，在氮气与氧气的混合气体中进行回火处理，其特征在于回火处理的温度介于900℃至950℃之间，回火处理的压力介于5To...

本发明提供一种栅极介电层制备方法，包括以下步骤：形成一介电层于一半导体基板上；进行一氮处理工艺以形成一氮化层于该介电层上；及实质上于1150-1400℃进行一热处理工艺400-800毫秒，以形成一栅极介电层。并且，可进行一于该栅极介电层...

一种栅极介电层的制作方法。此栅极介电层包括氮化物层与氧化物层。此栅极介电层的制作方法是先提供基底。然后，进行氮化处理，以于基底上形成氮化物层。之后，进行氧化处理，以于氮化物层与基底之间形成氧化物层。本方法可以避免氮化处理时，氮穿过已形成...

本申请公开了一种对三维半导体组件进行边缘修整的方法，包括提供基底，基底上包括多个堆栈层，且基底中包括多个穿基底插塞(through?substrate?via，TSV)，其中基底的边缘是弧形；对基底的弧形边缘进行边缘修整步骤，以得到平坦...

本发明的一存储器电路包含一时脉驱动器和一芯片端接定时器。该时脉驱动器经配置以当该存储器电路在一读取模式时，根据一根时脉信号以提供一系统时脉信号，当该存储器电路不在该读取模式时，以停止提供该系统时脉信号。该芯片端接定时器经配置以当该存储器...

本发明提供一种多级接收器，其一实施例包含一输入级、一中间级及一输出级。该输入级经配置以提供一第一信号及一第二信号。该中间级耦合于该输入级，且包含一第一放大电路及包含一第二放大电路。该第一放大电路的正向输入端及负向输入端分别接收该第一信号...

本发明公开了一种使用金属双层的方法。首先，提供一下电极。其次，提供位于下电极之上并与其直接接触的介电层。然后，提供在一电容中作为上电极的金属双层。金属双层位于介电层之上并与介电层直接接触。金属双层由与介电层直接接触的贵金属以及与贵金属直...

本发明公开了一芯片堆叠封装结构，包括有n个芯片彼此堆叠，以及n条电子传递链与各芯片连接，各所述电子传递链呈现螺旋状扭转且彼此间互相绝缘，在本发明的其中一个实施例中，各个芯片结构基本上大致相同。在本发明的另一个实施例中，每一条电子传递链与...

本发明公开了一种研磨垫磨损状况检测装置，适用于化学机械研磨机，且包括臂状物及高度检测器。臂状物的一端固定在化学机械研磨机上。高度检测器设置于臂状物上，用以量测研磨垫的高度变化。本发明可实时地且准确地量测出研磨垫的磨损状况。

本发明公开了一种单边存取装置，包含：包含有一源极区域以及一漏极区域的主动鳍式结构；介于源极区域以及漏极区域之间的绝缘层；设置在主动鳍式结构一侧的沟渠绝缘结构；设置在主动鳍式结构相对于沟渠绝缘结构另一侧的单边侧壁栅电极，使主动鳍式结构夹置...

本发明公开一种具有沟槽式栅极结构的功率组件，其中栅极结构形成在一具有类波浪形侧壁的复合式沟槽中，功率组件包含：基底包，具有第一表面和第二表面，主体区具有第一导电型态设置于基底中，基极区具有第二导电型态设置在主体区中，阴极区具有第一导电型...

本发明公开了一种具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，包含：一半导体基底包含一有源区域，一第一绝缘区和一第二绝缘区同时设置在半导体基底中，并且有源区域位在第一绝缘区和第二绝缘区之间，一栅极结构设置在半导体基底中，其中栅极结构包含：一...

本发明提供一种具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其栅极结构具有至少一圆柱状鳍使得栅极结构的底部形成凹凸状，前述的凹入式栅极晶体管包含：半导体基底、第一絶缘区和第二絶缘区设置在半导体基底中，主动区域位在第一絶缘区和第二絶缘区之间、栅极结构设...

本发明公开了一种静电放电防护装置包括一基底、一井区、一第一掺杂区以及一第二掺杂区。基底具有一第一导电型，且基底与一第一电源节点电连接。井区具有一第二导电型，且设置于基底中。第一掺杂区具有第一导电型，且设置于井区中。第一掺杂区以及井区与一...

本发明提供一种检验图案、图案缝合检验方法及半导体晶片，该双重图案技术中的检验图案包括多个图案线段，所述多个图案线段包括至少一线型端线段及至少一非线型端线段，其中每一图案线段具有一缝合关键尺寸。本发明另提供一种半导体晶片，该半导体晶片具有...

一种金属重分布层的制造方法，包括：提供具有介电层形成于其上的半导体结构；在介电层内的第一区与第二区内分别形成第一开口与第二开口；在第一区内由第一开口所露出的介电层内形成多个第三开口，以及在第二区内由第二开口所露出的介电层内形成多个第四开...

本发明公开了一种化学机械研磨方法，其适用于在化学机械研磨机中使用疏水性研磨垫对基材进行研磨，且此化学机械研磨方法包括下列步骤。首先，对基材进行第一化学机械研磨过程。接着，对疏水性研磨垫进行第一清洗过程。然后，对基材进行第二化学机械研磨过...