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南亚科技股份有限公司专利技术
南亚科技股份有限公司共有2444项专利
组件内隔离结构的制造方法技术
一种组件内隔离结构的制造方法,包括:提供半导体基板,其上形成有罩幕层;在该罩幕层与该半导体基板内形成多个第一沟槽;在该多个第一沟槽内形成第一绝缘层;移除该罩幕层的部份,以部份地露出位于该多个第一沟槽内的该第一绝缘层;在有该罩幕层所部份露...
具有埋入式位线及垂直晶体管的存储装置以及其制作方法制造方法及图纸
本发明公开了一种形成埋入式位线的方法,其特征在于包括下列步骤。提供一衬底,且衬底具有一条状区域。在衬底的条状区域中形成一条状沟渠,其中条状沟渠具有一侧壁以及一底面。然后,加大条状沟渠的底面,使底面形成一弧状底面。接下来,在邻近弧状底面的...
氧化聚硅氮烷层的方法以及形成沟槽隔离结构的方法技术
本发明提供一种氧化聚硅氮烷层的方法,包括:提供基底;在基底中形成沟槽;在沟槽中形成聚硅氮烷层;及在施加超音波的含酸溶液中对聚硅氮烷层进行处理,以将聚硅氮烷层转换成氧化硅层,其中含酸溶液包括磷酸、硫酸、H2SO4添加O3(SOM)、H2S...
闸介电层的制作方法技术
一种闸介电层的制作方法,其是先进行氧化处理,以于基底上形成氧化物层;然后,进行氮化处理,以于氧化物层上形成氮化物层;之后,在氮气与氧气的混合气体中进行回火处理,其特征在于回火处理的温度介于900℃至950℃之间,回火处理的压力介于5To...
栅极介电层制备方法及栅极结构制备方法技术
本发明提供一种栅极介电层制备方法,包括以下步骤:形成一介电层于一半导体基板上;进行一氮处理工艺以形成一氮化层于该介电层上;及实质上于1150-1400℃进行一热处理工艺400-800毫秒,以形成一栅极介电层。并且,可进行一于该栅极介电层...
栅极介电层的制作方法技术
一种栅极介电层的制作方法。此栅极介电层包括氮化物层与氧化物层。此栅极介电层的制作方法是先提供基底。然后,进行氮化处理,以于基底上形成氮化物层。之后,进行氧化处理,以于氮化物层与基底之间形成氧化物层。本方法可以避免氮化处理时,氮穿过已形成...
对三维半导体组件边缘修整的方法及形成相应组件的方法技术
本申请公开了一种对三维半导体组件进行边缘修整的方法,包括提供基底,基底上包括多个堆栈层,且基底中包括多个穿基底插塞(through?substrate?via,TSV),其中基底的边缘是弧形;对基底的弧形边缘进行边缘修整步骤,以得到平坦...
存储器电路及其控制方法技术
本发明的一存储器电路包含一时脉驱动器和一芯片端接定时器。该时脉驱动器经配置以当该存储器电路在一读取模式时,根据一根时脉信号以提供一系统时脉信号,当该存储器电路不在该读取模式时,以停止提供该系统时脉信号。该芯片端接定时器经配置以当该存储器...
多级接收器制造技术
本发明提供一种多级接收器,其一实施例包含一输入级、一中间级及一输出级。该输入级经配置以提供一第一信号及一第二信号。该中间级耦合于该输入级,且包含一第一放大电路及包含一第二放大电路。该第一放大电路的正向输入端及负向输入端分别接收该第一信号...
具有金属双层的电容结构及其使用方法技术
本发明公开了一种使用金属双层的方法。首先,提供一下电极。其次,提供位于下电极之上并与其直接接触的介电层。然后,提供在一电容中作为上电极的金属双层。金属双层位于介电层之上并与介电层直接接触。金属双层由与介电层直接接触的贵金属以及与贵金属直...
芯片堆叠封装结构制造技术
本发明公开了一芯片堆叠封装结构,包括有n个芯片彼此堆叠,以及n条电子传递链与各芯片连接,各所述电子传递链呈现螺旋状扭转且彼此间互相绝缘,在本发明的其中一个实施例中,各个芯片结构基本上大致相同。在本发明的另一个实施例中,每一条电子传递链与...
研磨垫磨损状况检测装置制造方法及图纸
本发明公开了一种研磨垫磨损状况检测装置,适用于化学机械研磨机,且包括臂状物及高度检测器。臂状物的一端固定在化学机械研磨机上。高度检测器设置于臂状物上,用以量测研磨垫的高度变化。本发明可实时地且准确地量测出研磨垫的磨损状况。
单边存取装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明公开了一种单边存取装置,包含:包含有一源极区域以及一漏极区域的主动鳍式结构;介于源极区域以及漏极区域之间的绝缘层;设置在主动鳍式结构一侧的沟渠绝缘结构;设置在主动鳍式结构相对于沟渠绝缘结构另一侧的单边侧壁栅电极,使主动鳍式结构夹置...
具有沟槽式栅极结构的功率组件及其制作方法技术
本发明公开一种具有沟槽式栅极结构的功率组件,其中栅极结构形成在一具有类波浪形侧壁的复合式沟槽中,功率组件包含:基底包,具有第一表面和第二表面,主体区具有第一导电型态设置于基底中,基极区具有第二导电型态设置在主体区中,阴极区具有第一导电型...
具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管制造技术
本发明公开了一种具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管,其特征在于,包含:一半导体基底包含一有源区域,一第一绝缘区和一第二绝缘区同时设置在半导体基底中,并且有源区域位在第一绝缘区和第二绝缘区之间,一栅极结构设置在半导体基底中,其中栅极结构包含:一...
具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管制造技术
本发明提供一种具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管,其栅极结构具有至少一圆柱状鳍使得栅极结构的底部形成凹凸状,前述的凹入式栅极晶体管包含:半导体基底、第一絶缘区和第二絶缘区设置在半导体基底中,主动区域位在第一絶缘区和第二絶缘区之间、栅极结构设...
静电放电防护装置及其静电放电防护电路制造方法及图纸
本发明公开了一种静电放电防护装置包括一基底、一井区、一第一掺杂区以及一第二掺杂区。基底具有一第一导电型,且基底与一第一电源节点电连接。井区具有一第二导电型,且设置于基底中。第一掺杂区具有第一导电型,且设置于井区中。第一掺杂区以及井区与一...
检验图案、图案缝合检验方法及半导体晶片技术
本发明提供一种检验图案、图案缝合检验方法及半导体晶片,该双重图案技术中的检验图案包括多个图案线段,所述多个图案线段包括至少一线型端线段及至少一非线型端线段,其中每一图案线段具有一缝合关键尺寸。本发明另提供一种半导体晶片,该半导体晶片具有...
金属重分布层的制造方法技术
一种金属重分布层的制造方法,包括:提供具有介电层形成于其上的半导体结构;在介电层内的第一区与第二区内分别形成第一开口与第二开口;在第一区内由第一开口所露出的介电层内形成多个第三开口,以及在第二区内由第二开口所露出的介电层内形成多个第四开...
化学机械研磨方法技术
本发明公开了一种化学机械研磨方法,其适用于在化学机械研磨机中使用疏水性研磨垫对基材进行研磨,且此化学机械研磨方法包括下列步骤。首先,对基材进行第一化学机械研磨过程。接着,对疏水性研磨垫进行第一清洗过程。然后,对基材进行第二化学机械研磨过...
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