一种半导体构件的制造方法，包括下列步骤。首先，提供基底，基底中已形成有开口。接着，于基底上形成材料层，且材料层填满开口，而位于开口外部且位于开口上方的材料层中具有凹陷。然后，于凹陷的表面上形成牺牲层。接下来，进行化学机械研磨处理，以移除...

本发明涉及一种晶片平坦化方法，其中，将毯覆式停止层共形性形成于具有高度差的物质层上。进行第一化学机械抛光工艺，以去除位于突起区物质层上方的毯覆式停止层。进行第二化学机械抛光工艺以将晶片平坦化，这时，当物质层的相对高度小于或等于毯覆式停止...

本发明公开了一种沟槽式栅极结构，包括：基底，具有沟槽，其中沟槽包含内侧表面，而且沟槽分成下部区和上部区，栅极介电层设置于沟槽的内侧表面上，下部栅极电极设置于沟槽的下部区而且位于栅极介电层上，其中下部栅极电极包含凸出弧面，一个间隙壁位于沟...

本发明公开了一种调整栅极功函数的方法，其步骤包含提供一基底，一金属栅极设在基底上，一源极掺杂区和一漏极掺杂区分别设在金属栅极相对两侧的基底中，其中所述金属栅极分为一靠所述源极掺杂区的源极侧以及一靠所述漏极掺杂区的漏极侧，然后，形成一掩模...

本发明提供一种定义光阻图案倒线规则的模型、防止光阻图案倒线的掩膜布局、半导体基板及光阻图案倒线的定义方法。定义光阻图案倒线规则的模型，应用于光学近接修正，包括两第一尺寸、一第二尺寸、一第三尺寸及一第四尺寸，该第一尺寸及该第二尺寸相对应一...

一种辅助图案工具的匹配方法包括以下步骤：依据一特定测试布局(layout)以一第一辅助图案工具产生一目标辅助图案；依据该特定测试布局以一第二辅助图案工具产生一对比辅助图案；及比较该对比辅助图案与该目标辅助图案，以决定接受或拒绝该第二辅助...

本发明公开了一种降低透镜于成像程序中的透镜加热效应的方法，包含有：依据照明源与光掩膜设计来决定透镜上多个热负载位置、依据所述多个热负载位置来得到透镜响应特性，以及利用所述多个热负载位置与所述透镜响应特性来产生透镜加热敏感地图(lens?...

一种薄膜，适用于安装在化学机械研磨机的研磨头上，且薄膜包括主要部分及边缘部分。边缘部分位于主要部分的边缘，其特征在于主要部分与边缘部分之间的第一夹角为钝角。本发明可使经研磨后的基材具有较佳的表面平坦度。

一种距离监控装置，适用于化学机械研磨机，化学机械研磨机的研磨头包括框架及薄膜，薄膜装设于框架上，且薄膜与框架于研磨头中形成多个气囊。距离监控装置包括多个距离检测器，分别设置于气囊所对应的框架上，将各个距离检测器位于框架上的位置设为基准点...

一种隔离结构和包含隔离结构的元件结构，包括配置在半导体基底的沟渠中且导电型和基底相同的掺杂半导体层、介于掺杂半导体层和半导体基底之间的栅介电层，以及半导体基底中以从掺杂半导体层穿过栅介电层而来的掺质扩散而形成的扩散区。一种元件结构，包括...

本发明提供一种集成电路结构，其一实施例包含一半导体基板；一下介电层，设置于该半导体基板上；至少二层上介电层，设置于该下介电层上，其中该至少二层上介电层的一层为氧化铝层，另一层为氧化硅层；以及一导电层，设置于该至少二层上介电层上。本发明的...

本发明公开了一种钨化学机械抛光后清洗溶液的组成，其只包含羧酸以及去离子水。其特征在于，所述的羧酸可选自以下的群组：(1)单羧酸；(2)二羧酸；(3)三羧酸；(4)多羧酸；(5)羟基羧酸；(6)上述羧酸的盐类；以及(7)任何以上的组合。所...

本发明公开了一种对位误差的评估方法及其掩模，该掩模包括：多个元件区域，均匀地分布于该掩模上，各元件区域包括多个元件图案及多个当层检查图案，邻近于该多个元件图案；一对位标记，设置该掩模的边缘；其中该当层检查图案经配置以评估该掩模的图案偏移...

本发明的晶体管结构包含一半导体基板；一导电区块，设置于该半导体基板之中；一栅极介电层，设置于该导电区块及该半导体基板之间；一鼓形介电结构，设置于该导电区块及该栅极介电层之上。本发明同时涉及一种晶体管结构的制备方法。

本发明公开了一种动态随机存取存储器单元，包含：第一鳍式场效应晶体管以及第二鳍式场效应晶体管。所述第二鳍式场效应晶体管与所述第一鳍式场效应晶体管相邻，包含：源极随耦晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第一鳍片；存取晶体管，其位于所述第...

本发明公开了一种形成具有一双面晶体管的一动态随机存取存储器的方法和一种场效晶体管结构，包含有：提供一硅鳍式场效晶体管结构，其具有至少两个鳍片和位于所述两个鳍片之间的一沟槽；在每一鳍片的两侧形成多个高电阻门极；在每一对高电阻门极之间形成一...

本发明提供一种用于存储器的测试系统及测试方法，该测试系统包含：一控制装置、一地址产生装置、一数据扰乱装置以及一比较装置。该控制装置用以写入一第一数据至一存储器。该地址产生装置用以产生相应于该存储器的多个第一地址及多个第二地址。该数据扰乱...

本发明公开了一种掩模及决定掩模图案的方法，该掩模包括一基材及多个矩形区域，其中该多个矩形区域的透光性与该基材的透光性不同。该多个矩形区域是以阵列方式排列在该基材上，且该多个矩形区域间的间隙不均一。由此，该掩模具有较佳的归一化影像对数斜率...

本发明涉及一种光掩模、利用该光掩模形成叠对标记的方法及一种二次图案化工艺的对位精度提高方法，该光掩模包括多个图案，所述多个图案至少其中之一包括多个环状区域及多个内部区域，所述多个内部区域被所述多个环状区域所包围，其中所述多个环状区域的透...

公开了一种同步信号产生电路，包括延迟锁相回路、仿真器以及多任务器。延迟锁相回路用以根据计数值延迟参考时脉信号，以产生第一输出时脉信号。仿真器耦接至延迟锁相回路，用以提供延迟锁相回路功能，并包括可编程延迟线，用以接收参考时脉信号以及参考计...