本发明公开了一种片状凹形沟道栅电极，包括基材、栅极介电层、第一导电层与第二导电层。基材具有第一沟渠，栅极介电层位于第一沟渠的表面，而第一导电层嵌入第一沟渠中。第二导电层位于第一导电层上，并与第一导电层在主表面上对齐，其中第二导电层底部表...

本发明提供一种晶圆布植的方法。该晶圆布植的方法包含：提供晶圆，其中该晶圆包含中央圆形区域，以及外围环形区域，其中该外围环形区域与该晶圆的边缘相邻，且该中央圆形区域与该外围环形区域为同圆心；以及，以离子束布植该晶圆，使得该中央圆形区域具有...

本发明公开了一种堆叠电容结构及其制作方法，堆叠电容结构中的各个电容的上电极是借由一连结节点互相电连结，形成堆叠电容结构的步骤如下：首先，提供一絶缘基底，絶缘基底包括至少一掺质絶缘材料层和至少一絶缘材料层，接着图案化絶缘基底，而形成一沟渠...

本发明提供了一种脉冲式等离子体蚀刻方法及装置，应用于产生较少沟壁内凹的沟槽结构。该脉冲式等离子体蚀刻装置包括一容置腔、一上电极板、一下电极板、一气体供应槽、一第一超高射频电源供应器、一射频偏压电源供应器以及一脉冲模块。当该脉冲模块提供一...

本发明公开了一种制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法及装置。该方法包括以下步骤：置放基板于等离子蚀刻装置内，其中该等离子蚀刻装置包括一上电极板及一下电极板；持续提供一上源射频电力及一直流电力至该上电极板；以及间断地提供一偏压射频电力至该下电...

本发明公开一种半导体装置的脉冲式蚀刻方法及系统，方法包括：提供一半导体基板，其中一金属层设置于该半导体基板上，且一硬式掩模涂敷于该金属层之上；将该半导体基板插入一处理腔内；导引多种蚀刻气体进入该处理腔内，包括选自碳、氢及氟三种元素的至少...

本发明公开了一种延迟锁相回路包含：一第一延迟回路，用以延迟一输入信号来产生一第一输出信号；一第二延迟回路，用以对该输入信号除频并且延迟该输入信号，进而产生一第二输出信号，其中该第一输出信号的频率高于该第二输出信号的频率；一相位检测器，选...

一种具有埋入式字元线的DRAM结构及其制造方法与IC结构及其制造方法，其包括半导体基板、埋入于基板中并以第一闸介电层与基板相隔的记忆胞用字元线，以及埋入于基板中并以第二闸介电层与基板相隔的隔离字元线。记忆胞用字元线的顶面与隔离字元线的顶...

本发明公开了一种监测闸极导体对深沟渠电容错位的测试单元结构，以及测试方法。该测试单元结构包含：沟渠电容结构，包含多个沟渠电容线以及沟渠电容连结；埋藏带外扩散区，与该沟渠电容线的第一侧相邻；第一闸极导体结构，包含多个平行的第一闸极导体线以...

本发明提供一种内存装置的制造方法，包含：提供基板，所述基板包含深沟槽电容及闸极导电层结构；在该基板与该闸极导电层结构相邻的区域布植第一掺杂物，以在该闸极导电层结构的第一侧形成源极区以及在该闸极导电层结构的另一侧形成汲极区；对该基板布植第...

本发明公开了一种内存阵列以及一种用于在内存阵列中加速数据传输的方法。该内存阵列包含至少一对差动局部比特线、至少一对差动全域比特线、至少一栏选择信号线、至少一启动信号线以及局部感测加速器。该栏选择信号线用来将该对差动局部比特线充电至预定电...

本发明公开了一种沟渠式金属氧化物半导体结构，包括基材、外延层、掺杂井、掺杂区域和沟渠式栅极。第一导电类型的基材，具有第一面以及与第一面相对的第二面。第一导电类型的外延层，位于第一面上。第二导电类型的掺杂井，位于外延层上。第一导电类型的掺...

本发明公开了一种位于基材上，具有小于传统光刻技术极小尺寸的凸出结构，其包含一基材，以及位于基材上的一凸出物。凸出物具有一顶面、一底面与介于顶面与底面间的一倾斜侧壁。顶面具有不大于32nm顶宽的极小尺寸。

本发明公开了一种具有小于传统光刻技术极限极小尺寸的立方体凸出结构，包含基材，以及位于基材上的凸出物。凸出物具有圆角化的垂直侧壁、凸出宽度与凸出长度，其中凸出宽度与凸出长度的至少一者，具有不大于33nm极小尺寸。

本发明公开了一种金属氧化物半导体测试结构。划片槽区域位在基材上，基材为第一导电类型，具有第一面以及与第一面相对的第二面。第一导电类型的外延层位于第一面上、第二导电类型的掺杂井位于外延层上、而第一导电类型的掺杂区域位于掺杂井上。具有第一深...

本发明公开了一种凸块结构包含一基体部分、一嵌入部分以及一尾端突出部分。基体部分接合于一接合地址上。嵌入部分压入基体部分的一顶面。尾端突出部分自嵌入部分延伸出。此外，亦提出此凸块结构的形成方法。

本发明公开了一种修复具有漏电流问题的半导体结构的方法。此方法包括借由施加来自电性测试装置的测试电压而发现一半导体结构具有漏电流问题，以及，对此半导体结构施加一强制电压以使位于二个导电元件间的一悬丝或悬桥熔融或氧化。

本发明涉及一种贮存晶片的方法，该方法将多个晶片置于晶片盒中，将晶片盒密封并抽气到真空以贮存晶片。如此，晶片就在晶片盒内与环境空气隔开贮存，不需要充填氮气。本发明还涉及一种贮存晶片的方法，该方法将晶片输送装置上所运输的托座携带的晶片放置于...

本发明公开了一种形成栅极导体结构的方法。其特征在于包括：提供基材，其上设置有栅极层，栅极层包含有第一层及第二层；于栅极层上形成多层硬掩模，而且多层硬掩模包含有第一硬掩模层、第二硬掩模层和第三硬掩模层；于多层硬掩模上形成光致抗蚀剂图案；进...

本发明公开了一种于半导体基材中蚀刻沟槽的方法，其特征在于包括：于半导体基材上形成图案化硬掩模；及进行等离子体蚀刻工艺，并且利用图案化硬掩模作为蚀刻抵挡掩模，在未被图案化硬掩模覆盖的半导体基材中蚀刻出沟槽，其中等离子体蚀刻工艺是使用无氟碳...