本发明公开了一种用在测试存储器模块的装置，其特征在于包括有第一电路板、一个具有垂直方位而和第一电路板耦接的第二电路板、设置在第一电路板上表面的插槽、以及一个位于第一电路板和第二电路板间的接点处，电性连结第一电路板和第二电路板的弹性件，其...

一种半导体的制造方法。于一蚀刻机台中提供一基底，基底上形成有多个第一导体图案、一阻障层以及一图案化绝缘层，其中第一导体图案之间具有多个第一开口，阻障层覆盖第一导体图案的表面与第一开口的表面，图案化绝缘层形成于第一导体图案上且具有多个第二...

一种包角晶体管及其制造方法，该制造方法包括在衬底中形成隔离结构，定义出有源区。之后，进行处理工艺，使有源区的衬底两边具有尖角。接着，于有源区的衬底的表面上覆盖栅介电层。然后，于栅介电层上形成栅极导体层。于栅极导体层两侧的衬底中形成源极区...

本发明公开了位在第二导电层上的氮化硅层的运用方式，在蚀刻第二导电层后，形成一氧化硅间隙壁，而定义出一间隔，然后形成另一氮化硅层填满前述的间隔，接着，移除氧化硅间隙壁，最后蚀刻第一导电层而分开位元线和单元接触线。

一种导电接触物的制造方法，包括：提供半导体基板，其上具有介电层且其内具有两个导电区与隔离组件，而该隔离组件隔离了该两个导电区；在该介电层内形成开口，露出该隔离组件的顶面及该两个导电区的部份顶面；施行磊晶程序，在该开口内形成导电半导体层，...

一种导电接触物的制造方法，包括：提供半导体基板，其具有位于第一区内的闸结构与一对第一导电区，及位于第二区的一对第二导电区与隔离组件及位于其上的第一介电层及第二介电层；在第一区内的半导体基板上形成第三介电层及第四介电层；在第二区内的第二介...

本发明公开了一种沟渠式金氧半导体结构，包含基材、外延层、沟渠、栅极绝缘结构、沟渠式栅极、保护环、以及位于此保护环中的强化结构。基材具有第一导电型、第一面、以及相对第一面的第二面。外延层具有第一导电型并位于第一面上。沟渠位于外延层中。栅极...

一种半导体的制造方法。包括：于衬底上形成掩模层，掩模层具有暴露出部分衬底的第一开口。藉由所述掩模层为掩模，进行干式蚀刻工艺，于衬底中形成第二开口，其特征在于第二开口具有底部与由底部向上向外延伸的侧壁，掩模层的第一开口暴露出第二开口的底部...

本发明公开了一种决定具有最佳聚焦深度的照明光源的方法，包含首先提供多个照明光源中每个照明光源的模拟最佳关联性和模拟失焦关联性。其次，决定模拟最佳关联性的最佳峰值，模拟失焦关联性的失焦峰值，一给定照明光源的最佳关联性斜率和一给定照明光源的...

本发明公开了一种叠对标记组，包括第一叠对标记与第二叠对标记。位于基材上的第一叠对标记用来代表第一布局图案，同时位于基材上的第二叠对标记则用来代表第二布局图案，而且第一叠对标记直接接触第二叠对标记。

一种半导体制程。提供基底，其上有多个栅极，栅极包括硅层、硅化金属层以及顶盖层且两侧有掺杂区。形成绝缘层，以覆盖存储单元区与周边区。于存储单元区的绝缘层中形成多个第一接触窗开口，第一接触窗开口位于两相邻的栅极之间且暴露掺杂区。于第一接触窗...

本发明公开了一种降低凹槽侧壁上的条痕的方法，包含首先提供一衬底，一光阻层覆盖衬底，然后图案化前述光阻层以形成一图案化光阻层，进行一修补工艺，修补工艺包含以修补气体对图案化光阻层进行处理，修补气体包含CF4、HBr、O2或He，在修补工艺...

本发明公开了一种利用含硅掩模形成沟渠的方法，包括：首先，形成一基底，并且一含硅掩模覆盖在所述基底上，然后注入抗蚀刻掺质到含硅掩模，使得含硅掩模变为一抗蚀掩模，接着图案化基底和抗蚀掩模，而形成至少一沟渠，之后再形成一含硅材料层填满沟渠，最...

本发明公开了一种利用光刻层降低微负载效应的方法，本发明的方法包含下面的步骤：首先，提供一基底，其中基底划分为一高密度区和一低密度区，形成一高密度图案于高密度区内并且形成一低密度图案于低密度区内，然后形成一光阻层覆盖低密度区，最后以高密度...

本发明公开了一种深沟渠电容的制作方法，包含：首先提供一基底包含一沟渠，然后形成一下电极于基底中并且围绕沟渠的底部，再形成一电容介电层环绕沟渠的一内侧侧壁，接着形成一第一导电层填入沟渠，之后形成一材料层于基底上，再形成一孔洞于所述材料层中...

本发明公开了一种测试布局结构，其具有第一高度、与第一矩形的第一氧化物区域位于基材上，具有与第一高度实质上不同的第二高度与第二矩形的第二氧化物区域，也位于基材上并毗邻第一氧化物区域。多个边界区域位于第一氧化物区域和第二氧化区之间。测试布局...

本发明提供一种重叠标记和重叠标记制备方法，重叠标记制备方法包括以下步骤：形成一图案化层于一基板上，其中该图案化层包括至少一标记单元形成区域，每一标记单元形成区域包括二纵向凹部及多个横向凹部，所述多个横向凹部连接所述多个纵向凹部；由所述多...

本发明公开了一种内存装置的制造方法。该内存装置的制造方法包含：提供形成于基板上的多个闸极结构，该闸极结构包含配置于该闸极结构的上表面上的覆盖层，且每两个相邻闸极结构被间隙所分隔；在该基板上坦覆地形成多晶硅层以填满该间隙；对该多晶硅层进行...

一种半导体装置的通孔形成的方法，包括以下步骤：提供一光阻层，所述光阻层具有图案，所述图案用来定义通孔的开口，所述光阻层具有热交联材料且设置在一个结构层上；进行第一次干蚀刻工艺，透过所述通孔的开口蚀刻所述结构层至第一深度；热烤所述热交联材...

本发明公开了一种在半导体基板上形成凹陷阵列元件结构的方法，包括以下步骤：提供一包含半导体基板及第一材料的基材；形成多个第二凹陷于该半导体基板上；形成一第二材料于所述多个第二凹陷内；形成一金属层于该第二材料及该基材上，其中该金属层包括一第...