距离监控装置制造方法及图纸

一种距离监控装置，适用于化学机械研磨机，化学机械研磨机的研磨头包括框架及薄膜，薄膜装设于框架上，且薄膜与框架于研磨头中形成多个气囊。距离监控装置包括多个距离检测器，分别设置于气囊所对应的框架上，将各个距离检测器位于框架上的位置设为基准点，各个距离检测器用以测量各个基准点与薄膜之间的距离。本发明专利技术可使经研磨后的基材具有较佳的表面平坦度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种距离监控装置，尤其涉及一种用于化学机械研磨机的距离监控装置。
技术介绍
随着元件尺寸持续缩减，微影曝光解析度相对增加，伴随着曝光景深的缩减，对于晶片表面的高低起伏程度的要求更为严苛。因此在进入深亚微米的制程时，晶片的平坦化 就依赖化学机械研磨制程来完成，它独特的非等向性磨除性质除了用于晶片表面轮廓的平坦化之外，亦可应用于垂直及水平金属内连线的镶嵌结构的制作、前段制程中元件浅沟渠隔离制作及先进元件的制作、微机电系统平坦化和平面显示器制作等。化学机械研磨主要是利用研衆中的化学助剂(reagent),在晶圆的正面上产生化学反应，形成易研磨层，再配合晶圆在研磨垫上，藉由研衆中的研磨粒(abrasiveparticles)辅助的机械研磨,将易研磨层的突出部分研磨,反复上述化学反应与机械研磨，即可形成平坦的表面。然而，晶圆的刚性(rigidity)越低会导致晶圆的弯曲(bending)程度越高。当晶圆产生弯曲时，会使得晶圆在进行化学机械研磨时各区域的研磨速率不同，进而产生晶圆表面平坦度不佳的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种距离监控装置，其可即时得知基材在研磨时的表面平坦度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种距离监控装置，适用于一化学机械研磨机，该化学机械研磨机的一研磨头包括一框架及一薄膜，该薄膜装设于该框架上，且该薄膜与该框架于该研磨头中形成多个气囊，该距离监控装置包括：多个距离检测器，分别设置于该些气囊所对应的该框架上，其特征在于将各该距离检测器位于该框架上的位置设为一基准点，各该距离检测器用以测量各该基准点与该薄膜之间的距离。

【技术特征摘要】
2011.04.13 US 13/086,3671.一种距离监控装置，适用于一化学机械研磨机，该化学机械研磨机的一研磨头包括一框架及一薄膜，该薄膜装设于该框架上，且该薄膜与该框架于该研磨头中形成多个气囊，该距离监控装置包括 多个距离检测器，分别设置于该些气囊所对应的该框架上，其特征在于将各该距离检测器位于该框架上的位置设为一基准点，各该距离检测器用以测量各该基准点与该薄膜之间的距离。2.根据权利要求I所述的距离监控装置，其特征还包括 一气体供应器，连通至该些气囊；以及 一距离控制器，耦接至该些距离检测器与该气体供应器，以依据该些距离检测器所反馈的数据，而决定该气体供应器输送至该些气囊中的气体流量，以控制该些气囊中的气压。3.根据权利要求2所述的距离监控装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖建茂，陈逸男，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：