一种半导体装置，包括基底；鳍型态半导体层，设置在基底上；栅极介电层，设置在鳍型态半导体层的顶部和侧壁；金属氮化层，设置在栅极介电层上；以及掺杂铝的金属氮化层，设置在金属氮化层上，以防止金属氮化层氧化。在本发明一实施例中，金属氮化层是氮化...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件的制造方法包括：于一基底上形成多个柱状体。利用非共形线状原子层沉积法（ＮＯＬＡ）于柱状体的上表面及侧壁上形成一连续的第一氧化层，第一氧化层连续覆盖柱状体且具有至少一第一开口。移除部分第一...

一种具有散热通孔的集成电路结构，其包含一半导体基板、一设置于该半导体基板中第一区的有源元件、一设置于该半导体基板中第二区的堆叠层、一贯穿该堆叠层与该半导体基板的通孔，以及一设置于该通孔与该半导体基板之间的第三介电层。在本发明的一实施例中...

本发明公开了一种平坦化凹槽的方法，首先，提供一基底包括一凹槽部分和一平坦部分，然后，进行一氧化速率改变步骤用来改变凹槽部分的氧化速率，使得凹槽部分的氧化速率与平坦部分的氧化速率不相同，然后，形成两层氧化层分别位于凹槽部分和平坦部分，上述...

本发明公开了一种裸片封装结构，包含：一第一裸片；一第二裸片；一核心材料层，位于该第一裸片和该第二裸片之间；至少一通孔，通过该第一裸片、该第二裸片以及该核心材料层；一金属材料，填入该通孔中，使得该第一裸片、该第二裸片以及该核心材料层可以彼...

本发明涉及一种电阻式随机存取存储器(RRAM)结构，其包括电阻层，电阻层包括介电层及对形成后的介电层进行处理而导入的过量氧离子或氮离子。当对RRAM施加电压时，氧离子或氮离子占据介电层中的空位，而增加电阻层的电阻。当对RRAM施加另一个...

本发明公开了一种混合模式输入缓冲器，包含有一输入晶体管、一第一参考晶体管以及一第二参考晶体管。该输入晶体管具有至少一栅极端，其中该输入晶体管的该栅极端连接至一外部所产生的外部输入信号。该第一参考晶体管具有至少一栅极端，其中该第一参考晶体...

本发明提供用于承托多个芯片封装体的承载装置以及承载组件，其中芯片封装体的中央区无锡球形成于其上，且芯片封装体的周边区具有锡球形成于其上。承载装置包含托盘组件，以及多个支撑物设置在托盘组件上，其中每个支撑物承托各自的芯片封装体的中央区。承...

本发明公开了一种单边栅极鳍状场效晶体管，包含一有源鳍状结构、一漏极掺杂区与一源极掺杂区、一绝缘区域、一沟渠绝缘结构以及一单边侧壁栅极。有源鳍状结构包含两相邻的增大头部、一超薄基部，以及衔接各增大头部与超薄基部的一渐缩颈部。漏极掺杂区与源...

一种无缝填隙方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括具有缺口设置于其内的组件膜层，所述缺口具有大于4的深宽比；在所述缺口所露出的所述组件膜层上形成衬层；在所述缺口内的所述衬层上形成第一未掺杂氧化物层；在所述缺口内的所述第一未掺杂氧...

一种双沟道晶体管及其制作方法，该双沟道晶体管设于基底上，前述基底具有向第一方向延伸的第一浅沟槽隔离和向第二方向延伸的第二浅沟槽隔离定义出有源区域，前述的双沟道晶体管系设于有源区域上，双沟道晶体管包括栅极沟槽嵌入在有源区域，并且向第二方向...

一种半导体光刻工艺包含：提供基材；于基材上形成光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层曝露于第一光源下，进行相对较低剂量的全面预曝光；将光致抗蚀剂层以步进及扫瞄的方式曝露于第二光源下，进行相对较高剂量的主曝光；于烘烤之后，对光致抗蚀剂层进行显影工艺。

一种直通基底穿孔结构及其制造方法，该制造方法包含：提供半导体基底；蚀刻第一通孔于半导体基底中；形成间隙壁于第一通孔的侧壁；经由第一通孔蚀刻半导体基底，以形成第二通孔；湿蚀刻第二通孔，以形成瓶状通孔；形成绝缘层，在瓶状通孔底部的内壁；沉积...

半导体存储元件，其设置于硅覆绝缘半导体基底上。半导体存储元件具有二个晶体管单元和三个接点，三个接点分别为源极、读取漏极和写入漏极，写入漏极为重掺杂区可诱发高程度的撞击游离效应，以增进存储元件的写入速度，存储元件的浮置区域亦是重掺杂区，其...

一种防止雾化的半导体装置及工艺，其在光掩模的不透光区上涂布光触媒层，当曝光时，照射于晶片上的光源也同时照射光触媒层，使得光触媒层活化而移除会形成雾化粒子的反应物，进而防止雾化现象，所以光掩模不需因为雾化而经常清洗，因此可降低清洗光掩模的...

本发明公开提供一种基材具有导通孔的半导体元件及其制作方法，前述的导通孔仅会产生极小的热膨胀应力，导通孔贯穿一基底，其包含一外管贯穿基底、至少一内管设置于外管内、一介电层覆盖该外管的一侧壁与内管的一侧壁与一底部、一提升强度材料层填入内管以...

一种磁阻式随机存取存储器元件，包含有：下部电极，设于第一绝缘层中；环状参考层，位于第二绝缘层的第一介层洞内，该第二绝缘层位于该第一绝缘层上，且该环状参考层位于该下部电极正上方；第一填缝材料层，填入该第一介层洞中；阻障层，覆盖该环状参考层...

本发明公开了一种电性对准标记组及其使用方法。此电性对准标记组包含一顶标记与一底标记。顶标记包含位于顶晶圆的多个垫，以及与这些垫所电连接的监督介层道。底标记包含多个底垫，有的与监督介层道对应，而有的与此等垫对应。多个底垫彼此电连接，使得当...

一种双垂直沟道晶体管，包含：音叉型基底；埋入式位线埋入凹槽的底部，其中凹槽位于音叉型基底的两个尖叉部之间；第一源/漏极区位于音叉型基底内并紧邻该埋入式位线；第二源/漏极区位于音叉型基底的尖叉部的顶部；外延层连接音叉型基底的尖叉部，且外延...

可局部校正的电流源及其相关的微型芯片与方法。该微型芯片可依据参考电流来校正一局部电路，其包含有：至少一第一电路，设置于该微型芯片上；至少一第一局部偏压产生电路，用来产生一偏压电流以输入至第一电路中；一外接式参考电流源，通过一第一导线耦接...