本发明提出一种光罩及其制作方法，该光罩包含一透光区以及一遮光区，其中该遮光区包含多个光子晶胞，每一个该光子晶胞具有一正六边形的受光面，且多个该光子晶胞的晶格常数与光源的波长的比值为一特定值，从而该光源无法通过由多个该光子晶胞所组成的遮光区。

本发明提供一种扫描曝光方法，包括：将一掩模及一基板往一方向相对移动，其中该掩模及该基板在单次照射的移动过程中，具有至少二种不同的等相对速度，以使该基板一被曝光的照射区域具有一期望尺寸。本发明的扫描曝光方法，能够减少当下一晶片的叠对测量数...

本发明公开了一种堆叠电容的储存电极结构及其制作方法。该堆叠电容的储存电极结构，包含有基底，其上设有导电区域；蚀刻停止层，覆盖该导电区域；导电层，穿过该蚀刻停止层，而与该导电区域电连接；环形的导电间隙壁，设于该导电层侧壁上，其中该导电间隙...

披露了一种修正掩膜布局图形的方法。该方法包括，首先，提供一布局图形，包含至少一段落，其中前述段落设有多个评估点，然后，解译布局图形，以获得一解译图形和一段落解译图形，前述的段落解译图形系为解译后的段落，之后，计算段落与段落解译图形，分别...

本发明涉及一种温度检测器及其使用方法。本发明的温度检测器包含第一电流镜、第二电流镜、第一脉冲产生器、第二脉冲产生器、相位检测器和控制器。所述第一电流镜的电流会随温度变动，而所述第二电流镜的电流不会随温度变动。当所述第一脉冲产生器的输出脉...

本发明揭示一种动态随机存取存储器，包括衬底、位线、字线、凹入式沟道、导电插塞和沟槽式电容器。在前述动态随机存取存储器中，位线是以第一方向配置于衬底上，字线则以第二方向配置于位线上。而凹入式沟道是位于字线下方的两位线间的衬底中，导电插塞连...

本发明提供一种多芯片堆迭封装体，包括一第一线路基板、一第一芯片、一第二线路基板以及一第二芯片。第一芯片配置于第一线路基板上，且第一芯片具有一远离第一线路基板的第一有源面。第二线路基板配置于第一芯片上，第二线路基板包括一介电层、一第一线路...

本发明提供一种降低存储器漏电流的方法，适用于一存储器，此存储器包括：存储单元（ｍｅｍｏｒｙ　ｃｅｌｌ）、等位电路、限流单元（ｃｕｒｒｅｎｔ　ｌｉｍｉｔｅｒ）、字线与一对互补位线。当存储单元进入预充电模式后，等位电路与限流单元正常操作以对...

本发明提供一种存储器操作方法。当存储器处于重置模式时，强迫存储器的主要数据线（ＭＤＱ）与区域数据线（ＬＤＱ）为逻辑高电位。选择存储器的栏位选择线（ＣＳＬ）与字线，以打开存储器的存储单元。将主要数据线与区域数据线的逻辑高电位写入至被打开的...

一种用来产生一理想上升或是下降时间的系统，其包含有：一第一电流源，用来提供一第一电流；一可调式电容组件，耦接于该第一电流源，用来依据由一比较讯号所控制的一总电容来产生一输出讯号；一讯号转换电路，耦接于该可调式电容组件，用来当该输出讯号的...

本发明公开了一种抗紫外线、抗漏电的半导体结构及其制作方法，其特征在于使用非晶硅取代已知技术中所使用的富氧硅层或超富氧硅层，以改善蚀刻控制问题。本发明另一特征在于接触洞内使用氮化硅间隙壁，以解决导电层漏电的问题。

本发明涉及用于动态随机存取存储器的字线驱动器及其驱动方法，所述字线驱动器包含多路复用器、反相器和晶体管开关。所述多路复用器的一端连接到字线充电电压，另一端连接到外部电压，其中所述外部电压小于所述字线充电电压，且初始输出所述外部电压。所述...

本发明公开一种半导体元件图案化的工艺方法，包括步骤如下：提供一基底，依序形成一目标层以及一衬层于该基底上；图案化该衬层，该衬层形成多个矩形岛状结构单体；接着，形成一间隙壁材料层于所述多个矩形岛状结构单体和该目标层上；然后，除去部分间隙壁...

本发明提供一种存储器模块，其包含有多个存储器次模块以及多组输入接脚，其中每一个存储器次模块包含有多个存储器芯片且该多个存储器芯片串联，此外，该多组输入接脚分别耦接至该多个存储器次模块，用以接收相同的多个输入信号，其中每一组输入接脚包含有...

本发明公开了一种曝光系统、光罩及其设计方法，该曝光系统包含一光源系统和一光罩，该光源系统用于产生一曝光光源，而该光罩运用光子晶体作为该光罩之遮光区，其中光子晶体之晶格常数与曝光光源之波长的比值是被设定于该光子晶体的光子频隙内，因此该曝光...

本发明提出一种提高半导体图形分辨率的方法，通过至少两次离子斜向入射的程序来提高微影制程的分辨率，该方法包括以下步骤：提供一半导体基层，其上具有一保护层、一第一蚀刻层以及一光阻层；去除该光阻层的一部分形成一开口，露出该第一蚀刻层的槽底部分...

一种用来补偿一驱动电路回转率的装置和方法，该装置包含有：一第一电路，用来接收来自该驱动电路的一边缘跃迁以产生正比于该边缘跃迁实际斜率的一第一脉冲；一第二电路，用来接收该驱动电路的一理想边缘跃迁且产生正比于该理想边缘跃迁的一理想斜率的一第...

本发明提供一种光源极化功率比的反馈控制系统及其反馈控制方法，其利用在光掩模基板上设置一标记，并使用一侦测器侦测光源通过该光掩模上的标记后所产生的折射光或反射光的能量，再将测得的能量值输入一处理器中运算，接着处理器将运算结果反馈至一极化转...

本发明公开了一种光刻装置，其包含一光源，提供一第一光线和一第二光线、一光掩模、一偏光控制系统，介于光源与光掩模之间、一晶片平台，用来放置一晶片，以及一透镜，介于光掩模与晶片平台之间，其中偏光控制系统将入射的第一光线的偏振方向，转换成一第...

一种元件图案的制造方法，可形成线距小于曝光极限的图案。此方法包括下列步骤；首先，于衬底上的预定区域中形成具有第一密度的第一图案，第一图案包括沿着第一方向的基部及沿着第二方向的至少二个突出部，且突出部与基部相连。接着，于各个突出部的侧壁上...