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南亚科技股份有限公司专利技术
南亚科技股份有限公司共有2444项专利
晶片对准的方法技术
本发明提供一种晶片对准的方法。首先,提供晶片,包含第一材料层和第二材料层,第二材料层位于第一材料层上,其中第一材料层包含第一对准标记,然后,在曝光机台中,测量第一对准标记的位置,之后,图案化第二材料层,并且通过图案化的第二材料层形成第二...
延迟线以及使用此延迟线的存储器控制电路制造技术
一种延迟线,包含:至少一延迟单元,其中延迟线使用延迟单元中,至少其一延迟输入信号延迟以形成输出信号,且延迟单元是以拟似N型金属氧化物半导体(Pseudo?NMOS)实施。本发明还公开了使用此延迟线的存储器控制电路。
可降低易失性存储器的电能消耗的方法及其相关装置制造方法及图纸
本发明关于可降低易失性存储器的电能消耗的方法及其相关装置。其中该用以降低易失性存储器中的电能消耗的方法,包含有于一位线阵列发生字线至位线短路时,根据一漏电流控制讯号,关闭对应于该位线阵列的一位线电源管控元件;根据一读写控制讯号,控制对应...
可降低存储器漏电流的方法及其相关装置制造方法及图纸
一种可降低存储器漏电流的方法及其相关装置,包含有提供一第一电压给主字线驱动装置;提供一电压值高于第一电压的第二电压给区字线驱动装置;以及于区字线驱动装置中使用一绝对阈值电压高于一特定值的一晶体管。
存储器存取控制方法技术
本发明提供一种存储器控制方法。对读写指令进行解码以产生模式寄存设定信号,当模式寄存设定信号为致能时,锁存器会输出记忆库选择信号,记忆库选择信号接着被解码并产生寄存器选择信号。此寄存器选择信号可选择寄存器,以将地址信号写至被选择的寄存器。...
随机存取存储器及其执行资料重置方法技术
本发明公开一种随机存取存储器及其执行资料重置方法,其中随机存取存储器具有状态机。所述执行资料重置方法包括下列步骤,首先,提供状态机重置信号至随机存取存储器。接着,延长状态机重置信号一预定时间。然后,在此预定时间内,对随机存取存储器执行资...
电压选择电路、电压提供电路、及信号延迟系统技术方案
本发明关于电压选择电路、电压提供电路、及信号延迟系统。其中该电压提供电路,包含:一第一电压提供电路,产生一第一电压;一开关元件,接收第一电压;一第二电压提供电路,用以提供一第二电压;一控制电路,用以控制开关元件以及第二电压提供电路,其中...
降低存储器漏电流的方法与存储器存取方法技术
本发明提供一种降低存储器漏电流的方法。在存储器开机时,执行备用栏位检测,以找出存储器的损坏存储单元。接着根据备用栏位检测结果,切断损坏存储单元与预充电电压源间的电流路径。如此,当存储器在预充电时,损坏存储单元的位元线不会被预充电,以避免...
动态随机存取内存行命令地址的控制电路及方法技术
本发明提供了一种行命令地址的控制电路,其中该行命令地址对应于一动态随机存取内存数组的一特定行,该控制电路包括一控制单元与一先进先出缓存器。该控制单元确定一第一周期数,且同步地产生一输入指针与一输出指针,其中该输出指针落后该输入指针该第一...
相位移掩模及其形成图案的方法技术
本发明公开了一种相位移掩模以及使用此相位移掩模形成图案的方法。此相位移掩模包含玻璃基板与位于玻璃基板表面的图案、第一相位移区、第二相位移区以及第三相位移区。第一相位移区与第二相位移区彼此平行交互排列且第三相位移区位于第一相位移区的末端。
半导体芯片封装结构制造技术
本发明提供一种半导体芯片封装结构,包括:一封装基板,其具有一第一表面和一第二表面,上述第二表面位于上述第一表面的相反侧;一通孔,穿过上述封装基板;一半导体芯片,设置于上述封装基板的上述第一表面上,上述半导体芯片的一下表面覆盖于上述通孔的...
半导体组件测试装置与方法制造方法及图纸
本发明提供一种半导体组件测试装置与方法,用以对一测试组件阵列进行测试,其中测试组件阵列包含相互交错的多个行与多个列,并且半导体组件测试装置包含第一测试电路与第二测试电路。第一测试电路传送时序信号、输入指令信号与数据信号至测试组件阵列中的...
探针卡和电路板制造技术
本发明提供一种探针卡,其电路板依顺时针分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域,其中第一区域中的电路布线图样对应于第三区域中的电路布线图样,第二区域中的电路布线图样对应于第四区域中的电路布线图样,而第一区域和第二区域的电路布线图样不同...
电路板的金手指的制作方法技术
本发明公开了一种电路板的金手指的制作方法,包括先提供一个电路板,这个电路板设有待切削的一板边(board edge)。然后,于电路板上形成一个铜导线图案,此一铜导线图案包括数个金手指本体,以及数条镀金导线,其中各镀金导线分别和各金手指本...
时钟接收器及相关的半导体存储模块与校正方法技术
本发明提供一种时钟接收器及相关的半导体存储模块与校正方法。该时钟接收器包括:一接收单元,用以接收一对互补的时钟信号,并产生一第一时钟信号;以及一校正单元,用以检测该对互补的时钟信号的交叉点是否产生偏移,产生一检测结果,并由此调整该第一时...
延迟电路制造技术
一种延迟电路,分别延迟输入信号的上升沿和下降沿,延迟电路包括第一和第二延迟线、控制电路以及第一和第二逻辑电路。第一延迟线接收第一输入信号并延迟第一输入信号第一延迟时间以输出第一延迟输出信号。第二延迟线接收第一输入信号并延迟第一输入信号第...
信号接收器制造技术
本发明涉及一种接收电路,包括:传输门、下拉单元、升压电容、分压单元与接收单元。传输门根据控制信号决定是否导通输入信号。下拉单元根据控制信号决定是否将升压电容的一端点电压下拉。升压电容升压接收单元的输入电压。分压单元受控于控制信号并将一分...
半导体芯片顶推器的微调螺杆组制造技术
一种半导体芯片顶推器的微调螺杆组,设于一顶推器内,其特征在于,包括: 一螺杆,其具有两平行的夹持环垂直地从所述螺杆凸起; 一可动式螺帽,枢接于所述螺杆的顶端;及 一调整工具,与所述可动式螺帽连接。
自行对准接触窗开口的制造方法与内连线结构及其制造方法技术
一种自行对准接触窗开口的制造方法,其特征在于其包括以下步骤:提供一基底,该基底上已形成有一闸介电层、一闸极导电层与一顶盖层;在该顶盖层上形成一保护层,其中该保护层的移除速率小于该顶盖层的移除速率;图案化该保护层、该顶 ...
在半导体基底的金属结构表面去除残余物的方法技术
一种在半导体基底的金属结构体表面去除由聚合光致抗蚀剂与金属氧化物所构成的残余物(residue)的方法,包括下列步骤:(a)于含有氮气分子的环境下对具有该金属结构体的该半导体基底进行加热;(b)于含有氮气分子的环境下对该半导体基底进行一...
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