【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种存储器的降低漏电流的方法，且特别有关于关闭故障存储单元与电压源间的路径，以降低存储器在待机模式下的漏电流的方法。
技术介绍
为了能够提高存储器产品的生产良率，以降低生产成本，目前的存储器已具有 修补功能。当主存储器的某些主存储单元(memory cell)损坏时，可利用备用存储器 (redundant memory)中的备用存储单元来修补。在现有的具有修补功能的存储器中，通常会记录所测得的损坏主存储单元所对应 的地址，然后再以激光方式来熔断熔丝(fuse)。如此，备用存储器中的备用存储单元可以取 代主存储器中的故障主存储单元。也就是说，资料不再读出/写入于故障主存储单元，而是 读出/写入于备用存储单元。但是，即使经过修补，故障的主存储单元在待机模式(standby mode)下，仍然会出 现漏电流(leakage current)。这是因为，在存储器的实际布局上，位元线的位置非常邻近 于字元线。所以，如果位元线与字元线之间有短路的话，会造成漏电流出现。也就是说，即使故障主存储单元已被备用存储单元所取代，以维持存储器正常运 作，但漏电流的情况...
【技术保护点】
一种降低存储器漏电流的方法，其特征在于，包括：在一存储器开机时，执行一备用栏位检测，以找出上述存储器的损坏存储单元；根据备用栏位检测结果，切断上述损坏存储单元与一预充电电压源间的一电流路径，以避免上述损坏存储单元出现漏电流。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张全仁，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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