降低存储器漏电流的方法与存储器存取方法技术

本发明专利技术提供一种降低存储器漏电流的方法。在存储器开机时，执行备用栏位检测，以找出存储器的损坏存储单元。接着根据备用栏位检测结果，切断损坏存储单元与预充电电压源间的电流路径。如此，当存储器在预充电时，损坏存储单元的位元线不会被预充电，以避免损坏存储单元的位元线与字元线之间出现漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器的降低漏电流的方法，且特别有关于关闭故障存储单元与电压源间的路径，以降低存储器在待机模式下的漏电流的方法。
技术介绍
为了能够提高存储器产品的生产良率，以降低生产成本，目前的存储器已具有 修补功能。当主存储器的某些主存储单元(memory cell)损坏时，可利用备用存储器 (redundant memory)中的备用存储单元来修补。在现有的具有修补功能的存储器中，通常会记录所测得的损坏主存储单元所对应 的地址，然后再以激光方式来熔断熔丝(fuse)。如此，备用存储器中的备用存储单元可以取 代主存储器中的故障主存储单元。也就是说，资料不再读出/写入于故障主存储单元，而是 读出/写入于备用存储单元。但是，即使经过修补，故障的主存储单元在待机模式(standby mode)下，仍然会出 现漏电流(leakage current)。这是因为，在存储器的实际布局上，位元线的位置非常邻近 于字元线。所以，如果位元线与字元线之间有短路的话，会造成漏电流出现。也就是说，即使故障主存储单元已被备用存储单元所取代，以维持存储器正常运 作，但漏电流的情况并未随着改善。此漏电流所造成的功率消耗或许在存储器正常操作下 微不足道。但当存储器在待机模式下，此漏电流所造成的功率消耗最好能被降低，以避免存 储器在待机模式下产生不必要的功率损耗。
技术实现思路
本专利技术提供一种降低存储器漏电流的方法。找出损坏存储单元所对应的地址后， 切断损坏存储单元与预充电电压源间的电流路径。如此一来，损坏存储单元就不会有漏电 流的情况出现。本专利技术一范例提供一种降低存储器漏电流的方法，包括在一存储器开机时，执行 一备用栏位检测，以找出上述存储器的损坏存储单元。根据备用栏位检测结果，切断上述损 坏存储单元与一预充电电压源间的一电流路径。以及当上述存储器在预充电时，上述损坏 存储单元的位元线不会被预充电，以避免上述损坏存储单元出现漏电流。此外，本专利技术另一范例提供一种存储器存取方法，包括在一存储器开机时，执行 一备用栏位检测，以找出上述存储器的损坏存储单元；利用上述存储器的备用存储单元来 修补上述损坏存储单元；根据备用栏位检测结果，切断上述损坏存储单元与一预充电电压 源间的一电流路径；以及当上述存储器处于预充电状态时，使得上述损坏存储单元的位元 线不会被预充电，以避免上述损坏存储单元出现漏电流。综合以上所述，本专利技术范例利用备用栏位检测的结果找出存储器内损坏存储单 元，并切断损坏存储单元与预充电电压源间的电流路径。借此，即使存储器在待机模式下， 损坏存储单元不会有漏电流的情形出现，并可降低存储器不必要的功率损耗。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具 体实施方式作详细说明，其中图1为根据本专利技术实施例的降低漏电流的电路示意图。 主要元件符号说明100:存储器110:熔丝炼盒120:修补单元130:定址单元131 闩锁器140:主存储器150:备用存储器141、141，限流单元142、142，等位电路142a、142b、142c、142a，、142b，及 142c，等位电路开关143、143’ 字元线开关144、144，存储单元WL 字元线CSLeq (η)等效栏位选择线P 比对信号BL 位元线BL 互补位元线VBLEQ 参考电压EQL:等位电路信号CA 栏地址FI 熔丝信息D 资料具体实施例方式以下的叙述将伴随着实施例的图示，来详细对本专利技术所提出的实施例进行说明。 在各图示中所使用相同或相似的参考标号，是用来叙述相同或相似的部份。在本专利技术实施例中，在开机时，会检查相关于损坏存储单元的栏地址，以确认哪些 存储单元为损坏。接着，切断损坏存储单元与电压源间的电流路径，使得其相关位元线不再 被预充电。因而，可避免在待机状态下与存储器正常操作下的漏电流的出现。请参照图1，图1为根据本专利技术实施例的用以降低漏电流的电路示意图。存储器 100包括熔丝炼盒110、修补单元120、定址单元130、主存储器140与备用存储器150。主 存储器140更包括多个限流单元141、多个等位电路142、多个字元线开关143、多个存储单 元144、多个字元线WL、多个位元线BL与多个互补位元线。备用存储器150更包括多个限流单元141’、多个等位电路142’、多个字元线开关143’、多个存储单元144’、多个字元线 WL、多个位元线BL与多个互补位元线gl定址单元130包括闩锁器131。为方便显示，图ο1的绘示仅只是示意图，凡熟悉本
者当知，本案并不受限于此。在本实施例中，熔丝炼盒110用以纪录相关于主存储器140内的损坏存储单元的 栏地址，并提供熔丝信息FI (fuse information)至修补单元120。修补单元120则接收熔 丝信息FI及栏地址CA(column address)并加以比对。修补单元120在比对完后送出比对 信号P。熔丝信息FI包括相关于主存储器140内的损坏存储单元的栏地址。当栏地址CA 符合于熔丝信息FI时(亦即，此栏地址CA相关于损坏的存储单元)，比对信号P为逻辑低。 反之，比对信号P为逻辑高。定址单元130接收栏地址CA及比对信号P。当比对信号P为逻辑低时，定址单元 130根据栏地址CA找出对应于栏地址CA的闩锁器131，也就是说，所找出的闩锁器131对 应至故障的存储单元。修补单元120会将比对信号P送至闩锁器131。接着，闩锁器131将 逻辑低的比对信号P输出至等效栏位选择线CSLeq(Ii)。在存储器100正常运作时，定址单 元130根据比对信号P来确认相关于存储单元140中损坏存储单元的栏地址，并以备用存 储器单元中的备用存储单元取代损坏存储单元，使资料D读出/写入至备用存储器单元中 的备用存储单元。等效栏位选择线CSLeq(Ii)更电性连接至限流单元141的控制端。当等效栏位选 择线CSLeq (η)为逻辑高的时候(即比对信号P为逻辑高)，限流单元141为开启状态，则参 考电压VBLEQ与等位电路142为导通，亦即参考电压VBLEQ会被写入至等位电路142的输 入端。参考电压VBLEQ通常为位元线最高准位VBLH的一半，而位元线最高准位VBLH为位 元线在逻辑高的电压准位。反之，当等效栏位选择线CSLeq(Ii)为逻辑低的时候(即比对信号P为逻辑低)，限 流单元141为关闭状态，则参考电压VBLEQ无法被写入至等位电路142。限流单元141例 如是晶体管，其控制端例如是栅极，其漏极与源极分别耦接至参考电压VBLEQ与等位电路 142。等位电路142包括等位电路开关142a、等位电路开关142b及等位电路开关142c。等位电路开关142a例如为一晶体管，其栅极电性受控于等位信号EQL，其源极耦 接至限流单元141，其漏极耦接至位元线BL。等位电路开关142b例如为一晶体管，其栅极受控于等位信号EQL，其源极耦接至 限流单元141，其漏极耦接至互补位元线。等位电路开关142c例如为一晶体管，其栅极受控于等位信号EQL，其源极耦接至 位元线BL，其漏极耦接至互补位元线。当等位信号EQL为逻辑高时，这三个等位电路开关142a、142b及142c皆为开启状 态。此时，位元线BL与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低存储器漏电流的方法，其特征在于，包括：在一存储器开机时，执行一备用栏位检测，以找出上述存储器的损坏存储单元；根据备用栏位检测结果，切断上述损坏存储单元与一预充电电压源间的一电流路径，以避免上述损坏存储单元出现漏电流。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张全仁，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]