【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种相位移掩模以及使用此相位移掩才莫以形成图案的方法， 特别涉及一种能解决相位冲突以形成图案的方法。
技术介绍
在集成电路的制作过程中，光刻工艺早已成为一种不可或缺的技术。光 刻工艺主要是先将设计好的图案，例如电路图案，接触洞图案等，形成于一 个或多个的掩模上，然后再通过曝光程序将掩模上的图案利用步进及扫描机台(stepper & scanner)转移至半导体芯片上的光刻胶层内。只有精良(precise) 的光刻工艺，才能顺利地将复杂的布局图案精确且清晰地转移至半导体芯片 上。由于半导体的元件尺寸日益缩小，因此如何提高光刻工艺—的分辨率即成 为关键课题。以理论上而言，提高分辨率最直接的方法是利用短波长的光来 对光刻胶进行曝光。波长越短，则所形成图案的分辨率越高。这个方法看起 来虽然简单，但却并不可行，因为短波长光源的取得并不容易，再者，利用 短波长的光来进行曝光时，设备的损耗将十分可观以至于缩短了设备的寿 命，进而拉高成本，使产品不具有竟争力。由于上述理论与现实条件的矛盾， 业界无不进行各项研究以期能跨越此问题。在目前许多现行的分辨率强化技...
【技术保护点】
一种相位移掩模，包含： 基板，该基板具有图案、第一相位移区和第二相位移区，其中该图案位于该第一相位移区和该第二相位移区交界处，且该第一相位移区和该第二相位移区之间具有第一相位差，而该第二相位移区至少具有一末端；以及 第三相位移区 ，该第三相位移区位于该基板上并设置于该第二相位移区的该末端，且该第三相位移区与该第一相位移区之间具有第二相位差。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：傅国贵，王雅志，吴元薰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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