多透射相位掩模及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种多透射相位掩模及制造该多透射相位掩模的方法。该方法包括在透光衬底上形成光屏蔽层后首次构图光屏蔽层，通过使用首次构图的光屏蔽层蚀刻透光衬底至预定深度形成半导体的多个图案区域，以及二次构图光屏蔽层并在半导体的邻近的图案区域之间形成移相区域，使得透光衬底的在半导体的邻近的图案区域之间的表面的预定部分暴露于外界。每个图案区域提供１８０°相位延迟，而图案区域之间的间隙提供０°相位延迟，由此以高精度实现微细图案以及图案的临界尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻技术，并更特别地涉及一种用于防止半导体微细图案的劣化从而以高精度实现临界尺寸(critical dimension)的多透射相位掩模(multi-transmission phase mask)及其制造方法。
技术介绍
如同对于动态随机存储器(DRAM)或闪速存储器，若预定的半导体微细图案在光掩模上以相同的形状重复，由于曝光设备分辨率的限制导致的透镜象差，会发生其中光掩模的图案设计不一致地投影到晶片上的光学邻近效应(optical proximity effect)，导致晶片上的图案与光掩模上的图案不同。例如，在用于具有孔状图案的掩模的曝光过程中，诸如存储节点接触(storagenode contact)等，由于分辨率的限制和图案单元(pattern unit)之间的微小间隙而出现了光学邻近效应，使得曝光在晶片上的孔状图案的图像不具有圆形形状而是变形的形状。为补偿晶片上图案的结果形状上的这种光学邻近效应，尽管现有技术中已经提出了修改掩模图案形状的方法或为掩模图案增加辅助图案(assistant pattern)的方法，仍然存在以高精度实现图案的临界尺寸的困难。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于曝光设备的多透射相位掩模，包括：该掩模的透光衬底；光屏蔽层，其形成在所述透光衬底上，从而防止光从其透过并限定半导体的多个图案区域；以及移相区域，其形成在邻近的图案区域之间，使得所述透光衬底的在所述半导体的所述 邻近的图案区域之间的表面的预定部分暴露于外界，所述半导体的所述图案区域通过经所述光屏蔽层蚀刻所述透光衬底至预定深度形成。

【技术特征摘要】
KR 2004-12-30 117300/041.一种用于曝光设备的多透射相位掩模，包括该掩模的透光衬底；光屏蔽层，其形成在所述透光衬底上，从而防止光从其透过并限定半导体的多个图案区域；以及移相区域，其形成在邻近的图案区域之间，使得所述透光衬底的在所述半导体的所述邻近的图案区域之间的表面的预定部分暴露于外界，所述半导体的所述图案区域通过经所述光屏蔽层蚀刻所述透光衬底至预定深度形成。2.根据权利要求1的掩模，其中所述移相区域相对于所述图案区域具有180°的相位差。3.根据权利要求1的掩模，其中所述移相区域形成在所述邻近的图案区域之间的行的方向上。4.根据权利要求1的掩模，其中所述移相区域形成在所述邻近的图案区域之间的列的方向上。5.根据权利要求1的掩模，其中每个所述图案区域包括辅助图案区域。6.一种制造用于曝光设备的多透射相位掩模的方法，包括步骤在透光衬底上形成光...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴赞河，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]