光刻掩模和用于生成光刻掩模的方法技术

用于在衬底上对抗蚀剂层进行光刻制图的具有第一区域（５０、５２、５４、５６）以及第二和第三区域（６０、６２、６４、６６、７０、７２、７４、７６）的光刻掩模，在第一区域中光刻掩模（１４）具有不透明层，第二和第三区域在光刻掩模的光学厚度方面不同且在其中光刻掩模至少是半透明的。光刻掩模包括具有交替布置并且被第一区域（５０）环绕的多个第二区域（６２、６４）和多个第三区域（７２、７４）的第一段（４４），用于以小于预定临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口（３４、３６）。该光刻掩模还包括具有多个第三区域（７０、７６）的第二段（４２、４６），每个第三区域都被第二区域环绕，该第二区域被多重连接的第一区域环绕，用于以大于预定临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口（３２、３８）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于光刻生成密集的并且隔离的接触孔的光刻掩模以及涉及特别适合用于生成这种光刻掩模的方法。在微电子或微机械器件中，具有小的相互距离、特别是具有小于为光刻生成而使用的波长的距离的结构被称为密集结构。具有更大的相互距离的结构被称为半隔离或隔离结构。在微电子或微机械器件的制造中，此外由于成本原因，尽可能少的数目的工艺步骤是有利的。因此所希望的是，在同一个步骤中微光刻生成密集的、半隔离的以及隔离的结构。可以密集地、半隔离或隔离地出现的结构的例子是用于连接不同布线平面或将布线平面与器件层连接的接触孔或通孔导体。典型地在同一个芯片上存在这样的区域，在这些区域中大量的接触孔存在于小面积上并且因此具有小的相互距离(密集结构)；并且存在其它区域，在这些区域中仅布置有少量的具有大的相互距离的接触孔。所希望的是，在一个平面内同时、即通过同一个光刻掩模的投影而生成所有接触孔。密集结构传统地通过交替式相移掩模(altPSM；altPSM＝alternating Phase Mask)来生成。altPSM具有第一和第二区域，它们在其光学厚度方面这样有所区别，以致透射通过altPSM的第一区域的本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于在衬底上对抗蚀剂层进行光刻制图的具有第一区域（５０、５２、５４、５６、５８）以及第二和第三区域（６０、６２、６４、６６、７０、７２、７４、７６）的光刻掩模（１４），其中在所述第一区域中所述光刻掩模（１４）具有不透明层，所述第二和第三区域在所述光刻掩模（１４）的光学厚度方面有所区别，并且在所述第二和第三区域中所述光刻掩模（１４）至少是半透明的，所述光刻掩模具有：第一段（４４），该第一段具有被交替布置的并且被第一区域（５０）环绕的多个第二区域（６２、６４）和多个第三区 域（７２、７４），用于以小于预定的临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口（３４、３６）；以及第二段（４２、４６），该第...

【技术特征摘要】
DE 2005-3-3 102005009805.31.用于在衬底上对抗蚀剂层进行光刻制图的具有第一区域(50、52、54、56、58)以及第二和第三区域(60、62、64、66、70、72、74、76)的光刻掩模(14)，其中在所述第一区域中所述光刻掩模(14)具有不透明层，所述第二和第三区域在所述光刻掩模(14)的光学厚度方面有所区别，并且在所述第二和第三区域中所述光刻掩模(14)至少是半透明的，所述光刻掩模具有第一段(44)，该第一段具有被交替布置的并且被第一区域(50)环绕的多个第二区域(62、64)和多个第三区域(72、74)，用于以小于预定的临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(34、36)；以及第二段(42、46)，该第二段具有多个第三区域(70、76)，这些第三区域(70、76)中的每一个都被第二区域(60、66)环绕，该第二区域(60、66)被多重连接的第一区域(50)环绕，用于以大于预定的临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(32、38)。2.根据权利要求1的光刻掩模(14)，其中，在所述第一段(44)中，与每个第二区域(62、64)最近相邻地布置第三区域(72、74)并且与每个第三区域(72、74)最近相邻地布置第二区域(62、64)。3.根据权利要求1或2的光刻掩模(14)，其中，所述第一段(44)的多个第二区域(62、64)中的第二区域(62、64)和所述第一段(42)的多个第三区域(72、74)中的第三区域(72、74)被分别简单地连接，并且其中，所述第二段(42、46)的多个第三区域(70、76)中的每个第三区域(70、76)被简单地连接并且分别被多重连接的第二区域(60、66)环绕。4.根据权利要求1至3之一的光刻掩模(14)，其中，待借助所述光刻掩模(14)生成的抗蚀剂开口(32、34、36、38)被设置用于在所述衬底中生成通孔或槽。5.根据权利要求1至4之一的光刻掩模(14)，其中，所述光刻掩模(14)在相邻的第二和第三区域(60、62、64、66、70、72、74、76)中的光学厚度这样有所区别，使得透射通过第二区域(60、62、64、66)的光相对于透射通过相邻的第三区域(70、72、74、76)的光具有在120°至240°范围内的相位差。6.用于生成用于在衬底上对抗蚀剂层进行光刻制图的具有第一区域(50、52、54、56、58)以及第二和第三区域(60、62、64、66、70、72、74、76)的光刻掩模(14)的方法，其中在所述第一区域中所述光刻掩模(14)具有不透明层，所述第二和第三区域在所述光刻掩模(14)的光学厚度方面有所区别，并且在所述第二和第三区域中所述光刻掩模(14)至少是半透明的，所述方法具有以下步骤在第一段(44)中生成(212、216、220)被交替布置的并且被第一区域(50)环绕的多个第二区域(62、64)和多个第三区域(72、74)，用于以小于预定的临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(34、36)；以及在第二段(42、46)中生成(212、216、220)多个第三区域(70、76)，这些第三区域(70、76)中的每一个都被第二区域(60、66)环绕，该第二区域(60、66)被多重连接的第一区域(50)环绕，用于以大于预定的临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(32、38)。7.用于生成具有第一区域(50、52、54、56、58)以及第二和第三区域(60、62、64、66、70、72、74、76)的光刻掩模(14)的方法，其中在所述第一区域中所述光刻掩模(14)具有不透明层，在所述第二和第三区域中所述光刻掩模(14)至少是半透明的并且具有不同的光学厚度，所述方法具有以下步骤a)提供(208)具有不透明层的掩模衬底；b)在所述掩模衬底上生成(210)第一抗蚀剂掩模(10)；c)去除(212)未被所述第一抗蚀剂掩模(10)覆盖的区域内的不透明层；d)在所述掩模衬底上生成(214)第二抗蚀剂掩模(12)；以及e)改变(216)所述掩模衬底在既未被所述第二抗蚀剂掩模(12)也未被所述不透明层覆盖的第三区域(70、72、74、76)中的光学厚度，其中在步骤b)(210)中这样生成所述第一抗蚀剂掩模(10)，使得它至少在环绕的边缘区域(702、762)中不覆盖所述光刻掩模(14)的第三区域(70、76)。8.根据权利要求7的方法，其中，以比步骤d)更高的横向分辨率来实施步骤b)。9.根据权利要求7或8的方法，其中以顺序a)、d)、e)、b)、c)来实施所述步骤，其中此外在步骤d)和e)之间实施以下步骤f)去除未被所述第二抗蚀剂掩模(12)覆盖的区域(70、72、74、76)中的不透明层。10.根据权利要求7或8的方法，其中，以顺序a)、b)、c)、d)、e)来实施所述步骤，其中在步骤b)(210)中在所述第一抗蚀剂掩模(10)中生成开口(80、82、86、102、104)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：T亨克尔，R克勒，C内尔谢尔，K伦纳，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]