【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及适合于短波长区域的、用于掩模坯料的透明基片的制造方法，在所述短波长区域中的曝光波长为200nm或更短，进而，本专利技术涉及掩模坯料的制造方法以及曝光掩模的制造方法。
技术介绍
近年来，随着半导体器件的小型化，在光刻技术中使用的曝光光源已经变化到ArF准分子激光器(曝光波长193nm)和F2准分子激光器(曝光波长157nm)，从而，曝光波长的缩短已经取得进展。当曝光波长波长变为200nm或更短时，曝光装置的聚焦深度变得非常小。从而，当借助真空抽吸等将曝光掩模装入到曝光装置中时，如果曝光掩模发生变形而使其平坦度降低的话，则当曝光掩模的掩模图形转印到作为转印对象的半导体基片上时，聚焦位置会发生移位。这样，转印精度常常降低。为了解决这一问题，JP-A-2004-46259(下面将称之为专利文献1)揭示了一种技术，在该技术中，对于制造曝光掩模用的掩模坯料，通过模拟进行计算，估价将其装入到曝光装置中时的平坦度，由估价出的平坦度优异的掩模坯料制造曝光掩模。具体地说，通过在透明的基片上形成光屏蔽膜(不透明膜)，制造掩模坯料，通过测量得出掩模坯料的主表面的表面形状...
【技术保护点】
一种掩模坯料透明基片的制造方法，包括：准备步骤，在该步骤中，准备具有精密抛光的主表面的透明基片；表面形状信息获取步骤，在该步骤中，作为所述主表面的表面形状信息，在多个测量点获取距离基准平面的高度信息，其中，所述多个测量点设置在与曝光装置的掩模台接触的透明基片的主表面上的预定区域内；模拟步骤，在该步骤中，根据在表面形状信息获取步骤中获得的表面形状信息以及包括掩模台与透明基片的主表面接触的区域在内的掩模台的形状信息，通过模拟透明基片装入曝光装置的状态，在多个测量点处，获取距离所述基准平面的高度信息；平坦度计算步骤，在该步骤中，根据在模拟步骤中获得的距离所述基准平面的高度信息，推...
【技术特征摘要】
JP 2005-2-25 2005-509361.一种掩模坯料透明基片的制造方法，包括准备步骤，在该步骤中，准备具有精密抛光的主表面的透明基片；表面形状信息获取步骤，在该步骤中，作为所述主表面的表面形状信息，在多个测量点获取距离基准平面的高度信息，其中，所述多个测量点设置在与曝光装置的掩模台接触的透明基片的主表面上的预定区域内；模拟步骤，在该步骤中，根据在表面形状信息获取步骤中获得的表面形状信息以及包括掩模台与透明基片的主表面接触的区域在内的掩模台的形状信息，通过模拟透明基片装入曝光装置的状态，在多个测量点处，获取距离所述基准平面的高度信息；平坦度计算步骤，在该步骤中，根据在模拟步骤中获得的距离所述基准平面的高度信息，推导出在包括曝光掩模的转印区域在内的预定区域中的最大值和最小值之间的差，从而获得当将透明基片装入曝光装置中时的透明基片的平坦度；以及判断步骤，在该步骤中，判断在平坦度计算步骤中计算出来的平坦度是否满足技术标准。2.如权利要求1所述的掩模坯料透明基片的制造方法，其特征在于，将透明基片的主表面上的所述预定区域设定为包括曝光装置的掩模台与所述主表面接触的区域，其中，所述主表面上的预定区域，是在表面形状信息获取步骤中获取表面形状信息的区域。3.如权利要求2所述的掩模坯料透明基片的制造方法，其特征在于，将透明基片的主表面上的所述预定区域设定成这样的区域，即，该区域不包括距离透明基片的倒角表面大于0mm、不大于3mm的周缘区域，其中，所述主表面上的预定区域，是在表面形状信息获取步骤中获取表面形状信息的区域。4.一种掩模坯料的制造方法，包括准备步骤，在该步骤中，准备具有精密抛光的主表面的透明基片；表面形状信息获取步骤，在该步骤中，作为所述主表面的表面形状信息，在多个测量点获取距离基准平面的高度信息，其中，所述多个测量点设置在与曝光装置的掩模台接触的透明基片的主表面上的预定区域内；模拟步骤，在该步骤中，根据在表面形状信息获取步骤中获得的表面形状信息以及包...
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