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本发明公开了一种多透射相位掩模及制造该多透射相位掩模的方法。该方法包括在透光衬底上形成光屏蔽层后首次构图光屏蔽层，通过使用首次构图的光屏蔽层蚀刻透光衬底至预定深度形成半导体的多个图案区域，以及二次构图光屏蔽层并在半导体的邻近的图案区域之间形...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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