【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光掩模，特别是涉及一种。
技术介绍
在集成电路工艺中，光刻工艺(lithographic process)早已成为一不可或缺的技术。交替式相位移光掩模(alternating phase shift mask，APSM)可说是下一世代光刻工艺中主要的分辨率增强技术之一。请参考图1，图1为现有交替式相位移光掩模10的结构示意图。图1所显示的交替式相位移光掩模10包含有一由铬膜(chrome)构成的不透光区域12，并且不透光区域12的两侧分别为石英(quartz)所构成的透光区域14以及透光区域16，其中透光区域14的厚度约较透光区域16的厚度少2280埃，因此使得穿透透光区域14的光线相对于穿透透光区域16的光线存在有180度的相位差(phase shift)并且造成一破坏性干涉(destructive interference)，进而使得进行一光刻工艺时位于交替式相光掩模10的不透光区域12下方的光致抗蚀剂层不会被曝光。然而交替式相位移光掩模技术在处理相位的设定时，容易遇到相位冲突(phase conflict)的问题。当一线路的布局图形，同...
【技术保护点】
一种解决交替式相位移光掩模的相位冲突的方法，包括下列步骤：发现一交替式相位移光掩模于配置设计时具有一发生相位冲突的区域，该发生相位冲突的区域包括一第一不透光区域及位于该第一不透光区域两侧的第一透光区域及第二透光区域；及于该第 一不透光区域中形成一透光狭缝区，并使该透光狭缝区分别与该第一透光区域及该第二透光区域具有相位差。
【技术特征摘要】
1.一种解决交替式相位移光掩模的相位冲突的方法，包括下列步骤发现一交替式相位移光掩模于配置设计时具有一发生相位冲突的区域，该发生相位冲突的区域包括一第一不透光区域及位于该第一不透光区域两侧的第一透光区域及第二透光区域；及于该第一不透光区域中形成一透光狭缝区，并使该透光狭缝区分别与该第一透光区域及该第二透光区域具有相位差。2.如权利要求1所述的方法，其中该第一不透光区域具有一线形图形，及该透光狭缝区的长度方向与该第一不透光区域的长度方向相同。3.如权利要求1所述的方法，其中该第一透光区域与该第二透光区域具有相同的相位。4.如权利要求3所述的方法，其中使该相位差基本上为180°。5.如权利要求1所述的方法，其中该第一不透光区域介于一线形的第二不透光区域与一线形的第三不透光区域之间。6.如权利要求5所述的方法，其中该第一不透光区域的长度方向与该第二不透光区域或该第三不透光区域的长度方向大致相同。7.如权利要求5所述的方法，其中该第一不透光区域的长度方向与该第二不透光区域或该第三不透光区域的长度方向不相同。8.如权利要求7所述的方法，其中该第一不透光区域与该第二不透光区域及第三不透光区域中的任一者相接。9.一种交替式相位移光掩模，包括一透光基底；...
【专利技术属性】
技术研发人员：许书豪，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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