本发明提供一种位线的形成方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上具有一晶体管，晶体管具有一闸极及一源汲极区；在半导体基底上形成一第一介电层，第一介电层具有一第一开口，第一开口露出源汲极区表面；在第一开口形成一导电层；在第一介电层及导电...

一种半导体元件的制造方法，此方法于已形成有栅极结构的基底上形成第一介电层之后，回蚀刻第一介电层，而于栅极结构的侧壁形成间隙壁。随后，在间隙壁两侧的基底中形成源极／漏极区，再于基底上形成第二介电层，其中第二介电层的材质与第一介电层的材质相...

本发明提供一种改善光阻平坦度的方法与沟槽电容的下电极的制造方法。在去除沟槽内部的上半部光阻（保护光阻）后，新增一道全面性重新填满另一光阻（回填光阻）的程序，以填满去除后的保护光阻上表面与基底上表面之间的距离，该距离是由于光阻与基底表面附...

一种防止保险丝的侧壁损坏的半导体器件的后段工艺方法，该方法是在基底上形成保险丝之后，先在保险丝的侧壁形成一间隙壁，再于基底上形成介电层与保护层，接着，再将保护层与介电层图案化，以形成保险丝开口。由于保险丝其侧壁上具有间隙壁，因此，在形成...

本发明提供一种瓶型渠沟（ｂｏｔｔｌｅ－ｓｈａｐｅｄ　ｔｒｅｎｃｈ）的形成方法。首先，提供具有一渠沟的一基底，其中渠沟具有一上部与一下部；然后，形成一氧化层于位在下部的渠沟的周围壁上；然后，以氧化层为罩幕，对渠沟进行一氮化程序，而形成一氮...

本发明揭示一种整合对准标记与沟槽组件的制程。首先，提供具有一第一沟槽及一第二沟槽的基底。其中，第二沟槽是作为对准标记且其宽度大于第一沟槽。接着，在第一及第二沟槽下半部各形成一沟槽组件，再在沟槽中的沟槽电容上形成一第一导电层。之后，在基底...

本发明提供了一种增加沟槽电容器的电容的方法，包括下列步骤：提供一基底；于基底表面形成一垫层结构；于垫层结构上形成一光阻图案，而未被光阻图案所覆盖的区域是定义沟槽的区域；以光阻图案与垫层结构作为蚀刻罩幕，于基底中形成一沟槽；去除光阻图案；...

一种防止深渠沟的顶部尺寸扩大的领型介电层制程，是于先进行一离子布植制程，于一深渠沟顶部开口周围的半导体硅基底的表面区域形成一离子布植区，再去除深渠沟电容器以外的氮化硅层，而后再于该离子布植区以外的该深渠沟的暴露侧壁上长成一第一氧化层。该...

本发明揭示一种瓶型沟槽的制造方法。首先，在一基底的沟槽下半部填入一导电层，且其被一具掺杂层所包围。接着，在基底上及沟槽上半部顺应性形成一氮化硅层。之后，对基底实施一热处理以在邻近具掺杂层的基底中形成一掺杂区。接着，非等向性蚀刻氮化硅层以...

本发明揭示一种瓶型沟槽电容的制造方法。首先，在一基底的沟槽下半部填入一导电层，且其被一具掺杂层所包围。接着，在基底上及沟槽上半部顺应性形成一绝缘层以覆盖导电层及具掺杂层。之后，对基底实施一热处理以在邻近具掺杂层的基底中形成一掺杂区以作为...

一种减少埋层接触带外扩散的半导体结构，其包括：一晶体管，包括闸极以及位于上述闸极两侧的掺杂区；一埋层接触带，相接于上述两掺杂区之一；一沟槽，与该埋层接触带相邻；一沟槽式电容，形成于该沟槽的底部，包括埋入电极板、电容介电层以及电极板；一导...

一种位元线接触的充填方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底具有一晶胞区及一外围线路接触区，且该晶胞区形成有一晶体管，该晶体管具有一闸极及一源汲极区；　　　　于该半导体基底上形成一介电层，该介电层具有一第一接触窗，该第...

一种改善浅沟隔离漏电的方法，包括：　　　　提供一半导体基底，且该半导体基底上形成有一垫层结构以及一沟槽；　　　　形成一掺杂的第一衬垫层于该沟槽的侧壁上；　　　　形成一第二衬垫层于该掺杂的第一衬垫层上；　　　　借由蚀刻移除部分的该第一衬垫...

一种可减少透镜像差与图案移位的光罩，包括一透光基底与一遮光层，遮光层设置于透光基底上，具有一数组图案区与复数个辅助图案，辅助图案是设置于数组图案区内且其中各辅助图案与其上、下方的两数组图案等距，并使辅助图案的长度与数组图案的宽度相等。一...

一种曝光系统，其特征在于：所述曝光系统包括：　　　　一补偿单元，接收相应至少一机台参数的一调整值，依据该调整值与相应该机台参数的一调整公式对于相应的一对准参数进行补偿；以及　　　　　一曝光装置，使用补偿后的该对准参数对于一晶圆进行对准与...

一种具有群组补偿能力的曝光系统，其特征在于：所述曝光系统包括：　　　　一批货分类数据库，记录相应至少一批货晶圆的一群组分类；　　　　一补偿单元，由该批货分类数据库取得相应该批货晶圆的该群组分类，依据该群组分类检索相应该批货晶圆的一群组补...

一种位元线的形成方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底上形成有一晶体管，该晶体管具有一闸极及一源汲极区；　　　　于该半导体基底上形成一第一介电层，该第一介电层具有接触窗，该接触窗露出该源汲极区的表面；　　　　于该接触...

一种动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）的制法，包括下列步骤：　　　　提供一基底，包含一数组（ａｒｒａｙ）区与一周边电路（ｐｅｒｉｐｈｅｒｙ）区；　　　　形成复数个闸极结构于该数组区与该周边电路区中；　　　　顺应性形成一阻障层于该基底与该闸极...

一种改进位元线和位元线接触短路的方法，其步骤包括：　　　　提供一形成有一介电层的半导体基板；　　　　贯通该介电层以形成一位元线接触窗；　　　　形成一第一导电层，填入部分该位元线接触窗；　　　　于该第一导电层上的该位元线接触窗侧壁形成一侧...

一种镶嵌结构的位元线接触窗插塞的制作方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该基底表面上包含有一第一闸极导电结构以及一第二闸极导电结构，而该基底内包含有一源／汲区域，其中该源／汲区域位于该第一闸极导电结构以及该第二闸极导电结构的空...