本发明提供一种半导体元件的制造方法，其包括：提供一基底，其中所述基底具有嵌壁式栅极（ｒｅｃｅｓｓｅｄ　　ｇａｔｅｓ）与在基底中的深沟槽电容元件，其暴露出嵌壁式栅极的突出部（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎｓ）与深沟槽电容元件的上部（ｕｐｐｅｒ　　ｐ...

本发明提供一种半导体器件的制造方法，此方法包括提供具有嵌壁式栅极与深沟槽电容元件的衬底，其中该嵌壁式栅极的突出部与深沟槽电容元件的上部露出衬底；在此上部及突出部的侧壁形成间隙壁；在间隙壁间的间隙间形成由导电材料构成的埋入层；对衬底、间隙...

本发明提供一种具有沟槽式栅极的半导体装置及其制造方法，其包括提供一半导体衬底，其表面具有一沟槽蚀刻掩模。然后，利用该沟槽蚀刻掩模为遮蔽物，蚀刻该半导体衬底，以形成一第一沟槽，该第一沟槽具有第一深度，接着，经由该第一沟槽掺入杂质于该半导体...

本发明提供一种具有沟槽式栅极的半导体装置的制造方法，首先，提供一半导体基底，其表面具有一沟槽蚀刻掩膜，其次，利用该沟槽蚀刻掩膜为遮蔽物，并蚀刻该半导体基底，以形成一沟槽，然后，经由该沟槽掺入掺杂剂于该半导体基底以形成一掺杂区域。蚀刻位于...

本发明提供一种集成电路工艺、一种集成电路和一种存储器元件。该集成电路包含有：基底、位于该基底上的金属元件，其中该金属元件包含金属材料，以及位于该金属元件上的复合元件，其中该复合元件包含该金属材料与掺杂。

本发明涉及一种封装元件，其包含有一第一基板，多个第一芯片位于该第一基板上，一第二基板位于该第一基板上，一第二芯片位于该第二基板上，一黏着层位于该第二芯片上，以及一散热器位于该第一基板、所述第一芯片、该第二基板、与该黏着层上，其中散热器具...

一种半导体结构形成的方法，包括：提供一基板；形成一第一下掩模层于基板上；形成一第一图案化掩模于第一下掩模层上，以界定一第三图案化掩模的一部分；形成一第二下掩模层于第一下掩模层上方且覆盖第一图案化掩模；形成一第二图案化掩模于第二下掩模层上...

本发明提供一图案转移的方法，其包括于基底上形成第一图案化掩模层，包含电路图案以及多个虚构图案。然后于基底上形成第二图案化掩模层，其暴露出第一图案化掩模层的该电路图案，接着利用第一图案化掩模层当作掩模而移除暴露出的部分基底，以将该电路图案...

本发明是有关于一种分离式结构的探针，用来接触一待测物，以对其电气特性进行探测。本发明所提供的探针具有一接触头，可以用来接触待测物，并且此探针具有一第一针体和一第二针体。其中，第一针体与接触头互相连接，以传送一测试讯号到待测物上来进行探测...

本发明提供一种利用ＴＴＯ多晶硅间隙壁制作自对准栅极沟槽的方法。首先提供半导体基底，其上形成有焊垫氧化物层和焊垫氮化物层。多个沟槽电容器嵌入该半导体基底的存储器阵列区域。各个沟槽电容器具有从半导体基底主表面凸出的沟槽顶部氧化物（ＴＴＯ）。...

一种形成位线接触插塞的方法，包括提供包含晶体管的基板，晶体管中包含栅极结构与位于栅极结构两侧的源极／漏极；于基板上形成导电层、位线接触材料层与硬掩模层；以及利用导电层作为蚀刻停止层进行蚀刻工艺而蚀刻硬掩模层与位线接触材料层，以于源极／漏...

本发明公开了一种晶片承载装置，其包含底座以及多条垂直固定于底座上的支撑杆。各支撑杆分别包含支架以承载晶片。支架具有朝向底座倾斜预定角度的上顶面，使得晶片的外缘（ｒｉｍ）承靠在上顶面上。

本发明揭示一种制造自对准鳍状场效应晶体管（ｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄ　ｆｉｎ　ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＦｉｎＦＥＴ）装置的方法。利用对于浅沟绝缘结构的绝缘材料层的回蚀刻以露出半导体基底的部分侧壁，及对此露出的半导体基...

本发明揭露的存储器特征在于其浮置栅极与控制栅极皆设于半导体中的沟槽内。其制作方法包含有提供基底，于基底中形成第一沟槽并于第一沟槽表面形成第一栅极介电层，然后，在第一栅极介电层上覆盖第一导电层；蚀刻第一导电层，于第一沟槽的侧壁上形成侧壁子...

本发明公开一种埋入式字线的结构，其包括具有Ｕ形槽的半导体基底，Ｕ形栅极介电层于Ｕ形槽中、位于Ｕ形栅极介电层上的多晶硅层、位于多晶硅层之上的导电层、覆盖于导电层上的介电盖层、以及一对内部侧壁子，分别位于多晶硅层上方，并介于半导体基底与导电...

本发明公开了一种晶体管结构及其制作方法。该晶体管结构包含位于基材中的栅极沟槽，其包含具有宽度大于自身颈部的笔型底部，颈部包含第一导电层而笔型底部包含第二导电层、位于栅极沟槽上并与第一导电层电连接的栅极结构、分别位于栅极沟槽一侧的源极掺杂...

本发明公开了一种易失性存储器的制造方法，其是利用以牺牲层形成于后续预定形成金属栅极的位置，然后进行周边电路区的热处理或其他高温制程后，再进行形成金属栅极的制程。因此，不仅可形成能够降低接触电阻以及提高元件的驱动能力的易失性存储器，而且可...

本发明涉及一种随机存取存储器及其资料更新方法。所述随机存取存储器包括存储器阵列、热传感器、更新计数器及列地址解码器。存储器阵列具有多条字元线。热传感器用以感测随机存取存储器的温度，并据以输出温度指示信号。更新计数器用以输出列地址计数信号...

一种快速判别字元线的缺陷型态的方法，适用于一记忆体中产生微泄漏之一缺陷的字元线，本方法包括：首先，建构一电特性与缺陷型态的对应关系表；接着，启动上述缺陷字元线；然后，施加一第一电压于上述缺陷字元线上并同时量测上述缺陷字元线上的对应电特性...

本发明是提供一种应用于存储器的延迟计数器，用来延迟存储器存取控制信号。该延迟计数器包含有：时钟延迟模块，用来依据至少一延迟量延迟该输入时钟以产生延迟后输入时钟；频率检测器，用来检测该存储器中特定信号的频率以设定该延迟量；以及延迟控制信号...