快速判别字元线的缺陷型态的方法技术

一种快速判别字元线的缺陷型态的方法，适用于一记忆体中产生微泄漏之一缺陷的字元线，本方法包括：首先，建构一电特性与缺陷型态的对应关系表；接着，启动上述缺陷字元线；然后，施加一第一电压于上述缺陷字元线上并同时量测上述缺陷字元线上的对应电特性；最后，根据上述所量测的电特性与上述电特性与缺陷型态的关系表比对，以判断上述陷缺字元线的缺陷型态。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系关于一种检测DRAM的漏电流的方法，特别有关于一种能快速地检测DRAM字元线的微小漏电流的方法。传统上要得知导致漏电的缺陷的种类，需要先进行电性分析以得知那些字元线是不正常的，于此之后，再透过物性分析，即透过化学溶剂将DRAM从表层一层一层剥除并透过电子显微镜观看，才能得知可能是那一种缺陷造成的漏电，可是这样的动作常常花费相当长的时间，有时甚至于还看不出来，若能快速地判断出导致漏电的缺陷的种类，便能尽速发现制程的问题。根据上述目的，本专利技术系提供一种，适用于一记忆体中产生微漏电的一缺陷的字元线，本方法包括首先，建构一电特性与缺陷型态的对应关系表。接着，启动上述缺陷字元线。然后，施加一第一电压于上述缺陷字元线上，并同时量测上述缺陷字元线上的对应电特性。最后，根据上述所量测的电特性与上述电特性与缺陷型态的关系表比对，以判断上述陷缺字元线的缺陷型态。本专利技术的另一目的，更提供另一种，包括首先，步骤(a)建构一电特性与缺陷型态的对应关系表。接着，步骤(b)启动一半导体装置中的一字元线。然后，步骤(c)施加一第二电压于上述字元线上，并同时量测上述字元线上的电流。接下来，步骤(d)根据所量测到的电流的大小，决定上述字元线是否具有缺陷，若上述字元线具有缺陷，则进行下一步骤。接着，进行步聚(e)施加一第三电压于上述字元线上，并同时量测上述字元线上的对应电特性。接下来，步骤(f)根据上述所量测的电特性与上述电特性与缺陷型态的关系表比对，以判断上述字元线的缺陷型态。然后，步骤(g)关闭上述字元线。接着，步骤(h)启动上述半导体装置中的下一条字元线，并重新执行上述步骤(c)。透过本专利技术所提供的判别字元线的缺陷型态的方法，即籍由对宇元线的电性分析，快速地判别导致字元线泄漏的缺陷型态，以提供制程人员作立即的处理，以增加制程的良率，是故达到产能的提升。符号说明S1-控制信号；MOS1-PMOS电晶体；MOS2-NMOS电晶体；10-记忆胞；12-加压垫；14-电流计；16-参数量测单元；BL1-位元线；WL1-字元线；T1-第一缺陷型态；T2-第二缺陷型态；T3-第三缺陷型态。本专利技术的判别字元线的缺陷型态的方法，适用于一记亿体中产生微漏电的一缺陷的导元线，本方法包括下列步骤首先，进行步骤S10，建构一电特性与缺陷型态的对应关系表；接着，进行步骤S12，启动上述缺陷字元线；然后，进行步骤S14，施加一第一电压于上述缺陷字元线上，并同时量测上述缺陷字元线上的对应电特性；最后进行步骤S16，根据上述所量测的电特性与上述电特性与缺陷型态的关系表比对，以判断上述陷缺字元线的缺陷型态。参考附图说明图1的本专利技术的架构图，以说明本专利技术的判别字元线的缺陷型态的方法。传统的测试机台可以测得一个半导体装置中哪些字元线具有缺陷，并记录下来，在本例中，假设已知字元线WL1为一个具有缺陷的字元线。请参照图2，图2为本专利技术的第一实施例的方法流程图，首先，进行步骤S10，透过预先量测不同缺陷型态的缺陷字元线，与电特性之间的关系，以建构一电特性与缺陷型态的对应关系表。举例来说，缺陷型态可包括字元线和位元线的大区域短路、字元线与位元线的小区域短路以及字元线与基板的微量短路，即闸极氧化层中有微孔洞，另外，上述电特性可为一电压值、电流值、电阻值。如图3中所示，电流-电压曲线T1、T2及T3，分别对应为一字元线和位元线的大区域短路、字元线与位元线的小区域短路，以及字元线与基板的微量短路三种缺陷，在本例中，系透过上述三种缺陷型态的字元线与电流-电压曲线的关系，以建构一电特性与缺陷型态的对应关系表。接着，进行步骤S12，如图1中所示，籍由一外部电路，例如一测试机台的控制电路，输入一致能信号S1至第一、第二电晶体MOS1、MOS2，以启动上述缺陷字元线WL1。然后，进行步骤S14，透过一测试机台的一参数量测单元16经由一电压垫12，施加一第一电压于上述缺陷字元线WL1上。其中上述一第一电压为一个时变电压，电压值由小变大，举例来说，可由0.01伏特增加至7伏特。同时使用一电特性量测装置，以量测上述缺陷字元线WL1上的对应电特性，在本例中，系使用一电流计14以量测上述缺陷字元线WL1的对应电流。最后，进行步骤S16，根据上述电流计14所量测到的上述缺陷字元线的电特性，与上述电特性与缺陷型态的关系表比对，以判断上述陷缺字元线的缺陷型态。在本例中，系根据上述电流计14所量测到的上述缺陷字元线的电流及所施加的上述第一电压，来判断上述缺陷字元线WL1的缺陷型态。例如，当施加于上述缺陷字元线WL1为6伏特时，且所量测到的电流为1单位电流时，则上述缺陷字元线WL1为字元线和位元线的大短路(T1)。再者，当施加于上述缺陷字元线WL1为6伏特时，且所量测到的电流为0.2单位电流时，则上述缺陷字元线WL1为字元线与位元线的小短路(T2)，若是当施加于上述缺陷字元线WL1为6伏特时，且所量测到的电流为0.12单位电流时，则上述缺陷字元线WL1字元线与基板的微量短路(T3)。实施例2本专利技术的另一种，包括首先，步骤(a)建构一电特性与缺陷型态的对应关系表。接着，步骤(b)启动一半导体装置中的一字元线。然后，步骤(C)施加一第二电压于上述字元线上，并同时量测上述字元线上的电流。接下来，步骤(d)根据所量测到的电流的大小，决定上述字元线是否具有缺陷，若上述字元线不具有缺陷，则进行步骤(g)；若上述字元线具有缺陷，则进行下一步骤。接着，进行步骤(e)施加一第三电压于上述字元线上，并同时量测上述字元线上的对应电特性。接下来，步骤(f)根据上述所量测的电特性与上述电特性与缺陷型态的关系表比对，以判断上述字元线的缺陷型态。然后，步骤(g)关闭上述字元线。接着，步骤(h)启动上述半导体装置中的下一条字元线，并重新执行上述步骤(c)。如图4中所示，首先，进行步骤S20，透过预先量测不同缺陷型态与电特性间的关系，以建构一电特性与缺陷型态的对应关系表。举例来说，缺陷型态可包括字元线和位元线的大区域短路、字元线与位元线的小区域短路，以及字元线与基板的微量短路，即闸极氧化层中有微孔洞，另外，上述电特性可为一电压值、电流值、电阻值。如图3中所示，电流-电压曲线T1、T2及T3，分别对应为一字元线和位元线的大区域短路、字元线与位元线的小区域短路，以及字元线与基板的微量短路三种缺陷，在本例中，系透过上述三种缺陷型态的字元线与电流-电压曲线的关系，以建构一电特性与缺陷型态的对应关系表。接着，进行步骤S22，如图1中所示，籍由一外部电路，例如一测试机台的控制电路，输入一致能信号S1至第一、第二电晶体MOS1、MOS2，以启动一字元线。然后，进行步骤S24，透过一测试机台的一参数量测单元16经由一电压垫12，施加一第二电压于上述字元线上。其中上述一第二电压为一个固定电压，举例来说，可由0.01伏特至5伏特之间。同时使用一电特性量测装置，以量测上述字元线上的对应电特性，在本例中，系使用一电流计14以量测上述字元线的对应电流。接下来，进行步骤S26，根据上述电流计14所量测到的电流的大小，决定上述字元线是否具有缺陷，其中若量测到的电流大于一既定电流值，举例来说为1.0微安培时，则上述字元线具有缺陷，反之亦反。其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速判别字元线的缺陷型态的方法，适用于一记忆体中产生微泄漏的一缺陷的字元线，本方法包括： 建构一电特性与缺陷型态的对应关系表； 启动上述缺陷字元线； 施加一第一电压于上述缺陷字元线上，并同时量测上述缺陷字元线上的对应电特性；以及 根据上述所量测的电特性与上述电特性与缺陷型态的对应关系表比对，以判断上述缺陷字元线的缺陷型态。

【技术特征摘要】
1.一种快速判别字元线的缺陷型态的方法，适用于一记忆体中产生微泄漏的一缺陷的字元线，本方法包括建构一电特性与缺陷型态的对应关系表；启动上述缺陷字元线；施加一第一电压于上述缺陷字元线上，并同时量测上述陷缺字元线上的对应电特性；以及根据上述所量测的电特性与上述电特性与缺陷型态的对应关系表比对，以判断上述缺陷字元线的缺陷型态。2.如权利要求1所述的快速判别字元线的缺陷型态的方法，其特征在于上述电特性为电流。3.如权利要求1所述的快速判别字元线的缺陷型态的方法，其特征在于上述第一电压为一时变电压，电压值由小变大。4.如权利要求3所述的快速判别字元线的缺陷型态的方法，其特征在于上述时变电压的电压值大抵上由0.01伏特增加至7伏特。5.一种快速判别字元线的缺陷型态的方法，包括(a)建构一电特性与缺陷型态的对应关系表；(b)启动一半导体装置中的一字元线；(c)施加一第二电压于上述字元线上，并同时量测上述字元线上的电流；(d)根据所量测到的电流的大小，决定上述字元线是否具有缺陷，若上述字元线具有缺陷，则进...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]