一种评估光罩图案间迭对位准（ｍａｓｋ　　ｒｅｇｉｓｔｒａｔｉｏｎ）的方法，其特征在于包含下列步骤：　　　　以具有一第一光罩图案的一第一光罩进行微影制程，以定义蚀刻一晶圆而形成一第一曝光图案；　　　　在该晶圆表面覆盖一光阻层；　　　　以具...

一种维持微影制程容许度（ｐｒｏｃｅｓｓ　　ｗｉｎｄｏｗ）的方法，包括：　　　　提供一基底；　　　　　形成一抗反射层于上述基底表面；　　　　形成一透明保护层于上述抗反射层表面；　　　　形成一图案化光阻于上述透明保护层表面；以及　　　　以上...

一种内存组件的位线与位线接触窗的制造方法，其特征在于包括：　　　　提供一个基底，该基底上已形成有复数个栅极结构，其中每一个该些栅极结构具有一个栅介电层、一个栅极导电层、一个顶盖层，且每一个该些栅极结构的侧壁是形成有一个间隙壁；　　　　在...

一种堆叠式栅极结构的制造方法，该制造方法包括下列步骤：　　　　（ａ）于半导体基板上形成一介电层；　　　　（ｂ）于该介电层上形成一复晶硅层；　　　　（ｃ）于该复晶硅层上形成一金属层；　　　　（ｄ）于该金属层上形成一ＷＮ↓［ｘ］层；　　　　...

一种接触孔形成方法，其包括如下步骤：　　　　提供一基底；　　　　根据需要在所述基底上形成多个适当的工作层；　　　　在这些工作层中的最上面一层上形成一导电层；　　　　在所述导电层上形成一抗反射层；　　　　在所述抗反射层上形成光致抗蚀剂层以...

一种半导体装置的蚀刻方法，包含以下步骤：　　　　提供一基底；　　　　于该基底上形成若干工作层；　　　　于该工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置；　　　　蚀刻移除所述工作层未被该光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口；　　　　于该开口侧壁...

一种测试掩模结构，包含有：　　　　至少一个与最终产品线宽与间隔等比例且成固定比例之阵列图样区域，该阵列图样区域依据该固定比例具有第一图样密度；以及　　　　至少一个测试掩模区域，具有第二图样密度，　　　　其中根据该第一图样密度以及该第二图...

一种光致抗蚀剂处理方法，包含如下步骤：　　　　在一半导体结构上涂覆一层光致抗蚀剂；　　　　对该光致抗蚀剂界定预定的图样；　　　　移除该光致抗蚀剂不需要的部分，留下必要的部分以形成图样；以及　　　　对于留下之光致抗蚀剂施行紧密化处理。

一种堆叠式闸极结构的制造方法，该制造方法包括下列步骤：　　　　（ａ）于半导体基板上形成一介电层；　　　　（ｂ）于该介电层上形成一复晶硅层；　　　　（ｃ）于该复晶硅层上形成一金属层；　　　　　（ｄ）于该金属层上形成一阻障层；　　　　（ｅ）...

一种闸极结构的制造方法，其特征在于：包含下列步骤：　　　　提供一基底；　　　　于基底表面形成一导电层；　　　　于导电层表面形成一金属层；　　　　于金属层表面形成闸极预定图案的第一保护层，其中各闸极图案具有露出的顶部表面及侧面表面；　　　...

一种形成位元线接触窗的方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体硅基底，包含有复数个相邻的ＭＯＳ晶体管，而该晶体管包含一栅极及构成汲极与源极的掺杂区；　　　　顺应性形成一内衬层于上述硅基底与ＭＯＳ晶体管上；　　　　坦覆性形成一第一介电层于...

一种形成电路接触以改善该电路接触电阻值的方法，该方法包含下列步骤：　　　　在底材上形成源、汲极及阻绝区域；　　　　在底材上形成闸极结构，该闸极结构包含闸氧化层、间隙壁与闸顶绝缘层；　　　　形成一主动区域，该主动区域包含源、汲极；　　　　...

本发明一种应用于光学光刻系统的孔径盘，包含有一不透光板体，其上具有一圆形中央开孔（ｐｏｌｅａｐｅｒｔｕｒｅ）；以及一组四辐具固定开角θ的扇形开孔（ｓｅｃｔｏｒａｐｅｒｔｕｒｅ），由所述圆形中央开孔的参考中心点向外呈辐射状；其中所述孔径盘...

本发明提供一种提高曝光直线的标准影像对数斜率的方法，所述方法包含有提供一光罩布局图，其应用于一Ｑｕａｓａｒ９０照光中，且所述光罩布局图包含有至少一第一直线图案与平行于所述第一直线图案的一第二直线图案，以及于所述第一直线图案与所述第二直线...

本发明揭露深沟槽电容的制作方法，先提供一半导体基底，并形成一第一沟槽于该半导体基底中。接着氧化该半导体基底以形成一氧化硅层于该第一沟槽表面；沉积一氧化铝层于该第一沟槽的底部与侧壁上，并覆盖该氧化硅层；移除该第一沟槽底部上的部分氧化铝层与...

一种蚀刻半导体基底的方法，该方法包括下列步骤：首先提供一半导体基底；放置该半导体基底于一第一容器中并进行一第一蚀刻步骤，其中该第一容器内包括一第一蚀刻剂；放置该半导体基底于一第二容器中并进行一第一清洗步骤，其中该第二容器内包括一第一清洗...

一种制作一应用于场效晶体管的多层栅极堆栈结构的方法，该方法包含有：依次沉积一多晶硅层、一过渡金属界面层、一金属氮化物阻绝层、以及一金属层于一栅极介电层上；图案化该金属层及该阻绝层，并选择性地及于该界面层，以暴露出部分该界面层；以图案化之...

一种于集成电路内制作不含晶须的铝线或铝合金线的方法，包括下列步骤：首先提供一基底，然后形成一含晶须的铝金属层或铝合金层于该基底上。接着进行至少一工艺步骤，其选自由回蚀刻与再溅射所组成的工艺步骤来移除晶须并形成一不含晶须层。随后建构该不含...

一种半导体器件的制造方法。首先，提供一衬底，其中衬底包括多个设置于其中的深沟槽电容器，且深沟槽电容器的上部部分超出衬底表面。其后，在深沟槽电容器的上部部分的侧壁形成间隙壁，暴露一为深沟槽电容器所围绕的预定区。接着，以深沟槽电容器的上部部...

本发明提供一种半导体器件的制造方法，其包括提供一其中具有嵌壁式栅极（ｒｅｃｅｓｓｅｄ　　ｇａｔｅｓ）与深沟槽电容元件的衬底，其暴露出嵌壁式栅极的突出部（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎｓ）与深沟槽电容元件的上部（ｕｐｐｅｒ　　ｐｏｒｔｉｏｎｓ），且...