【技术实现步骤摘要】
本专利技术系有关于一种半导体装置之浅沟槽前置制作工艺，更具体地涉及一种可避免条纹(striation)现象的蚀刻方法。
技术介绍
在例如DRAM等半导体装置的制作工艺中，浅沟槽之形成是相当重要的一环。如图1所示，在DRAM的主动区蚀刻制作工艺中，基底10上形成一氧化层12，在该氧化层12上形成一氮化层14，再于该氮化层14上形成一硼硅玻璃(BSG)层16。接下来，形成光致抗蚀剂18，如图2所示。依照一般掩模蚀刻程序，经过显影、成像界以定出之后蚀刻开口的位置，将硼硅玻璃层16、氮化层14以及氧化层12等等各层蚀刻出开口20，并移除光致抗蚀剂18。由于在曝光过程中光的驻波问题，使光致抗蚀剂侧壁不平整，导致所蚀刻出来的开口，侧壁呈现凹凸不平整，此称为条纹(striation)现象，如图3所示。在图3的结构中，未被蚀刻移除的硼硅玻璃层16、氮化层14以及氧化层12等各部分作为后续在基底10中蚀刻出浅沟槽之硬掩模(hard mask)。由于硬掩模之侧壁产生条纹现象而轮廓不平整，因此使得后续蚀刻出来的浅沟槽的侧壁亦同样有条纹现象，而使得浅沟槽轮廓劣化。如图4所示，当浅沟槽之轮廓有条纹现象时，之后填入介电质而构成浅沟槽隔离区时，由于浅沟槽隔离区各个不同深度位置的临界尺寸不均匀，导致绝缘效果随之变得不稳定。因此，需要一种克服上述问题的解决之道。本专利技术即满足此项需求。
技术实现思路
本专利技术之一目的为提供一种蚀刻方法，其可避免后续形成之浅沟槽侧壁的不平整，从而维持最终形成的浅沟槽隔离区具有稳定的绝缘性。根据本专利技术之一方面，一种半导体装置的蚀刻方法包含步骤有提供一基...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的蚀刻方法，包含以下步骤提供一基底；于该基底上形成若干工作层；于该工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置；蚀刻移除所述工作层未被该光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口；于该开口侧壁形成一间隔层；以及蚀刻基底对应该开口之部分。2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：李秀春，黄则尧，陈逸男，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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